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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
1N3325A	49.3800	RFQ	6667	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3325		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 10 a		10 µA @ 25.1 v							33 v	3.2オーム
1 PMT5950/TR7	2.2200	RFQ	2563	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-55°C〜150°C		表面マウント	DO-216AA	1PMT5950		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 83.6 v							110 v	300オーム
jantx1n3993ra	-	RFQ	6936	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 2 a		100 µA @ 500 mV							3.9 v	2オーム
Jan2N1482	-	RFQ	3135	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/207	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）		穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																	55 v	1.5 a	5µa（icbo）			npn	750mv @ 10ma 、200ma	35 @ 200MA 、4V	-
DD6104A-HL/TR	-	RFQ	2508	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-dd6104a-hl/tr			1
JANTX1N5533DUR-1	47.2200	RFQ	1114	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5533		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 11.7 v							13 v	90オーム
jansm2n3636ub	-	RFQ	1740	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし			1.5 w	ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																	175 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
BZV55C56	2.9400	RFQ	8880	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±7％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	BZV55C56			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 39.2 v							56 v
jantx1n5554	8.2000	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/420	バルク	アクティブ				穴を通して	b 、軸	1N5554	標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns									1000 V	1.3 V @ 9 a	2 µs	2 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	5a	-
JANTX1N4107CUR-1	20.4900	RFQ	3774	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4107		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 9.9 v							13 v	200オーム
jantxv2n3996	151.6998	RFQ	2896	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/374	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド			2 W	TO-111	-			影響を受けていない	2266-jantxv2n3996	ear99	8541.29.0095	1																	80 v	10 µA	10µA			npn	2V @ 500MA 、5a	40 @ 1a 、2V	-
Jan1n963d-1	27.3600	RFQ	1325	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N963		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v							12 v	11.5オーム
janhca1n4623d	-	RFQ	2534	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4623d	ear99	8541.10.0050	100											1.1 V @ 200 mA		4 µA @ 2 V							4.3 v	1600オーム
1n4685ur-1/tr	5.2400	RFQ	7938	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	186											1.5 V @ 100 MA		7.5 µA @ 2 V							3.6 v
jantxv2n5796u/tr	143.1479	RFQ	7577	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/496	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C		表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5796		600MW	6-SMD	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n5796u/tr	ear99	8541.21.0095	1																	60V	600MA	10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
CDLL985A	2.9400	RFQ	5391	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL985		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 76 v							100 V	500オーム
jan1n6335c	39.6300	RFQ	9046	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jan1n6335c	ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		50 Na @ 23 V							30 V	32オーム
1N4625-1/TR	2.4871	RFQ	6960	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4625-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V							5.1 v	1500オーム
jantx1n6320d	39.7950	RFQ	2533	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6320		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 a		2 µA @ 4 V							6.8 v	3オーム
jantxv1n978dur-1	24.2250	RFQ	5304	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N978		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 39 v							51 v	125オーム
jantx1n992bur-1	-	RFQ	5037	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 152 v							200 v	2500オーム
jantx1n4148-1	0.8600	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/116	バルク	アクティブ				穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4148	標準		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度									75 v	1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4PF @ 0V、1MHz
APT50M85JVFR	46.0700	RFQ	6166	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ				シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT50M85	モスフェット（金属酸化物）		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	500 V	50a（tc）	85mohm @ 500ma 、10V	4V @ 1MA	535 NC @ 10 V	10800 PF @ 25 V	-
jantxv1n5304-1	36.4050	RFQ	7278	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5304		500MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1																										100V	1.98ma	1.75V
1N4574A-1/TR	29.5200	RFQ	4838	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4574A-1/TR	ear99	8541.10.0050	1													2 µA @ 3 V							6.4 v	100オーム
jan1n4993cus/tr	37.5000	RFQ	3120	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jan1n4993cus/tr	ear99	8541.10.0050	100											1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v							300 V	950オーム
jan1n4984us/tr	13.1700	RFQ	5450	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jan1n4984us/tr	ear99	8541.10.0050	100											1.5 V @ 1 a		2 µA @ 91.2 v							120 v	170オーム
CD4110	1.3699	RFQ	9502	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4110	ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 200 mA		50 Na @ 12.15 v							16 v	100オーム
1N5348E3/TR12	2.6250	RFQ	9359	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C		穴を通して	T-18 、軸	1N5348		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 a		5 µA @ 8 V							11 v	2.5オーム
jantxv1n4129-1/tr	8.1662	RFQ	5578	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4129-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 47.1 v							62 v	500オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²