画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | テスト条件 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jantxv1n978c-1/tr | 11.8769 | ![]() | 6237 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n978c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 39 v | 51 v | 125オーム | |||||||||||||||||||||
CDLL5525 | 6.4800 | ![]() | 6098 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5525 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 6.2 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||
jantxv1n4123-1/tr | 8.1662 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4123-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 29.7 v | 39 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||
CDLL5544B | 6.4800 | ![]() | 1294 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5544 | 500 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 25.2 v | 28 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||
CDLL5939D | 11.7300 | ![]() | 5768 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5939 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 29.7 v | 39 v | 45オーム | ||||||||||||||||||||
jan1n5529c-1/tr | 12.6749 | ![]() | 6515 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5529c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 8.2 v | 9.1 v | 45オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n967cur-1/tr | 10.2410 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n967cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 14 V | 18 v | 21オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n4103ur-1 | 5.7000 | ![]() | 6278 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4103 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 7 V | 9.1 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | jans1n4970c | 299.3502 | ![]() | 7952 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4970c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n5822/tr | 187.0500 | ![]() | 1534 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/620 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | ショットキー | b 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n5822/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||||||||
Jan1N827-1 | 6.6900 | ![]() | 8754 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N827 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5928E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 5966 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ5928 | 3 W | do-214ac(smaj) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム | |||||||||||||||||||
![]() | cdll5541c/tr | 12.3900 | ![]() | 1882年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5541C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 19.8 v | 22 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4964us/tr | 9.3600 | ![]() | 8329 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4964us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 4オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5542DUR-1 | 16.2000 | ![]() | 7690 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-1N5542DUR-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 21.6 v | 24 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4484dus/tr | 49.7250 | ![]() | 6655 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantx1n4484dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 49.6 v | 62 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5358AE3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 2218 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5358 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 15.8 v | 22 v | 3.5オーム | |||||||||||||||||||
APT102GA60L | 14.5900 | ![]() | 7167 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT102 | 標準 | 780 w | to-264 [l] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V、62A 、4.7OHM、15V | pt | 600 V | 183 a | 307 a | 2.5V @ 15V 、62a | 1.354MJ (オン)、1.614MJ | 294 NC | 28ns/212ns | |||||||||||||||
![]() | 1N4753CE3/TR13 | 1.1700 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4753 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4753CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 8497 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4753 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 50オーム | |||||||||||||||||||
![]() | jan1n971cur-1/tr | 10.2410 | ![]() | 6464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n971cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||||||||||
1N6661US/TR | 16.1400 | ![]() | 9177 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/587 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | a sq-melf | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N6661US/TR | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 225 v | 1 V @ 400 Ma | 50 Na @ 225 v | -65°C〜175°C | - | |||||||||||||||||||||
jantx1n6322c | 44.4750 | ![]() | 5074 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6322c | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n647ur-1/tr | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/240 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | 標準 | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n647ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 400 Ma | -65°C〜175°C | 400mA | - | ||||||||||||||||||||
![]() | jan1n5809urs/tr | 17.6250 | ![]() | 3599 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/477 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | B、sq-melf | - | 150-jan1n5809urs/tr | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N5536CUR-1 | 37.0200 | ![]() | 7938 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5536 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 14.4 v | 16 v | 100オーム | |||||||||||||||||||
![]() | S2005 | 33.4500 | ![]() | 5983 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 標準 | do-203aa | - | 影響を受けていない | 150-S2005 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3595 | 2.7150 | ![]() | 7844 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 軸 | 標準 | 軸 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N3595 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 125 v | 1 V @ 200 mA | 3 µs | 1 Na @ 125 v | -65°C〜150°C | 200mA | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1n5187us/tr | 9.4000 | ![]() | 8882 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | 標準 | e-melf | - | 103 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.5 V @ 9 a | 200 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5353AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5353 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 11.5 v | 16 v | 2.5オーム |
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