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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
cdll821/tr	4.1400	RFQ	8927	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4.83％	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll821/tr	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.2 v	15オーム
CD4771A	12.4650	RFQ	2901	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ				死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD4771A	ear99	8541.10.0050	1												9.1 v	200オーム
1N5937bp/TR8	1.8900	RFQ	4259	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5937		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 25.1 v							33 v	33オーム
jantxv1n4496dus	56.4150	RFQ	3976	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4496dus	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		250 na @ 160 v							200 v	1500オーム
1N3156A	31.5600	RFQ	1030	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA	1N3156		500 MW	DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N3156A	ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 5.5 v							8.4 v	15オーム
JANTX1N6626U	18.1050	RFQ	4266	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/590	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a	1N6626	標準		D-5a	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	200 v	1.35 V @ 2 a	30 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜150°C	1.75a	-
jans1n6312cus	521.5050	RFQ	3253	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6312		500 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		5 µA @ 1 V							3.3 v	27オーム
1N3784	38.6100	RFQ	1391	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-		穴を通して	DO-204AA			400 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N3784	ear99	8541.10.0050	1												6.7 v	10オーム
jan1n5287-1/tr	31.6650	RFQ	9795	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/463	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5287		500MW	DO-7	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n5287-1/tr	ear99	8541.10.0070	1																		100V	363µA	1V
jantxv1n6320us/tr	19.1254	RFQ	1688	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n6320us/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		2 µA @ 5 V							6.8 v	3オーム
2N2986	27.6600	RFQ	4691	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-		穴を通して	to-205aa、to-5-3			5 W	to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N2986	ear99	8541.29.0095	1									120 v	3 a	-			PNP	1.25V @ 400µA、1MA	-	-
jan1n6320us	15.2850	RFQ	1977年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b	1N6320		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		2 µA @ 4 V							6.8 v	3オーム
APTDF430U100G	105.9808	RFQ	6076	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				シャーシマウント	LP4	APTDF430	標準		LP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1000 V	2.3 V @ 500 a	120 ns	2.5 mA @ 1000 v		500a	-
1N3172R	216.8850	RFQ	1524	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	1N3172	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N3172RMS	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	800 V	1.55 V @ 940 a		10 mA @ 800 v	-65°C〜200°C	300a	-
Jan1n4370d-1	9.3450	RFQ	1158	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4370			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V							2.4 v	30オーム
CDLL983	2.9400	RFQ	7789	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL983		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 62 v							82 v	330オーム
MSASC100H30HX/TR	-	RFQ	5437	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-			影響を受けていない	150-MSASC100H30HX/TR			100
1N1676	158.8200	RFQ	9524	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド		標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N1676	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	500 V	1.3 V @ 300 a		75 µA @ 500 V	-65°C〜190°C	275a	-
1N5806URS	32.3850	RFQ	1723	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				表面マウント	sq-melf、a		標準		a sq-melf	-			影響を受けていない	150-1N5806URS	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	160 v	875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
CDLL4732	2.4450	RFQ	8398	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4732			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V							4.7 v	8オーム
1n4108ur/tr	3.5245	RFQ	8587	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4108ur/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 10.65 v							14 v	200オーム
JANKCA1N4129C	-	RFQ	3924	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4129c	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 47.1 v							62 v	500オーム
jan1n4954dus/tr	31.5000	RFQ	4214	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jan1n4954dus/tr	ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 a		150 µA @ 5.2 v							6.8 v	1オーム
2N3250AUB/TR	32.9100	RFQ	2775	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし			360 MW	ub	-							100									60 V	200 ma	20na			PNP	500MV @ 5MA 、50mA	50 @ 10ma、1V	-
jantxv1n748d-1/tr	12.7680	RFQ	3951	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n748d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V							3.9 v	23オーム
jantx1n3828aur-1/tr	14.2310	RFQ	1680	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3828aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 3 V							6.2 v	2オーム
jantxv2n6211	-	RFQ	3390	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/461	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C（タタ		穴を通して	TO-213AA、to-66-2			3 W	to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1									225 v	5 Ma	5MA			PNP	1.4V @ 125MA、1a	30 @ 1a 、5V	-
JANKCA1N4615C	-	RFQ	5678	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-jankca1n4615c	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V							2 v	1250オーム
SMAJ5934AE3/TR13	-	RFQ	8620	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C		表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5934		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 18.2 v							24 v	19オーム
Jan1n5519b-1	5.5200	RFQ	9623	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5519		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V							3.6 v	24オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²