RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
GC4602-110C	-	RFQ	3906	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C		-					-	-			影響を受けていない	150-GC4602-110C	ear99	8541.10.0060	1																						1PF @ 50V、1MHz					ピン -シングル	2000V						250mohm @ 500MA 、100MHz
1N5364BE3/TR12	2.6850	RFQ	9590	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5364		5 W		T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 a		500 NA @ 23.8 v												33 v	10オーム
cdll5544c/tr	12.3900	RFQ	8703	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5544C/TR	ear99	8541.10.0050	100																	1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 25.2 v												28 v	100オーム
jantxv1n5529dur-1/tr	55.0221	RFQ	1043	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5529dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 8.2 v												9.1 v	45オーム
jans1n5622us/tr	89.7000	RFQ	1056	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/427	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準			a sq-melf	-				150-jans1n5622us/tr			50		標準回復> 500ns													1000 V		1.3 V @ 3 a	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C〜200°C	1a	-
jantx1n975bur-1/tr	5.5328	RFQ	8303	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n975bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 30 V												39 v	90オーム
jantxv2n2369aub	26.5335	RFQ	8710	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2369		400 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																								20 v					400na						npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
cdll5541a/tr	5.9052	RFQ	9857	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			500 MW		DO-213AB	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL5541A/TR	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		10 na @ 18 v												22 v	100オーム
APT5018SLLG	11.3100	RFQ	7260	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-268-3	APT5018	モスフェット（金属酸化物）			d3 [s]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	500 V	27a（tc）		180mohm @ 13.5a 、10V	5V @ 1MA	58 NC @ 10 V		2596 PF @ 25 V	-
MSASC25W45KV/TR	232.8600	RFQ	5424	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-MSASC25W45KV/TR			1
jans1n4483us	162.0150	RFQ	2200	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w		a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		250 NA @ 44.8 v												56 v	70オーム
1N5946bur-1	4.5300	RFQ	6125	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N5946		1.25 w		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 56 v												75 v	140オーム
jantxv1n4617-1/tr	5.2535	RFQ	7887	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4617-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V												2.4 v	1400オーム
Jan1n3039b-1/tr	8.3524	RFQ	7359	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3039b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 47.1 v												62 v	125オーム
JANTX2N3440UA	-	RFQ	3027	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			800 MW		ua	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																								250 v	1 a				2µA						npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
Jan2N5415	-	RFQ	3320	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/485	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			750 MW		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																								200 v	1 a				1ma						PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
APT35GT120JU2	24.4800	RFQ	6514	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	ISOTOP	APT35GT120		260 W	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																						トレンチフィールドストップ	1200 v	55 a	2.1V @ 15V、35a			5 Ma	いいえ			2.53 NF @ 25 V
Jan1n3335b	-	RFQ	5211	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W		DO-5	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 10 a		10 µA @ 47.1 v												62 v	7オーム
TN0604N3-G-P013	1.1400	RFQ	5103	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TN0604	モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000			nチャネル	40 v	700ma	5V、10V	750mohm @ 1.5a、10V	1.6V @ 1MA		±20V	190 pf @ 20 v	-	740MW
UM4002SM	-	RFQ	6230	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-		sq-melf					-	-			影響を受けていない	150-UM4002SMTR	ear99	8541.10.0060	1													20 W									3PF @ 100V、1MHz					ピン -シングル	200V						500MOHM @ 100MA 、100MHz
UZ7780R	468.9900	RFQ	7872	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W		軸	-			影響を受けていない	150-UZ7780R	ear99	8541.10.0050	1																			10 µA @ 60.8 v												80 v	60オーム
jans2N3498U4	-	RFQ	2050	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																								100 V	500 Ma				50na（icbo）						npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N2985	27.6600	RFQ	7703	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-205aa、to-5-3			5 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N2985	ear99	8541.29.0095	1																								80 v	3 a				-						npn	-	-	-
jansr2n3637ub	126.2408	RFQ	8715	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			1.5 w		ub	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																								175 v	1 a				10µa（icbo）						PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 10ma 、10V	-
2N5415S	30.6432	RFQ	1957年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5415		750 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																								200 v	1 a				1ma						PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
MBR3040CTE3/TU	1.1700	RFQ	2586	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR3040	ショットキー			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	40 v	15a	700 mV @ 15 a		50 µA @ 40 V	-65°C〜150°C
jansd2n5004	-	RFQ	3635	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/534	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA			2 W		to-59	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																								80 v	50 µA				50µA						npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
1N2992a	36.9900	RFQ	2870	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N2992		10 W		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 2 a		10 µA @ 29.7 v												39 v	11オーム
jantx1n991c-1	-	RFQ	7353	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 137 v												180 v	2200オーム
APTGT100DH120TG	148.8000	RFQ	7769	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	シャーシマウント	SP4	aptgt100		480 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ																						トレンチフィールドストップ	1200 v	140 a	2.1V @ 15V 、100A			250 µA	はい			7.2 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²