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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	VGS （最大）	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
janhca1n4131d	-	RFQ	1177	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	-			影響を受けていない	150-janhca1n4131d	ear99	8541.10.0050	100											1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 57 v							75 v	700オーム
CD6324	2.1014	RFQ	8166	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-	表面マウント	死ぬ					死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD6324	ear99	8541.10.0050	1
jansr2N3636	-	RFQ	2656	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50														175 v	10 µA		10µA					PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
jantxv2n3635ub	-	RFQ	3206	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1.5 w		3-SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														140 v	1 a		10µA					PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
jantx1n5535cur-1/tr	33.9815	RFQ	7506	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n5535cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 13.5 v							15 V	100オーム
1N5929CPE3/TR12	1.2000	RFQ	3638	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5929		1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000											1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 11.4 v							15 V	9オーム
cdll4776/tr	36.6600	RFQ	9332	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	0°C〜75°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4776/tr	ear99	8541.10.0050	1												10 µA @ 6 V							8.5 v	200オーム
jantxv1n4110ur-1	11.2500	RFQ	3323	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4110		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 12.2 v							16 v	100オーム
Jan2N1479	-	RFQ	5192	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-S-19500/207	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														40 v	1.5 a		5µa（icbo）					npn	750MV @ 20MA 、200mA	20 @ 200ma 、4V	-
jantxv1n5969cus/tr	-	RFQ	4777	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N5969		5 W		e-melf	ダウンロード				150-jantxv1n5969cus/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 a	1 MA @ 4.74 v							6.2 v	1オーム
MIC94053YC6TR	-	RFQ	8558	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363		モスフェット（金属酸化物）			SC-70-6	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	676		pチャネル	6 v	2a（ta）	1.8V 、4.5V	84mohm @ 100ma 、4.5v	1.2V @ 250µA	-6V	-	270MW
2N5039	47.5209	RFQ	9915	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5039		140 w		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														75 v	20 a		1µA					npn	2.5V @ 5a 、20a	30 @ 2a 、5V	-
APTGF150A120TG	-	RFQ	2111	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SP4			961 w	標準	SP4	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ												npt	1200 v	200 a	3.7V @ 15V 、150a	350 µA	はい			10.2 nf @ 25 v
Jan2N6546	-	RFQ	2219	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/525	バルク	sicで中止されました		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			175 w		to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														300 V	15 a		-					npn	5V @ 3a 、15a	12 @ 5a 、2V	-
aptgt200dh120g	249.9100	RFQ	5392	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt200		890 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ												トレンチフィールドストップ	1200 v	280 a	2.1V @ 15V 、200A	350 µA	いいえ			14 nf @ 25 v
2N3498ub	27.9450	RFQ	7189	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		ub	-			影響を受けていない	150-2N3498UB	ear99	8541.29.0095	1														100 V	500 Ma		10µa（icbo）					npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
1N5276	3.1950	RFQ	8790	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5276	ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 108 V							150 v	1500オーム
1N6028B	2.7750	RFQ	6791	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6028		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	100 Na @ 114 v							150 v	1250オーム
CDLL5923D	11.7300	RFQ	8415	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5923		1.25 w		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 6.5 v							8.2 v	3.5オーム
1N5542C/TR	11.5500	RFQ	2880	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5542C/TR	ear99	8541.10.0050	100											1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 21.6 v							24 v	100オーム
1n5527b/tr	1.7689	RFQ	2483	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5527B/TR	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 6.8 v							7.5 v	35オーム
jantxv1n4125cur-1/tr	25.6690	RFQ	5876	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4125cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 35.8 v							47 v	250オーム
jans2n6989	181.3306	RFQ	7641	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/559	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	14-dip （0.300 "、7.62mm）	2N6989		1.5W		TO-116	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														50V	800mA		10µa（icbo）					4 npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
1N3033B-1/TR	7.4214	RFQ	5064	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3033		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3033B-1/TR	ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 27.4 v							36 v	50オーム
1N6029A	2.5950	RFQ	5363	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6029		500 MW		DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	100 Na @ 99 v							160 v	2000年
S34110	49.0050	RFQ	1228	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-S34110			1
jantxv1n5528bur-1/tr	17.2900	RFQ	7354	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5528bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	500 na @ 7.5 v							8.2 v	40オーム
1N5247bur-1/tr	3.0200	RFQ	8345	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-					ear99	8541.10.0050	658											1.1 V @ 200 mA	100 Na @ 13 V							17 v	19オーム
jans1n4131d-1/tr	94.7000	RFQ	6863	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4131d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 57 v							75 v	700オーム
2N3506U4	135.1050	RFQ	3543	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-			影響を受けていない	150-2N3506U4	ear99	8541.29.0095	1														40 v	3 a		1µA					npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	50 @ 500MA、1V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²