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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
UES1003SM/TR	24.3450	RFQ	9066	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-US1003SM/TR	ear99	8541.10.0080	1
jan1n2970b	-	RFQ	1807	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/124	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa			10 W	do-213aa	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 a		150 µA @ 5.2 v							6.8 v	1.2オーム
SMBJ4753/TR13	0.8700	RFQ	6760	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4753		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 27.4 v							36 v	50オーム
BZV55C6V8/TR	2.7664	RFQ	6111	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-BZV55C6V8/TR	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 4 V							6.8 v
Jan1n747d-1/tr	5.8919	RFQ	6848	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n747d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V							3.6 v	24オーム
SMBJ5364AE3/TR13	0.8100	RFQ	6503	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5364		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 23.8 v							33 v	10オーム
1N5918AP/TR8	1.8600	RFQ	1383	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5918		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V							5.1 v	4オーム
Jan1n964d-1/tr	5.5328	RFQ	9327	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n964d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v							13 v	13オーム
jans2N5153	67.8904	RFQ	2469	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1									80 v	50 µA	50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
1N1205	34.7100	RFQ	5929	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N1205	標準		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	500 V	1.2 V @ 30 a		10 µA @ 500 V	-65°C〜200°C	12a	-
1N5356BE3/TR12	2.6850	RFQ	1813年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5356		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 a		500 NA @ 13.7 v							19 v	3オーム
jans1n4993cus/tr	268.1550	RFQ	3729	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jans1n4993cus/tr	ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 a		2 µA @ 228 v							300 V	950オーム
jantxv1n6332c	37.5300	RFQ	9319	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-jantxv1n6332c	ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 17 V							22 v	20オーム
jantx1n4470dus/tr	35.3550	RFQ	1076	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jantx1n4470dus/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 a		50 Na @ 12.8 v							16 v	10オーム
JANTX1N3294	-	RFQ	6251	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/246	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	800 V	1.55 V @ 310 a		10 mA @ 800 v	-65°C〜200°C	100a	-
1N6335	8.4150	RFQ	6249	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6335		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 23 V							30 V	32オーム
Jansr2N5151U3	229.9812	RFQ	7770	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1.16 w	U3	-			影響を受けていない	150-Jansr2N5151U3			1									80 v	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
1N5249B	2.0700	RFQ	1608	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5249		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5249bms	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V							19 v	23オーム
1N1204BR	34.7100	RFQ	1279	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa	1N1204	標準、逆極性		DO-4 （DO-203AA）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	400 V	1.2 V @ 30 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	12a	-
1N4735PE3/TR8	0.9150	RFQ	9434	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4735		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V							6.2 v	2オーム
1N3048B-1/TR	7.4214	RFQ	3755	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115N	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-13	1N3048		1 W	do-13（do-202aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N3048B-1/TR	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 114 v							150 v	1000オーム
1 PMT4126/TR13	0.9600	RFQ	6278	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4126		1 W	DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 38.76 v							51 v	250オーム
1N4772	101.2800	RFQ	9538	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	0°C〜75°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4772		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												9.1 v	200オーム
jans1n6352cus	-	RFQ	7938	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 114 v							141 v	1000オーム
Jan1n4111c-1	10.5000	RFQ	4605	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4111			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13 V							17 v	100オーム
jan1n4473c	20.3700	RFQ	9460	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4473		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 mA		50 Na @ 17.6 v							22 v	14オーム
S42100	102.2400	RFQ	1704	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	-			影響を受けていない	150-S42100	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1000 V	1.2 V @ 200 a		50 µA @ 1000 V	-65°C〜200°C	125a	-
jan1n963bur-1/tr	4.3890	RFQ	5429	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n963bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v							12 v	11.5オーム
jantx1n6628	17.5500	RFQ	2137	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/590	バルク	アクティブ			穴を通して	E 、軸	1N6628	標準			ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	660 v	1.35 V @ 2 a	30 ns	2 µA @ 660 v	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V、1MHz
1N733	1.9350	RFQ	4023	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N733		250 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												62 v	170オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²