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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1N3039b-1/tr	7.4214	RFQ	5275	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3039			1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3039B-1/TR	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 47.1 v														62 v	125オーム
1N4571-1	6.5250	RFQ	4824	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	0°C〜75°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4571			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 3 V														6.4 v	100オーム
jantx1n5804us/tr	8.6400	RFQ	9210	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a			標準			D-5a	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5804us/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												100 V	875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
UZ5120	32.2650	RFQ	7497	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸				5 W		b 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ5120	ear99	8541.10.0050	1																	5 µA @ 152 v														200 v	500オーム
1n4104ur-1/tr	3.5245	RFQ	3898	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4104UR-1/TR	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v														10 v	200オーム
jantx1n6338	12.4350	RFQ	4566	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6338			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a		50 Na @ 30 V														39 v	55オーム
1N6642UBCA/TR	14.4300	RFQ	9911	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-							100
2N6182	287.8650	RFQ	1956年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-210AA				60 W		to-59	-			影響を受けていない	150-2N6182	ear99	8541.29.0095	1																						80 v	10 a						-					PNP	700MV @ 200µA、2MA	-	-
Jan1n5523dur-1	46.2900	RFQ	6724	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5523			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V														5.1 v	26オーム
1N5520/tr	1.9950	RFQ	8554	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5520/tr	ear99	8541.10.0050	477															1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 900 mV														3.9 v
jantxv1n2814b	-	RFQ	5994	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2814			10 W		TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 2 a		10 µA @ 12.2 v														16 v	1.6オーム
VP2106N3-G	0.6400	RFQ	2115	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	VP2106		モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000			pチャネル		60 V	250ma	5V、10V	12OHM @ 500MA 、10V	3.5V @ 1MA	±20V	60 pf @ 25 v	-	1W （TC）
APT15GP90BDQ1G	6.0600	RFQ	5412	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT15GP90	標準		250 W		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				600V、15A 、4.3OHM、15V																	pt	900 V	43 a	60 a	3.9V @ 15V 、15a	200µJ	60 NC	9ns/33ns
1 PMT5941A/TR7	2.2200	RFQ	6472	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5941			3 W		DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 35.8 v														47 v	67オーム
1N4733PE3/TR8	0.9150	RFQ	1019	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4733			1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500															1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V														5.1 v	7オーム
1n6627u/tr	15.2250	RFQ	8329	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf e			標準			D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N6627U/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												400 V	1.5 V @ 4 a	30 ns	2 µA @ 400 V	-	4a	-
1N4747AP/TR12	-	RFQ	9436	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4747			1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000															1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 15.2 v														20 v	22オーム
jans1n6633cus/tr	-	RFQ	2163	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e				5 W		e-melf	ダウンロード				150-jans1n6633cus/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		250 µA @ 1 V														3.6 v	2.5オーム
1N4741AE3/TR13	0.8700	RFQ	2208	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4741			1 W		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000															1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 8.4 v														11 v	8オーム
1N5754D	4.6800	RFQ	7321	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5754			500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 39 v														56 v	200オーム
jantx1n4968dus	-	RFQ	9390	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e				5 W		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a		2 µA @ 20.6 v														27 v	6オーム
1 PMT5947B/TR13	-	RFQ	9214	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5947			3 W		DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000															1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 62.2 v														82 v	160オーム
jantx1n827ur-1/tr	9.5850	RFQ	8782	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/159	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n827ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 3 V														6.2 v	15オーム
jan2n2907aubp/tr	12.6616	RFQ	2435	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-JAN2N2907AUBP/TR	ear99	8541.21.0095	100																						60 V	600 Ma						50NA					PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 1ma 、10V	-
1N5298RL	18.6000	RFQ	1634	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					1N5298						-			影響を受けていない	150-1N5298RL			1
jantxv1n5809us	12.3150	RFQ	8130	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf b	1N5809		標準			B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns												100 V	875 mV @ 4 a	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V、1MHz
S30680	39.0750	RFQ	1407	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	S30680		標準			DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												800 V	1.1 V @ 200 a		25 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	85a	-
jantx1n5535bur-1	14.9100	RFQ	4099	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5535			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 13.5 v														15 V	100オーム
APT40GF120JRD	42.4400	RFQ	19	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT40			390 w	標準	SOT-227	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt40gf120jrd	ear99	8541.29.0095	1	シングル																				-	1200 v	60 a		3.4V @ 15V 、50a				500 µA	いいえ			3.45 NF @ 25 V
UZ7822	468.9900	RFQ	7444	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド				10 W		軸	-			影響を受けていない	150-UZ7822	ear99	8541.10.0050	1																	20 µA @ 15.8 v														22 v	4.5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²