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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
JANTX2N3421S	-	RFQ	7533	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3421			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																							80 v	3 a						5µA					npn	500MV @ 200MA 、2a	40 @ 1a 、2V	-
1N3891a	44.6400	RFQ	8660	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/304	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa	1N3891		標準			do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													200 v	1.5 V @ 38 a	150 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	20a	-
jantxv1n4105d-1	28.9500	RFQ	4284	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4105			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 8.5 v														11 v	200オーム
APT13GP120BG	6.1600	RFQ	9090	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-247-3	APT13GP120	標準		250 W		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				600V、13a																		pt	1200 v	41 a	50 a	3.9V @ 15V、13a	115µj（on 165µj （オフ）	55 NC	9ns/28ns
jantxv1n938bur-1	-	RFQ	9757	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/156	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW		DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																																9 v	20オーム
jans1n4100ur-1/tr	46.3100	RFQ	2928	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4100ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5.7 v														7.5 v	200オーム
jan1n4616cur-1	16.7700	RFQ	2995	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4616			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V														2.2 v	1300オーム
jans1n4978dus	460.2000	RFQ	9067	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e				5 W		D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 a		2 µA @ 51.7 v														68 v	50オーム
1N4100	2.4450	RFQ	8818	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						1N4100						ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
MNS2N3501P	11.6500	RFQ	9176	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-MNS2N3501P	ear99	8541.29.0095	1																							150 v	300 Ma						10µa（icbo）					npn	400MV @ 15MA、150MA	100 @ 150ma 、10V	-
1N4105DUR-1	9.4800	RFQ	2230	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW		DO-213AA	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 8.5 v														11 v	200オーム
jantxv1n6772	-	RFQ	6451	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	TO-257-3			標準			TO-257	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													400 V	1.6 V @ 8 a	60 ns	10 µA @ 320 v	-	8a	200pf @ 5V、1MHz
Jan1n6623/tr	11.4450	RFQ	8677	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/585	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				穴を通して	A 、軸			標準			A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n6623/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													800 V	1.55 V @ 1 a	30 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜150°C	1a	-
APT43M60B2	12.7400	RFQ	7066	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-247-3バリアント	APT43M60		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		600 V	45a（tc）	10V	150mohm @ 21a 、10V	5V @ 2.5MA	215 NC @ 10 V	±30V	8590 PF @ 25 V	-	780W
jantxv1n4624ur-1/tr	13.2468	RFQ	5495	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4624ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V														4.7 v	1550オーム
SMBJ5945A/TR13	1.5600	RFQ	4878	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5945			2 W		smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51.2 v														68 v	120オーム
jansd2n2369aua/tr	166.8512	RFQ	2498	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C		表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2369A			360 MW		ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansd2n2369aua/tr	ear99	8541.21.0095	1																							15 V							400na					npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
jans2n930ub	-	RFQ	5590	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/253	バルク	アクティブ		200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N930					ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																							45 v	30 Ma						-					npn	-	-	-
jantx1n4572aur-1	-	RFQ	2044	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	sicで中止されました	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 3 V														3 v	100オーム
jan1n6631us	19.1850	RFQ	3785	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/590	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf e	1N6631		標準			D-5B	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													1100 v	1.6 V @ 1.4 a	60 ns	4 µA @ 1100 v	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V、1MHz
Jan1n4107cur-1	14.5650	RFQ	8325	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4107					DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v														13 v	200オーム
jansd2n3700ub	40.1900	RFQ	3118	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-jansd2n3700ub			1																							80 v	1 a						10na					npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
CD4681D	10.3950	RFQ	1119	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ				500 MW		死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4681D	ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V														2.4 v
1N4717	3.9300	RFQ	8205	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA	1N4717			500 MW		DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 32.6 v														43 v
jantxv2n3999	151.6998	RFQ	1651	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/374	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		シャーシ、スタッドマウント	TO-210AA	2N3999			2 W		to-59	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																							80 v	10 a						10µA					npn	2V @ 500MA 、5a	80 @ 1a 、2V	-
1n6014ur-1/tr	3.7400	RFQ	6971	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	264																1.1 V @ 200 mA																39 v
jans1n5305-1	100.8300	RFQ	1360	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5305			500MW		DO-7	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																																							100V	2.2MA	1.85V
cdll4622d/tr	8.8800	RFQ	4559	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA				500 MW		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-cdll4622d/tr	ear99	8541.10.0050	107																1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V														3.9 v	1650オーム
aptgt300sk120g	206.7717	RFQ	7977	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP6	aptgt300			1380 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																					トレンチフィールドストップ	1200 v	420 a		2.1V @ 15V 、300A				500 µA	いいえ			21 nf @ 25 v
JANTX1N5292-1	33.9900	RFQ	9750	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5292			500MW		DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																																							100V	682µA	1.13V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²