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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	現在	電圧	電圧 -分離	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
aptlgt300a1208g	594.5333	RFQ	7829	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	6-POWERSIPモジュール	IGBT	aptlgt300				ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1	ハーフブリッジ			440 a	1.2 kv	2500VRMS
1N4749AUR	3.4650	RFQ	8962	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ		1N4749		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1									1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 18.2 v									24 v	25オーム
1N752A-1E3	2.1014	RFQ	3261	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N752A-1E3	ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2.5 v									5.6 v	8オーム
Jan1n4100dur-1	28.4100	RFQ	8465	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）		1N4100			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5.7 v									7.5 v	200オーム
GC4491-79	-	RFQ	2860	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C		2-SMD 、リードなし					-	-			影響を受けていない	150-GC4491-79	ear99	8541.10.0070	1			50 Ma											0.25pf @ 50V、1MHz			ピン -シングル	750V				1.2OHM @ 100MA 、100MHz
1n6636us/tr	13.8400	RFQ	8575	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W	e-melf	-					ear99	8541.10.0050	100									1.5 V @ 1 a		20 µA @ 1 V									4.7 v	2オーム
jan1n6643us	-	RFQ	8843	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/578	バルク	sicで中止されました			表面マウント	sq-melf d			標準		D-5d	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns						50 v	1.2 V @ 100 MA	6 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5PF @ 0V、1MHz
1N753D-1	5.5800	RFQ	4324	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N753D-1	ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V									6.2 v	7オーム
1N5942BP/TR12	1.8900	RFQ	4515	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸		1N5942		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000									1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 38.8 v									51 v	70オーム
1N5919B	3.0300	RFQ	8169	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸		1N5919		1.19 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5919bms	ear99	8541.10.0050	1									1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V									5.6 v	2オーム
UM6002B	-	RFQ	1556	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-		軸					軸	-			影響を受けていない	150-UM6002BTR	ear99	8541.10.0060	1							2.5 W							0.5pf @ 100V、1MHz			ピン -シングル	200V				1.7OHM @ 100MA 、100MHz
1N5369BE3/TR8	2.6850	RFQ	3281	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸		1N5369		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000									1.2 V @ 1 a		500 NA @ 36.7 v									51 v	27オーム
jansl2n3810l	198.9608	RFQ	7220	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶		2N3810		350MW	to-78-6	-			影響を受けていない	150-jansl2n3810l			1															60V	50ma			10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
jans1n4954us	115.5000	RFQ	6175	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e				5 W	D-5B	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1									1.5 V @ 1 a		150 µA @ 5.2 v									6.8 v	1オーム
jantxv1n4106ur-1/tr	11.3316	RFQ	6061	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4106ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.2 v									12 v	200オーム
2N5547	36.4200	RFQ	4592	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N5547			1
1N6012UR	3.5850	RFQ	4319	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ						1N6012				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
Jan1n4104c-1	10.5000	RFQ	3889	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸		1N4104			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 7.6 v									10 v	200オーム
jans1n4620-1/tr	55.5200	RFQ	6865	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4620-1/tr	ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 mA		3.5 µA @ 1.5 V									3.3 v	1.65オーム
JANKCA1N4111D	-	RFQ	3984	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ				500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4111d	ear99	8541.10.0050	100									1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.92 v									17 v	100オーム
2N2604	9.0307	RFQ	2669	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶		2N2604		400 MW	to-46-3	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															60 V	30 Ma			10na				PNP	300MV @ 500µA 、10mA	60 @ 500µA 、5V	-
1N5182	-	RFQ	9094	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	s 、軸			標準		s 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度						5000 V	10 V @ 100 MA		5 µA @ 5000 V	-65°C〜175°C	100mA	-
jansd2n3810u/tr	342.8814	RFQ	7419	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし		2N3810		350MW	6-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansd2n3810u/tr	ear99	8541.21.0095	1															60V	50ma			10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
SMAJ5918CE3/TR13	0.6450	RFQ	2557	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA		SMAJ5918		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500									1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V									5.1 v	4オーム
1N4971USE3/TR	9.6200	RFQ	4756	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W	e-melf	-					ear99	8541.10.0050	101									1.5 V @ 1 a		2 µA @ 27.4 v									36 v	11オーム
1 PMT4625C/TR7	1.5150	RFQ	2477	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA		1PMT4625		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000									1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V									5.1 v	1500オーム
CDS5535bur-1	-	RFQ	2293	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-CDS5535bur-1	ear99	8541.10.0050	50
jantx1n6336dus	57.9000	RFQ	3197	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jantx1n6336dus	ear99	8541.10.0050	1									1.4 V @ 1 a		50 Na @ 25 V									33 v	40オーム
1n4619ur/tr	3.4500	RFQ	7792	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	286									1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v									3 v	1600オーム
Jan1N6485	-	RFQ	3837	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1.5 w	DO-41	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1									1.5 V @ 1 a		50 µA @ 1 V									3.3 v	10オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²