画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S31110 | 49.0050 | ![]() | 6909 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S31110 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120TAM11CTPAG | 1.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン(原文) | 1.042KW | SP6-P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSCSM120TAM11CTPAG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 N-Channel(3 フェーズブリッジ) | 1200V(1.2kv) | 251a(tc) | 10.4mohm @ 120a 、20V | 2.8V @ 3MA | 696NC @ 20V | 9060pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||
jans1n5806urs/tr | 118.5600 | ![]() | 1115 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準、逆極性 | a sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jans1n5806urs/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 160 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5531cur-1/tr | 44.0363 | ![]() | 7880 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5531cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.9 v | 11 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||
jantx1n986dur-1/tr | 17.3964 | ![]() | 6141 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N986 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n986dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 84 v | 110 v | 750オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6769 | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-257-3 | 標準 | TO-257 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.06 V @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 80 V | - | 8a | 150pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n6011ur-1/tr | 3.7400 | ![]() | 3804 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5524dur-1/tr | 58.7062 | ![]() | 7677 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5524dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 3.5 v | 5.6 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n6642 | 11.5950 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/578 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 1N6642 | 標準 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.2 V @ 100 MA | 20 ns | 500 NA @ 100 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4738UR-1 | 3.0723 | ![]() | 9875 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4738UR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC150W45LS/TR | - | ![]() | 6427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | ショットキー、逆極性 | Thinkey™3 | - | 影響を受けていない | 150-MSASC150W45LS/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 45 v | 760 mV @ 150 a | 1 MA @ 45 v | -55°C〜150°C | 150a | - | ||||||||||||||||||||||||||
1N4991US | 16.3350 | ![]() | 7009 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4991 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 182 v | 240 v | 650オーム | |||||||||||||||||||||||||||
jans1n4106d-1 | 101.3100 | ![]() | 9496 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC150W80LX/TR | - | ![]() | 6128 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC150W80LX/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6002B | 2.7150 | ![]() | 6339 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL6002B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 12 v | 22オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mscglq40x120ctyzbnmg | - | ![]() | 3228 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | 294 w | 三相ブリッジ整流器 | - | ダウンロード | 150-MSCGLQ40X120CTYZBNMG | 1 | ブレーキ付きの3相インバーター | - | 1200 v | 75 a | 2.4V @ 15V 、40a | 100 µA | はい | 2300 PF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7808 | 468.9900 | ![]() | 5788 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | スタッド | 10 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ7808 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 200 µA @ 5.9 v | 8.2 v | 0.8オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n4486dus | 56.4150 | ![]() | 5567 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4486dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 60 v | 75 v | 130オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
1N5622US/TR | 6.3600 | ![]() | 9688 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5622US/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 1 V | -65°C〜200°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6902UTK3AS | 259.3500 | ![]() | 3917 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-1N6902UTK3AS | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3829 | 10.1250 | ![]() | 6738 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | CDLL3829 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
jans1n6314c | 280.2750 | ![]() | 2592 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6314 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n971c-1/tr | 8.0332 | ![]() | 7106 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n971c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41オーム | |||||||||||||||||||||||||||
1N5540D | 5.6850 | ![]() | 4472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5540D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 18 v | 20 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5919CE3/TR13 | - | ![]() | 4220 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5919 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 2オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CD6311 | 2.1014 | ![]() | 1295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6311 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
1N5915A/TR | 2.8462 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.25 w | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5915A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 7.5オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4496dus/tr | 33.6000 | ![]() | 2939 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jan1n4496dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
1N4954US/TR | 7.4613 | ![]() | 6236 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4954US/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3595-1/TR | 2.7398 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N3595-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | 1 Na @ 125 v | -65°C〜175°C | 150ma | - |
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