画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N5239 | 50.5950 | ![]() | 2418 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-2N5239 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n4946 | 11.2200 | ![]() | 8023 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/359 | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 1N4946 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n750aur-1/tr | 4.0831 | ![]() | 1088 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n750aur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 19オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4371A | 2.6550 | ![]() | 8894 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4371 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N4371ams | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n3041b-1 | 9.2700 | ![]() | 8255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3041 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 56 v | 75 v | 175オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2920 | 36.3090 | ![]() | 7721 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/355 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N2920 | 350MW | to-78-6 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30ma | 10µa(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 300MV @ 100µA、1MA | 300 @ 1MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4759CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 8977 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4759 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS751A-1/TR | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS751A-1/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JTXM19500/469-04 | 464.1150 | ![]() | 5798 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | JTXM19500 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n7054ur-1 | 162.9150 | ![]() | 4052 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5526/tr | 5.9052 | ![]() | 4117 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5526/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5.5 v | 6.8 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTDF400AK170G | 212.9600 | ![]() | 2524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | LP4 | APTDF400 | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1700 v | 480a | 2.5 V @ 400 a | 572 ns | 750 µA @ 1700 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n4745aur/tr | 3.6200 | ![]() | 4422 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 16オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST3040C | 63.3000 | ![]() | 6406 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-204aa、to-3 | ST3040 | 標準 | to-204aa | - | 影響を受けていない | 150-st3040c | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 15a | 1.2 V @ 15 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜200°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5943AE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5943 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans1n4962cus/tr | 368.3100 | ![]() | 2561 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jans1n4962cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 a | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 3.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n968c-1 | 8.9100 | ![]() | 8792 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N968 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jans1n6334d | 350.3400 | ![]() | 7796 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jans1n634d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 21 V | 27 v | 27オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75GN60BDQ2G | 10.1200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT75GN60 | 標準 | 536 w | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-apt75gn60bdq2g | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、75a、1OHM、15V | 25 ns | トレンチフィールドストップ | 600 V | 155 a | 225 a | 1.85V @ 15V 、75a | 2.5MJ (オン)、2.14MJ | 485 NC | 47ns/385ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n4470d | 27.7200 | ![]() | 5483 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4470 | 1.5 w | DO-41 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 mA | 50 Na @ 12.8 v | 16 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC750SMA170B4 | 5.6100 | ![]() | 137 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-MSC750SMA170B4 | ear99 | 8541.29.0095 | 90 | nチャネル | 1700 v | 7a(tc) | 20V | 940mohm @ 2.5a 、20V | 3.25V @ 100µA | 11 NC @ 20 V | +23V、-10V | 184 pf @ 1360 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5522bur-1 | 7.8600 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5522 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34160 | 39.0750 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | S34 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | S341 | 標準 | DO-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.15 V @ 90 a | 10 µA @ 1600 v | -65°C〜200°C | 45a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5927B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 9827 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5927 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 6.5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
janhca1n4566a | 8.4300 | ![]() | 1251 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-janhca1n4566a | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5940CPE3/TR8 | 1.2000 | ![]() | 3175 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5940 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n6320cus | 39.1350 | ![]() | 4525 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6320 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANKCA1N4105 | - | ![]() | 6306 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankca1n4105 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 8.44 v | 11 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | apt30d20bg | 2.9500 | ![]() | 363 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | APT30D20 | 標準 | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 30 a | 24 ns | 250 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5550 | 9.6300 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/420 | バルク | アクティブ | 穴を通して | b 、軸 | 1N5550 | 標準 | b 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 5a | - |
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