画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantx1n6316cus | 44.4750 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6316 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 17オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3313a | 49.3800 | ![]() | 9948 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3313 | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 11.4 v | 14 v | 1.2オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4759UR-1 | 3.4650 | ![]() | 5069 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | 影響を受けていない | 150-1N4759UR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | |||||||||||||||||||
1N829-1 | 8.5050 | ![]() | 2560 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N829 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||
1N4986 | 9.8250 | ![]() | 1548 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4986 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 114 v | 150 v | 330オーム | |||||||||||||||||||
jans1n4483cus | 283.8300 | ![]() | 3789 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4483cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 NA @ 44.8 v | 56 v | 70オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | CDS750AUR-1 | - | ![]() | 6252 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS750AUR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n4130cur-1 | 97.9650 | ![]() | 3923 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.7 v | 68 v | 700オーム | |||||||||||||||||||
jankca1n5519d | - | ![]() | 8781 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n5519d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||||||||||
JANTX1N4623D-1 | 14.5650 | ![]() | 3929 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n4623d-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.3 v | 1600オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n6766r | - | ![]() | 3600 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-254-3 | 標準 | TO-254 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.55 V @ 12 a | 60 ns | 10 µA @ 320 v | - | 12a | 300pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | UFR8505 | 148.2150 | ![]() | 5935 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-UFR8505 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5525bur-1 | - | ![]() | 4809 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5525bur-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n4135d-1 | 28.9500 | ![]() | 9014 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4135 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 76 v | 100 V | 1600オーム | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL6016B | 2.7150 | ![]() | 9815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL6016B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 36 V | 47 v | 170オーム | |||||||||||||||||||
jantxv1n4620d-1 | 18.4650 | ![]() | 3170 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4620 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650オーム | ||||||||||||||||||
UZ117 | 22.4400 | ![]() | 3815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 3 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ117 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 129 v | 170 v | 750オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5365A/TR8 | 2.6250 | ![]() | 5794 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5365 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 25.9 v | 36 v | 11オーム | |||||||||||||||||
![]() | cdll5221a/tr | 2.7132 | ![]() | 3237 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5221A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4620dur-1 | 34.8750 | ![]() | 1846年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4620 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650オーム | |||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4554rb | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 20 µA @ 2 V | 5.1 v | 0.14オーム | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL4568A | 14.3100 | ![]() | 5202 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | -55°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | CDLL4568 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n5539cur-1/tr | 33.6357 | ![]() | 1215 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5539cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1n935bur-1 | - | ![]() | 2306 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/156 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||
APT75DQ120SG | 4.4700 | ![]() | 6460 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-268-3 | APT75DQ120 | 標準 | d3pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-apt75dq120sg | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 3.3 V @ 75 a | 325 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 75a | - | |||||||||||||||||
jantx1n4468c | 20.5200 | ![]() | 5071 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4468 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.4 v | 13 v | 8オーム | ||||||||||||||||||
CDLL5535B | 5.9550 | ![]() | 5454 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5535 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 13.5 v | 15 V | 100オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4746CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 7734 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4746 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||||
![]() | JANKCA1N4103D | - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4103d | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.92 v | 9.1 v | 200オーム | |||||||||||||||||||
![]() | APTM100H46FT3G | 98.7600 | ![]() | 6475 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP3 | APTM100 | モスフェット(金属酸化物) | 357W | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(ハーフブリッジ) | 1000V(1kv) | 19a | 552mohm @ 16a 、10V | 5V @ 2.5MA | 260NC @ 10V | 6800PF @ 25V | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫