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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
JANTX1N4617CUR-1	24.0900	RFQ	5405	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4617		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1 µA @ 1 V												2.4 v	1400オーム
2N6676	130.8720	RFQ	1407	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C		穴を通して	to-204aa、to-3	2N6676		6 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													300 V	15 a				100µA						npn	1V @ 3a 、15a	15 @ 1a、3V	-
UZ5875	32.2650	RFQ	3110	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	b 、軸			5 W		b 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ5875	ear99	8541.10.0050	1								5 µA @ 54 v												75 v	55オーム
janhca1n4105	13.2734	RFQ	8677	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA			500 MW		do-7 （do-204aa）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n4105	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 8.44 v												11 v	200オーム
jantx1n4461us	14.3550	RFQ	1386	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a	1N4461		1.5 w		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		5 µA @ 4.08 v												6.8 v	200オーム
SMBG5352BE3/TR13	1.1400	RFQ	9442	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-215AA	SMBG5352		5 W		SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 a		1 µA @ 10.8 v												15 V	2.5オーム
cdll5255/tr	2.7132	RFQ	2083	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5255/tr	ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 21 V												28 v	44オーム
jantxv1n6316dus/tr	68.6850	RFQ	3011	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW		B、sq-melf	-				150-jantxv1n6316dus/tr	ear99	8541.10.0050	100						1.4 V @ 1 a		5 µA @ 1.5 v												4.7 v	17オーム
jans2n5666u3	1.0000	RFQ	3822	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、フラットリード	2N5666		1.5 w		U3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													200 v	5 a				200na						npn	1V @ 1a 、5a	40 @ 1a 、5V	-
jankcal2n3810	-	RFQ	7906	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500 /336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810		350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-jankcal2n3810			100													60V	50ma				10µa（icbo）						2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
S2105	33.4500	RFQ	9749	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-S2105			1
UES805	69.1950	RFQ	6725	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	UES805	標準			DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns			300 V		50 ns	70 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	50a	-
cdll4473/tr	11.7300	RFQ	7778	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1.5 w		do-213ab	-			影響を受けていない	150-cdll4473/tr	ear99	8541.10.0050	100						1 V @ 200 mA		50 Na @ 17.6 v												22 v	14オーム
Jan1n3039cur-1	32.5950	RFQ	8255	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3039		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 47.1 v												62 v	125オーム
2N5151	26.0015	RFQ	7813	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5151		1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1													80 v	2 a				50µA						PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
CDS6857UR-1/TR	-	RFQ	9171	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-			影響を受けていない	150-CDS6857UR-1/TR			50
1N943A-1/TR	18.4950	RFQ	4915	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N943A-1/TR	ear99	8541.10.0050	1								15 µA @ 8 V												11.7 v	30オーム
MSR2N3810U	-	RFQ	4251	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810		350MW		u	-			影響を受けていない	150-MSR2N3810U			100													60V	50ma				10µa（icbo）						2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
LXS201-23-1	5.9400	RFQ	8333	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C			TO-236-3	LXS201				SOT-23-3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-LXS201-23-1	ear99	8541.10.0060	1			1 a	250 MW							0.3pf @ 0V、1MHz					Schottky-シングル	3V						-
jans1n5296-1/tr	100.0200	RFQ	5147	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA			500MW		DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5296-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																															100V	1.001ma	1.29V
1N5418US/TR	9.8100	RFQ	6364	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	sq-melf e		標準			D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5418US/TR	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns			400 V	1.5 V @ 9 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5932a	3.0300	RFQ	5385	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5932		1.25 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15.2 v												20 v	14オーム
MSCGLQ50DH120CTBL2NG	155.6300	RFQ	9305	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C		シャーシマウント	モジュール	mscglq		375 w	標準	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCGLQ50DH120CTBL2NG	ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ											-	1200 v	110 a	2.4V @ 15V 、50a			25 µA	はい			2.77 NF @ 25 V
1N3044bur-1	15.3000	RFQ	3554	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N3044		1 W		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 76 v												100 V	350オーム
jantxv1n3039dur-1	56.9100	RFQ	8061	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3039		1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 47.1 v												62 v	125オーム
JANTX2N3421	13.4200	RFQ	32	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3421		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1													80 v	3 a				5µA						npn	500MV @ 200MA 、2a	40 @ 1a 、2V	-
jan1n4972dus	26.4600	RFQ	7390	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e	1N4972		5 W		D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 a		2 µA @ 29.7 v												39 v	14オーム
UZ8220	22.4400	RFQ	2862	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	A 、軸			1 W		A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ8220	ear99	8541.10.0050	1								500 NA @ 144 v												200 v	1500オーム
GCX1206-23-0/TR	3.5400	RFQ	3983	マイクロチップテクノロジー	GCX1206	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜125°C		表面マウント	TO-236-3					SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-GCX1206-23-0/tr	ear99	8541.10.0060	1,000											2.7pf @ 4V、1MHz					シングル	30 V											3.7	C0/C30	2500 @ 4V、50MHz
R2N2920A	61.5923	RFQ	1501	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-78-6金属缶	2N2920		350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-R2N2920A	ear99	8541.21.0095	1													60V	30ma				10µa（icbo）						2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²