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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1N5921BPE3/TR8	0.9450	RFQ	2737	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5921		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500												1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 5.2 v									6.8 v	2.5オーム
CDLL5545D	16.2000	RFQ	7108	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5545D	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 27 V									30 V	100オーム
jan1n4974dus/tr	29.6100	RFQ	5661	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jan1n4974dus/tr	ear99	8541.10.0050	100												1.5 V @ 1 a	2 µA @ 35.8 v									47 v	25オーム
SMBG5357B/TR13	2.2500	RFQ	4175	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5357		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 1 a	500 NA @ 14.4 v									20 v	3オーム
SMBG5383BE3/TR13	1.1400	RFQ	3031	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMBG5383		5 W	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 1 a	500 NA @ 108 V									150 v	330オーム
MSCDC50H1201AG	103.8400	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCDC50	シリコンカーバイドショットキー		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCDC50H1201AG	ear99	8541.10.0080	1												1.8 V @ 50 a	200 µA @ 1700 v		50 a				単相	1.2 kv
1N5949D	8.2950	RFQ	4787	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N5949		1.25 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 76 v									100 V	250オーム
jansh2n2218al	283.9200	RFQ	9370	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW	to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansh2n2218al			1																	50 v	800 Ma			10na				npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
Jan1n3040c-1/tr	15.5078	RFQ	4631	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3040c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 51.7 v									68 v	150オーム
1N3346A	49.3800	RFQ	5970	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3346		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 10 a	10 µA @ 114 v									150 v	75オーム
jan1n6337dus/tr	49.8450	RFQ	9732	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jan1n6337dus/tr	ear99	8541.10.0050	100												1.4 V @ 1 a	50 Na @ 27 V									36 v	50オーム
Jan1n3034bur-1	12.7350	RFQ	1177	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3034		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 29.7 v									39 v	60オーム
1N3305ra	49.3800	RFQ	7678	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3305		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 10 a	300 µA @ 4.5 v									6.8 v	0.2オーム
2N6581	110.9100	RFQ	5821	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			125 w	TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6581	ear99	8541.29.0095	1																	450 v	10 a			-				PNP	1.5V @ 500µA、3MA	-	-
1 PMT4099E3/TR7	0.5400	RFQ	4934	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4099		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.1 V @ 200 mA	10 µA @ 5.17 v									6.8 v	200オーム
JANKCA1N4127C	-	RFQ	9422	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4127c	ear99	8541.10.0050	100												1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 42.6 v									56 v	300オーム
SMBJ5374C/TR13	2.1900	RFQ	9530	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5374		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 1 a	500 NA @ 54 v									75 v	45オーム
jans1n6635c	-	RFQ	3589	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	E 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 1 a	25 µA @ 1 V									4.3 v	2オーム
jantxv1n3043dur-1	56.9100	RFQ	9403	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N3043		1 W	do-213ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 69.2 v									91 v	250オーム
1N972B-1	2.0700	RFQ	4165	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 21 V									27 v	49オーム
1 PMT4134/TR13	0.9600	RFQ	5070	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4134		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000												1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 69.16 v									91 v	250オーム
GC4270-150A	-	RFQ	5684	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C		死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC4270-150ATR			1			10 Ma													0.06pf @ 10V、1MHz			ピン -シングル	70V				1.5OHM @ 20MA、1GHz
UT3010	9.2550	RFQ	9937	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		標準		b	-			影響を受けていない	150-UT3010	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									100 V	1 V @ 2 a	5 µA @ 100 V	-195°C〜175°C	3a	-
jantxv1n5531bur-1/tr	17.4629	RFQ	6893	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5531bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 9.9 v									11 v	80オーム
jantxv1n5539cur-1/tr	44.0363	RFQ	9316	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5539cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 17.1 v									19 v	100オーム
Jan1n3039d-1/tr	19.3515	RFQ	9143	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3039d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 47.1 v									62 v	125オーム
JANTX2N5664P	25.2301	RFQ	6800	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2			2.5 W	to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-jantx2n5664p			1																	200 v	5 a			200na				npn	400MV @ 300MA、3a	40 @ 1a 、5V	-
1N5353BE3/TR13	0.9900	RFQ	2943	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5353		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,250												1.2 V @ 1 a	1 µA @ 11.5 v									16 v	2.5オーム
MSCM20AM058G	400.8200	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	-	箱	アクティブ		-	シャーシマウント	モジュール	MSCM20	モスフェット（金属酸化物）	-	LP8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCM20AM058G	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			200V	280a	-	-	-	-	-
1N5820USE3/TR	16.9500	RFQ	5335	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		ショットキー		B、sq-melf	-							100		高速回復= <500ns									20 v	500 mV @ 3 a	100 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	3a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²