画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f | 電圧 -アノード -カソード( vak )(最大) | レギュレータ電流(最大) | 電圧 -制限(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4102UR-1 | 3.7950 | ![]() | 3086 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N4102 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.7 v | 8.7 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jans1n4471dus/tr | 308.3802 | ![]() | 7711 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | a sq-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4471dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 14.4 v | 18 v | 11オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansp2n3635ub/tr | 147.3102 | ![]() | 5077 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 1.5 w | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5538dur-1 | 36.1650 | ![]() | 6866 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5538 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.2 v | 18 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n5520d-1 | 17.6700 | ![]() | 5251 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5520 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT10M09LVFRG | 23.8000 | ![]() | 8568 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT10M09 | モスフェット(金属酸化物) | to-264 [l] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 100a(tc) | 9mohm @ 50a 、10V | 4V @ 2.5MA | 350 NC @ 10 V | 9875 PF @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptglq150a120tg | 151.5300 | ![]() | 1489 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptglq150 | 750 W | 標準 | SP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 250 a | 2.4V @ 15V 、150a | 100 µA | はい | 8.8 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5543bur-1 | 19.3500 | ![]() | 4527 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5543 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 22.4 v | 25 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5918D | 11.7300 | ![]() | 5411 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5918 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 4オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFS305J/TR13 | 2.6100 | ![]() | 1820 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | UFS305 | 標準 | DO-214AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANKCCR2N3500 | - | ![]() | 9246 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankccr2n3500 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 Ma | 10µa(icbo) | npn | 400MV @ 15MA、150MA | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n4973dus/tr | 460.3500 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jans1n4973dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 32.7 v | 43 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n456666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666666 | 12.0900 | ![]() | 7887 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-JANTX1N45666666666666666666666666666666666666666666666666 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n963b-1 | 2.0550 | ![]() | 1764 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N963 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n2835rb | - | ![]() | 6169 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2835 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 56 v | 75 v | 9オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5386AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5386 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 130 v | 180 v | 430オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MV32006-129A | - | ![]() | 6695 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、フラットリード | - | - | 影響を受けていない | 150-MV32006-129A | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.2pf @ 4V、1MHz | シングル | 22 v | 3.5 | C2/C20 | 3000 @ 4V、50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5313-1E3 | 21.8400 | ![]() | 6193 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5313 | 500MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5313-1E3 | 1 | 100V | 4.73ma | 2.75V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT2X31D120J | 28.1900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT2X31 | 標準 | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 1200 v | 30a | 2.5 V @ 30 a | 370 ns | 250 µA @ 1200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3031bur-1 | 12.7350 | ![]() | 2634 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3031 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n991dur-1/tr | - | ![]() | 2967 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | ダウンロード | 150-jan1n991dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 137 v | 180 v | 2200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5254a/tr | 2.7132 | ![]() | 2737 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5254A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3317rb | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 13.7 v | 18 v | 2オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4751CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 1217 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4751 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n4465dus | 49.5750 | ![]() | 2616 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1N4465 | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 300 na @ 8 v | 10 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3419 | 19.6707 | ![]() | 9104 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/393 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N3419 | 1 W | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5µA | npn | 500MV @ 200MA 、2a | 20 @ 1a 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM4001BHR2 | - | ![]() | 6631 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | - | 軸 | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UM4001BHR2 | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 12 W | 3PF @ 100V、1MHz | ピン -シングル | 100V | 500MOHM @ 100MA 、100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4482 | 7.9500 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO041、軸 | 1N4482 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N4482ms | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 50 Na @ 40.8 v | 51 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N5151U3 | 229.9812 | ![]() | 2005年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1.16 w | U3 | - | 影響を受けていない | 150-JANSP2N5151U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5V @ 500MA 、5a | 30 @ 2.5a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N707A | 1.9200 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N707 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 7.1 v | 7.1 v | 10オーム |
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