画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 電圧 -アノード -カソード( vak )(最大) | レギュレータ電流(最大) | 電圧 -制限(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jans1n4614-1 | 67.7000 | ![]() | 456 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4614 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n2997b | - | ![]() | 2680 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 38.8 v | 51 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | SD4145 | 63.5250 | ![]() | 3848 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | SD4145 | ショットキー | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | SD4145ms | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 45 v | 680 mV @ 30 a | 1.5 mA @ 45 v | -55°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||
![]() | jantx1n4981dus/tr | 30.9000 | ![]() | 4701 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantx1n4981dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 69.2 v | 91 v | 90オーム | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N829UR-1 | 28.2750 | ![]() | 1311 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | DO-213AA | 1N829 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | R306040F | 49.0050 | ![]() | 1966年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-R306040F | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | janhca1n5297 | - | ![]() | 4452 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/463 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 穴を通して | DO-204AA | 500MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-janhca1n5297 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1MA | 1.35V | ||||||||||||||
![]() | jantx1n3019b-1/tr | 8.9908 | ![]() | 1787 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3019b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 6.9 v | 9.1 v | 6オーム | |||||||||||||
![]() | jans1n5309ur-1 | 130.1550 | ![]() | 9616 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/463 | バルク | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N5309 | 500MW | do-213ab | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | |||||||||||||||
![]() | jans1n4111cur-1 | 97.9650 | ![]() | 3446 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 13 V | 17 v | 100オーム | |||||||||||||||
1N5230B | 2.7150 | ![]() | 7483 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5230 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N5230BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 µA @ 2 V | 4.7 v | 19オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4704UR-1/TR | 5.2400 | ![]() | 7128 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 12.9 v | 17 v | |||||||||||||||||
jan1n6350d | 49.5300 | ![]() | 8224 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-jan1n6350d | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 91 v | 120 v | 600オーム | |||||||||||||||
![]() | jan1n3823dur-1/tr | 39.5143 | ![]() | 7265 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3823dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | |||||||||||||
![]() | jans1n4624cur-1 | 165.5850 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n5538bur-1 | 14.7600 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5538 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 16.2 v | 18 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | SMBJ5370AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 9280 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ5370 | 5 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 v | 56 v | 35オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5924CE3/TR13 | - | ![]() | 1551 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5924 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 7 V | 9.1 v | 4オーム | ||||||||||||
CDLL5914B | 3.9300 | ![]() | 6621 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5914 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 9オーム | |||||||||||||
![]() | jans1n4127ur-1/tr | 45.8600 | ![]() | 2104 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4127ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 42.6 v | 56 v | 300オーム | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5925E3/TR13 | - | ![]() | 8022 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT5925 | 3 W | DO-216AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8 V | 10 v | 4.5オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5221bur-1 | 3.3750 | ![]() | 4941 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5221 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||||
jans1n4117d-1 | 101.3100 | ![]() | 2112 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 19 v | 25 v | 150オーム | |||||||||||||||
1N4906A | 92.1150 | ![]() | 8898 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜100°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N4906 | 400 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 100オーム | |||||||||||||||
UZ8810 | 22.4400 | ![]() | 7451 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | A 、軸 | 1 W | A 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ8810 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 7.2 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||||
![]() | jans1n6345 | 140.1300 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 56 v | 75 v | 180オーム | ||||||||||||||
![]() | jantx1n3331rb | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n3331rb | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 38.8 v | 50 v | 5オーム | |||||||||||||
![]() | jantxv1n5969 | - | ![]() | 2561 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | E 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2266-jantxv1n5969 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 1 MA @ 4.74 v | 6.2 v | 1オーム | |||||||||||||
![]() | CDS5187 | - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5187 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
Jan1n5535d-1 | 17.6700 | ![]() | 4553 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5535 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 13.5 v | 15 V | 100オーム |
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