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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
1N4682/tr	4.1250	RFQ	4279	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4682/tr	ear99	8541.10.0050	230															1.5 V @ 100 MA	1 µA @ 1 V							2.7 v
1N5365C/TR8	3.3900	RFQ	9042	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5365		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000															1.2 V @ 1 a	500 NA @ 25.9 v							36 v	11オーム
CD4691	2.3408	RFQ	5146	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4691	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 mA	10 µA @ 5 V							6.2 v
Jan2N930	9.3898	RFQ	9534	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/253	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ		穴を通して	to-206aa	2N930		300 MW	TO-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				45 v	30 Ma	2NA			npn	1V @ 500µA 、10ma	100 @ 10µA 、5V	-
jantx1n751aur-1	4.3050	RFQ	7682	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C（タタ		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V							5.1 v	14オーム
jantxv1n5545c-1/tr	20.8544	RFQ	8994	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5545c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 27 V							30 V	100オーム
jans1n5310-1	99.8700	RFQ	5218	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5310		500MW	DO-7	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																													100V	3.63MA	2.35V
1N5372CE3/TR12	3.3900	RFQ	1342	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5372		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 1 a	500 NA @ 44.6 v							62 v	42オーム
jantxv1n3823dur-1	62.0400	RFQ	6681	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3823		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA	25 µA @ 1 V							3.9 v	9オーム
jankca1n4135d	-	RFQ	5575	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4135d	ear99	8541.10.0050	100															1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 76 v							100 V	1500オーム
jantxv2n5152	15.4945	RFQ	6142	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5152		1 W	to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				80 v	2 a	50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
R4240	102.2400	RFQ	9841	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	DO-205AA		標準、逆極性		do-205aa	-			影響を受けていない	150-R4240	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												400 V	1.2 V @ 200 a	50 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	125a	-
Jan1n3023bur-1	12.7350	RFQ	7176	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3023		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 9.9 v							13 v	10オーム
jan1n4970c	14.9250	RFQ	5214	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸	1N4970		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a	2 µA @ 25.1 v							33 v	10オーム
2N2369A	3.9600	RFQ	559	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-206aa	2N2369		360 MW	TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2N2369ams	ear99	8541.21.0095	1																				15 V		400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
Jan2N6032	401.1280	RFQ	6595	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/528	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C（タタ		穴を通して	to-204aa、to-3			140 w	to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				90 v	50 a	25ma			npn		10 @ 50a 、2.6V	-
aptm10dskm19t3g	64.0200	RFQ	2124	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ		シャーシマウント	SP3	APTM10	モスフェット（金属酸化物）	208W	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）			100V	70a		21mohm @ 35a 、10V	4V @ 1MA	200NC @ 10V		5100pf @ 25V	-
Jan1n4128d-1	13.1400	RFQ	5875	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4128			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 45.6 v							60 V	400オーム
cdll6677/tr	6.4050	RFQ	4803	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				表面マウント	DO-213AA		ショットキー		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll6677/tr	ear99	8541.10.0050	1		高速回復= <500ns												40 v	650 mV @ 500 Ma	10 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	50pf @ 0V、1MHz
CD5271	1.6350	RFQ	2729	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD5271	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 76 v							100 V	500オーム
jantx1n4571aur-1/tr	6.7950	RFQ	3583	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4571aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																2 µA @ 3 V							3 v	100オーム
APT60M75L2FLLG	50.6400	RFQ	3148	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT60M75	モスフェット（金属酸化物）		264 MAX™[L2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	600 V	73a（tc）	10V	75mohm @ 36.5a 、10V	5V @ 5MA	195 NC @ 10 V	±30V	8930 PF @ 25 V	-	893W
JANTX2N3500L	14.4704	RFQ	3485	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3500		1 W	to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				150 v	300 Ma	10µa（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
R2560	33.4500	RFQ	6383	マイクロチップテクノロジー	R25	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa	R2560	標準、逆極性		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												600 V	1.1 V @ 30 a	10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C	25a	-
jans1n4959cus	462.0150	RFQ	2323	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-jans1n4959cus	ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a	10 µA @ 8.4 v							11 v	2.5オーム
Jan1n3032cur-1/tr	29.0339	RFQ	6791	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3032cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 25.1 v							33 v	45オーム
jantx1n7048-1/tr	9.0450	RFQ	9784	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n7048-1/tr	ear99	8541.10.0050	1
jantx1n4966	7.7400	RFQ	7836	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸	1N4966		5 W		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a	2 µA @ 16.7 v							22 v	5オーム
jantx1n6312d	39.7950	RFQ	3372	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6312		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 a	5 µA @ 1 V							3.3 v	27オーム
JANTX1N4975US	9.6150	RFQ	9004	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e	1N4975		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 a	2 µA @ 38.8 v							51 v	27オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²