画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f | 電圧 -アノード -カソード( vak )(最大) | レギュレータ電流(最大) | 電圧 -制限(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | janhca1n4127d | - | ![]() | 5699 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4127d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 42.6 v | 56 v | 300オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansl2n2369au/tr | 130.2802 | ![]() | 8555 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/317 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、リードなし | 500 MW | u | - | 影響を受けていない | 150-jansl2n2369au/tr | 50 | 15 V | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 40 @ 10ma、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6353cus | - | ![]() | 8628 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 122 v | 151 v | 1200オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n1715 | - | ![]() | 4178 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | to-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 100 V | 750 Ma | - | npn | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3584 | 221.9700 | ![]() | 1821年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/384 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 2N3584 | 2.5 W | to-66(to-213aa | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 2 a | 5MA | npn | 750mv @ 125ma、1a | 25 @ 1a 、10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5291-1 | 21.6600 | ![]() | 3775 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 穴を通して | DO-204AA | 1N5291 | 500MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5311UR-1 | 22.0350 | ![]() | 3361 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N5311 | 500MW | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96ma | 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2820A | 94.8900 | ![]() | 5785 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2820 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 18.2 v | 24 v | 2.6オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n4730ur-1/tr | 3.6200 | ![]() | 4375 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
jans1n4987us | 115.5000 | ![]() | 4173 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 121.6 v | 160 v | 350オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5283/tr | 25.2900 | ![]() | 9139 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | CDLL52 | 500MW | do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5283/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 242µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5298UR-1 | 21.8250 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N5298 | 500MW | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21MA | 1.4V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n1184 | 94.0050 | ![]() | 1489 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/297 | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1184 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.4 V @ 110 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n5291ur-1 | 130.1550 | ![]() | 5608 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/463 | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N5291 | 500MW | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616µA | 1.1V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MV30018-150A | - | ![]() | 5310 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-MV30018-150ATR | ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 3PF @ 4V、1MHz | シングル | 22 v | 6 | C2/C20 | 2500 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n4489 | 137.4000 | ![]() | 4916 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 80 v | 100 V | 250オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3825AUR-1 | 8.7900 | ![]() | 9907 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3825 | 1.5 w | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N2827RB | - | ![]() | 5741 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2827 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 32.7 v | 43 v | 4.5オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll4715c/tr | 6.7950 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4715C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 139 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 27.3 v | 36 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5937C/TR13 | 2.7600 | ![]() | 6567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5937 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS3027B-1/TR | - | ![]() | 3507 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS3027B-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | USD520 | 118.4100 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | ショットキー | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 680 mV @ 60 a | 175°C (最大) | 75a | - | ||||||||||||||||||||||||||
1N5314/tr | 18.8100 | ![]() | 1957年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5314 | 500MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5314/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17MA | 2.9V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | janhca1n4110d | - | ![]() | 7932 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4110d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.15 v | 16 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSR2N3810L | - | ![]() | 1576 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N3810 | 350MW | to-78-6 | - | 影響を受けていない | 150-MSR2N3810L | 100 | 60V | 50ma | 10µa(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N708A | 1.9200 | ![]() | 1526 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N708 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5.6 v | 3.6オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2907ATX | 10.3474 | ![]() | 5733 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3319A | 49.3800 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3319 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 15.2 v | 20 v | 2.4オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n6329dus/tr | 527.7150 | ![]() | 5052 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jans1n6329dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 16 v | 12オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | janhca1n4100d | - | ![]() | 3722 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n4100d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5.7 v | 7.5 v | 200オーム |
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