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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比条件	Q @ vr、f
MSASC25W80KS/TR	-	RFQ	7328	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-			影響を受けていない	150-MSASC25W80KS/TR			100
janhca1n5546b	6.7564	RFQ	2893	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n5546b	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 29.7 v									33 v	100オーム
689-1	280.3200	RFQ	2158	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	nd	689-1	標準		nd	ダウンロード			影響を受けていない	150-689-1	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns								1独立	100 V	15a	1.2 V @ 10 a	500 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
janhca1n4118c	-	RFQ	6229	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4118c	ear99	8541.10.0050	100													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 20.45 v									27 v	150オーム
1N5248bur-1e3/tr	2.8728	RFQ	7254	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5248bur-1e3/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V									18 v	21オーム
1N5230A	2.7150	RFQ	3267	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5230		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 mA		50 µA @ 1.9 v									4.7 v	19オーム
Jan1N6764	-	RFQ	1241	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-254-3		標準		TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									150 v		1.05 V @ 12 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-	12a	300pf @ 5V、1MHz
1n750c/tr	4.5000	RFQ	4645	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N750C/TR	ear99	8541.10.0050	211													1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V									4.7 v	19オーム
CDLL5522B	6.9300	RFQ	6530	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5522		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V									4.7 v	22オーム
APT60DQ60SG	3.5100	RFQ	9907	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-268-3	APT60DQ60	標準		d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt60dq60sg	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns											2.4 V @ 60 a	35 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	60a	-
jantx1n4246/tr	4.7100	RFQ	2604	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/286	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4246/tr	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									400 V		1.3 V @ 3 a	5 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N719A	1.9200	RFQ	8335	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N719		250 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															50 Na @ 12.2 v									16 v	15オーム
janhca1n965b	8.5785	RFQ	3926	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	do-7 （do-204aa）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n965b	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v									15 V	16オーム
jantx1n4569aur-1	93.0000	RFQ	2049	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V									6.4 v	100オーム
jan1n751cur-1/tr	10.2410	RFQ	8089	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n751cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V									5.1 v	17オーム
jantx1n4121c-1/tr	12.3557	RFQ	8054	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4121c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 25.1 v									33 v	200オーム
KV1913A-150A	-	RFQ	4577	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-KV1913A-150ATR	ear99	8541.10.0040	1																		6.2PF @ 8V、1MHz			シングル	12 v								-	400 @ 4V、50MHz
Jan1n4973c	14.9250	RFQ	5680	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4973		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 32.7 v									43 v	20オーム
CDLL4462	11.3550	RFQ	9131	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4462		1.5 w	DO-213AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 mA		1 µA @ 4.5 v									7.5 v	2.5オーム
1N3024bur-1	15.3000	RFQ	3865	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	1N3024		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 11.4 v									15 V	14オーム
1n4108ur/tr	3.5245	RFQ	8587	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4108ur/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.65 v									14 v	200オーム
jantx1n6327cus/tr	67.3500	RFQ	3610	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantx1n6327cus/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.4 V @ 1 a		50 Na @ 9.9 v									13 v	8オーム
cdll5236b/tr	2.7132	RFQ	7791	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5236b/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 6 V									7.5 v	6オーム
R3860	33.7950	RFQ	2626	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					R3860				-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1
Jan2N6298	29.8984	RFQ	6443	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/540	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N6298		64 W	to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			60 V	8 a			500µA			pnp-ダーリントン	2V @ 80ma 、8a	750 @ 4a、3V	-
jantxv1n6354d	-	RFQ	4096	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		50 Na @ 137 v									180 v	1500オーム
jantxv1n3042d-1/tr	32.2392	RFQ	6614	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3042d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 62.2 v									82 v	200オーム
JANKCA1N964B	-	RFQ	1392	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n964b	ear99	8541.10.0050	100													1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 9.9 v									13 v	13オーム
CD5534BSBW	-	RFQ	1771	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD5534BSBW	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 mA		10 Na @ 12.6 v									14 v	100オーム
MSCSM170AM039CT6AG	1.0000	RFQ	8001	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM170	炭化シリコン（原文）	2.4KW	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170AM039CT6AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）		1700V（1.7kV）	523a	5mohm @ 270a 、20V	3.3V @ 22.5MA	1602NC @ 20V	29700pf @ 1000V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²