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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
1N4589R	102.2400	RFQ	8746	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	DO-205AA		標準、逆極性		do-205aa	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4589R	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns												300 V	1.1 V @ 200 a		50 µA @ 300 V	-65°C〜200°C	150a	-
jantxv1n7052ur-1/tr	12.9750	RFQ	8016	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n7052ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1
jantx1n5551/tr	6.5700	RFQ	8247	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/420	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				穴を通して	b 、軸		標準		b 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5551/tr	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns												400 V	1.2 V @ 9 a	2 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	5a	-
jans1n6350c	358.7400	RFQ	9840	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jans1n6350c	ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 a		50 Na @ 91 v									120 v	600オーム
jantx1n1204a	69.5850	RFQ	1062	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/260	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa	1N1204	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												400 V	2.3 V @ 240 a		5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	12a	-
2N918	14.6300	RFQ	4353	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C		穴を通して	to-206af、to-72-4金属缶	2N918		200 MW	to-72	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N918ms	ear99	8541.21.0095	1																				15 V	50 Ma			1µa（icbo）				npn	400MV @ 1MA 、10MA	20 @ 10ma 、10V	-
jan1n6314c	24.3300	RFQ	7221	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6314		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V									3.9 v	23オーム
CDS5538bur-1	-	RFQ	7768	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-CDS5538bur-1	ear99	8541.10.0050	50
2N3622	547.4100	RFQ	7452	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-		スタッドマウント	TO-211MA			30 W	to-61	-			影響を受けていない	150-2N3622	ear99	8541.29.0095	1																				40 v	5 a			-				PNP	-	-	-
jan1n4977/tr	5.9451	RFQ	3079	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	E 、軸			5 W		-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4977/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 a		2 µA @ 47.1 v									62 v	42オーム
1N4770A	-	RFQ	7527	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	±5％	-55°C〜100°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																									9.1 v	200オーム
jan1n4493dus/tr	33.6000	RFQ	8608	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jan1n4493dus/tr	ear99	8541.10.0050	100														1.5 V @ 1 a		250 NA @ 120 V									150 v	700オーム
1N4625-1E3	2.8050	RFQ	9055	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4625		500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V									5.1 v	1500オーム
jantx1n4123-1	5.3550	RFQ	8483	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4123		500 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 29.7 v									39 v	200オーム
cdll5304/tr	25.2900	RFQ	2994	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	CDLL53		500MW	do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5304/tr	ear99	8541.10.0050	1																																100V	1.98mA	1.75V
APT40M35JVR	70.1500	RFQ	7	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT40	モスフェット（金属酸化物）		SOT-227	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt40m35jvr	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	400 V	93a（tc）	10V	35mohm @ 46.5a 、10V	4V @ 5MA	1065 NC @ 10 V	±30V	20160 PF @ 25 V	-	700W
jan2n918ub	22.4105	RFQ	5698	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/301	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、非標準	2N918		200 MW		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				15 V	50 Ma			1µa（icbo）				npn	400MV @ 1MA 、10MA	20 @ 3MA、1V	-
jan2n3725ub	-	RFQ	5417	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）		表面マウント	4-SMD 、リードなし				ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				50 v	500 Ma			-				npn	-	-	-
R42120	102.2400	RFQ	7998	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	DO-205AA		標準、逆極性		do-205aa	-			影響を受けていない	150-R42120	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns												1200 v	1.2 V @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65°C〜200°C	125a	-
2N6286	63.2016	RFQ	5673	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜175°C		穴を通して	to-204aa、to-3	2N6286		175 w	to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N6286ms	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	20 a			1ma				pnp-ダーリントン	3V @ 200MA 、20a	1500 @ 1a、3V	-
MSC035SMA070B	15.0500	RFQ	5081	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C		穴を通して	TO-247-3	MSC035	sicfet （炭化シリコン）		TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	700 V	77a（tc）	20V	44mohm @ 30a 、20V	2.7V @ 2MA	99 NC @ 20 V	+25V、-10V	2010 PF @ 700 v	-	283W
dr7429/tr	-	RFQ	6834	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-DR7429/tr			1
UZ7740	468.9900	RFQ	4991	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-			影響を受けていない	150-UZ7740	ear99	8541.10.0050	1																10 µA @ 30.4 v									40 v	15オーム
1N4906A	92.1150	RFQ	8898	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜100°C		穴を通して	DO-204AA	1N4906		400 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																									12.8 v	100オーム
1N4130UR	3.7950	RFQ	2659	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4130		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 51.68 v									68 v	700オーム
1N986B	2.0700	RFQ	1026	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA	1N986		500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 83.6 v									110 v	750オーム
jantx1n6323cus	46.3350	RFQ	3767	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6323		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 a		1 µA @ 7 V									9.1 v	6オーム
jantxv1n6631	-	RFQ	5995	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/590	バルク	sicで中止されました				穴を通して	E 、軸		標準		e-pak	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												1100 v	1.6 V @ 1.4 a	60 ns	4 µA @ 1100 v	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V、1MHz
GC4731-150C	-	RFQ	6944	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C			死ぬ				チップ	-			影響を受けていない	150-GC4731-150ctr	ear99	8541.10.0040	1												2 W							0.1pf @ 6V、1MHz			ピン -シングル	15V				2OHM @ 10MA 、100MHz
2N3499UB	27.9450	RFQ	7640	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	ub	-			影響を受けていない	150-2N3499UB	ear99	8541.29.0095	1																				100 V	500 Ma			10µa（icbo）				npn	600MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²