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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jans2N5237	-	RFQ	3465	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/394	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W	to-5	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			120 v	10 µA					10µA			npn	2.5V @ 1a 、10a	40 @ 5a 、5V	-
1N3662R	41.6850	RFQ	1147	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			フィットを押します	do-208aa			標準、逆極性		DO-21	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N3662R	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									300 V	1.1 V @ 35 a		10 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	35a	-
Jan1n3825aur-1	13.8750	RFQ	8216	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3825			1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V												4.7 v	8オーム
1N5809/tr	7.1700	RFQ	2636	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	b 、軸	1N5809		標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	132		高速回復= <500ns									100 V	875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V、1MHz
1N5364B/TR12	2.6850	RFQ	3718	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5364			5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 1 a		500 NA @ 23.8 v												33 v	10オーム
1N5923APE3/TR8	0.9150	RFQ	7789	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5923			1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500												1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 6.5 v												8.2 v	3.5オーム
jans1n4621d-1/tr	145.5408	RFQ	6927	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4621d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 2 V												3.6 v	1.7オーム
1 PMT5952/TR13	-	RFQ	2775	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5952			3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000												1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 98.8 v												130 v	450オーム
Jan2N696	-	RFQ	7336	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/99	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				600 MW	to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			40 v						10µa（icbo）			npn	1.5V @ 15MA、150ma	20 @ 150ma 、10V	-
JANKCA1N4110	-	RFQ	6748	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA				500 MW	do-7 （do-204aa）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankca1n4110	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.15 v												16 v	100オーム
JANTX1N4104-1	4.8000	RFQ	2333	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4104			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v												10 v	200オーム
2N6674	130.8720	RFQ	2064	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N6674					-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
CDLL5542	6.4800	RFQ	5772	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5542			500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		10 na @ 20 v												24 v	100オーム
jan1n4477c	15.5700	RFQ	1546	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4477			1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1 V @ 200 mA		50 Na @ 26.4 v												33 v	25オーム
jankce1n5806	-	RFQ	2581	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	死ぬ			標準		死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankce1n5806	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									150 v	875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
MSCSM70VR1M07CT6AG	502.0100	RFQ	1297	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70		炭化シリコン（原文）	966W （TC）	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70VR1M07CT6AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			700V	349a	6.4mohm @ 120a 、20V	2.4V @ 12MA	645NC @ 20V	13500pf @ 700V	-
jantxv2n4234l	45.9249	RFQ	3851	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jantxv2n4234l			1																			40 v	1 a					1ma			PNP	600MV @ 100MA、1A	40 @ 100MA、1V	-
GN2470K4-G	1.3300	RFQ	5357	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	GN2470	標準		2.5 W	TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			-															-	700 V	1 a	3.5 a	5V @ 13V、3a	-	8ns/20ns
jans1n5802/tr	33.4650	RFQ	8036	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸			標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5802/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									50 v	875 mV @ 1 a	25 ns		-65°C〜175°C	2a	-
jan1n974d-1	7.1850	RFQ	9946	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N974			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 27 V												36 v	70オーム
Jan2N5667	16.7580	RFQ	3246	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5667			1.2 w	to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			300 V	5 a					200na			npn	1V @ 1a 、5a	25 @ 1a 、5V	-
jans1n4970d	374.1920	RFQ	7649	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4970d	ear99	8541.10.0050	1
2C6287-MSCL	33.2700	RFQ	2170	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2C6287-MSCL			1
1 PMT4120C/TR13	1.2450	RFQ	7907	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4120			1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000												1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v												30 V	200オーム
jantxv1n3825d-1	36.1800	RFQ	6684	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3825			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V												4.7 v	8オーム
UES2605HR2	92.9100	RFQ	7837	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3			標準		to-3	-		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns										1.25 V @ 15 a	50 ns		-55°C〜150°C	30a	-
SMBJ5367B/TR13	1.6650	RFQ	3226	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5367			5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 1 a		500 NA @ 31 V												43 v	20オーム
Jan1N6761-1	-	RFQ	5246	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/586	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			ショットキー		DO-41	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									100 V	690 mV @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V、1MHz
jantxv1n3049dur-1/tr	-	RFQ	4295	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）				1.25 w	do-213ab	-				150-jantxv1n3049dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 121.6 v												160 v	1100オーム
jantxv1n5802urs	26.9850	RFQ	2304	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a	1N5802		標準		a-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									50 v	875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²