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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
CDLL6017B	2.7150	RFQ	1127	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL6017B	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v						51 v	180オーム
SBT3045C	62.1000	RFQ	2280	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	SBT3045	ショットキー		to-204aa	-			影響を受けていない	150-SBT3045C	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	30a	700 mV @ 30 a		1.5 mA @ 45 v	-65°C〜175°C
MSASC75W45FV	-	RFQ	8225	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™4		ショットキー		Thinkey™4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		45 v		760 mV @ 75 a		750 µA @ 45 V	-55°C〜175°C	75a	-
1N4739CP/TR12	2.2800	RFQ	2085	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4739		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V						9.1 v	5オーム
jans1n6323c	280.2750	RFQ	7674	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jans1n6323c	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		1 µA @ 7 V						9.1 v	6オーム
jantx1n3168	-	RFQ	6892	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/211	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準		do-205ab（do-9）	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		400 V		1.55 V @ 940 a		10 mA @ 400 v	-65°C〜200°C	300a	-
CD4099D	-	RFQ	9308	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4099D	ear99	8541.10.0050	610					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 5.17 v						6.8 v	200オーム
jans1n3595a-1	-	RFQ	6812	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	do-204ah do-35 、軸		標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		125 v		1 V @ 200 mA	3 µs	2 Na @ 125 v	-65°C〜175°C	150ma	-
jans1n4617dur-1	208.9650	RFQ	7339	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V						2.4 v	1400オーム
jan1n4120cur-1/tr	19.9367	RFQ	1217	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4120cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v						30 V	200オーム
jantx1n4482/tr	11.4114	RFQ	8883	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.5 w	do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4482/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		50 Na @ 40.8 v						51 v	60オーム
CDLL5252D	8.4150	RFQ	4619	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5252D	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 18 V						24 v	33オーム
1N4909A	54.5550	RFQ	4818	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C	穴を通して	DO-204AA	1N4909		400 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													12.8 v	50オーム
1N4736APE3/TR8	0.9450	RFQ	1877	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4736		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 4 V						6.8 v	3.5オーム
1N4976CUS	18.7200	RFQ	9033	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-1N4976CUS	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 42.6 v						56 v	35オーム
CDLL5929B	3.9300	RFQ	1675	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5929		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 11.4 v						15 V	9オーム
jantxv1n756d-1/tr	12.7680	RFQ	7863	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n756d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 6 V						8.2 v	8オーム
1N2785	44.1600	RFQ	3747	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2785	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		400 V		1.2 V @ 30 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	22a	-
jantx1n4118dur-1	30.4050	RFQ	2288	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4118		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 20.5 v						27 v	150オーム
UES805HR2	72.8700	RFQ	7954	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	UES805	標準		do-5（do-203ab）	-			影響を受けていない	150-US805HR2	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 50 a	50 ns	70 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	50a	-
jan1n6911utk2as	-	RFQ	1087	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/723	バルク	アクティブ			表面マウント	Thinkey™2		sic （炭化シリコン）ショットキー		Thinkey™2	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	回復時間なし> 500ma		30 V		540 mV @ 25 a		1.2 mA @ 30 V	-65°C〜150°C	25a
UPR30E3/TR13	1.0800	RFQ	9840	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-216AA	UPR30	標準		パワーマイト	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,000	高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	2a	-
Jan1n759aur-1	4.4400	RFQ	1390	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N759		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9 V						12 v	30オーム
1 PMT4127CE3/TR13	0.4950	RFQ	2333	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4127		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 42.6 v						56 v	250オーム
1N3647	16.8600	RFQ	5961	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/279	バルク	アクティブ			穴を通して	s 、軸		標準		s 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3647MS	ear99	8541.10.0070	1	標準回復> 500ns				5 V @ 250 Ma		1 µA @ 3000 V	-65°C〜150°C	250ma	-
SMBJ5345BE3/TR13	0.8250	RFQ	1850	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5345		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		10 µA @ 6.25 v						8.7 v	2オーム
1N5365A/TR12	2.6250	RFQ	4035	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5365		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 a		500 NA @ 25.9 v						36 v	11オーム
R504140	158.8200	RFQ	2005年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準、逆極性		do-205ab（do-9）	-			影響を受けていない	150-R504140	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns		1400 v		1.25 V @ 1000 a		75 µA @ 1400 v	-65°C〜200°C	300a	-
jan1n6346dus	49.6800	RFQ	5296	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jan1n6346dus	ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 62 v						82 v	220オーム
GC15007-00	-	RFQ	8480	マイクロチップテクノロジー	GC15000	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC15007-00	ear99	8541.10.0040	1										0.2pf @ 20V、1MHz	シングル	22 v			13	C0/C20	1000 @ 4V、50MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²