画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 電圧 -アノード -カソード( vak )(最大) | レギュレータ電流(最大) | 電圧 -制限(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
jan1n4954us | 9.7950 | ![]() | 7437 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4954 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4749CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 8513 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAJ4749 | 2 W | DO-214AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4114/tr | 2.3408 | ![]() | 3912 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N4114/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.2 v | 20 v | 150オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5276bur-1 | 5.1900 | ![]() | 5603 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5276 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 114 v | 150 v | 1500オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | jan1n3345b | - | ![]() | 8975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n3345b | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 114 v | 140 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||
jan1n6320us | 15.2850 | ![]() | 1977年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6320 | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTDF430U100G | 105.9808 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | LP4 | APTDF430 | 標準 | LP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.3 V @ 500 a | 120 ns | 2.5 mA @ 1000 v | 500a | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N1344B | 45.3600 | ![]() | 4160 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203aa | 1N1344 | 標準 | DO-4 (DO-203AA) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.3 V @ 30 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||
jans1n6320c | 280.2750 | ![]() | 7038 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6320 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||||||||||||
JANTX1N4106-1 | 4.8300 | ![]() | 1184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4106 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 9.2 v | 12 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4627C/TR | 8.0550 | ![]() | 2851 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL4627C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 118 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | cdll821/tr | 4.1400 | ![]() | 8927 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4.83% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll821/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4954dus/tr | 31.5000 | ![]() | 4214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4954dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 150 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 1オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5937bp/TR8 | 1.8900 | ![]() | 4259 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5937 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3035bur-1/tr | 16.1196 | ![]() | 9747 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1 W | do-213ab | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n3035bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N740A | 2.0700 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N740 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 120 v | 570オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | jans2n2907aubc/tr | 185.6106 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | 3-CLCC | 2N2907 | 500 MW | UBC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-Jans2N2907Aubc/tr | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | R3710 | 49.0050 | ![]() | 9326 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SR37 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | - | 影響を受けていない | 150-R3710 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.15 V @ 200 a | 5 µs | 50 µA @ 100 V | -65°C〜200°C | 85a | - | ||||||||||||||||||||
CDLL5938B | 3.9750 | ![]() | 9380 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5938 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 89100-05TXV | 349.9496 | ![]() | 5109 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | to-66(to-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3784 | 38.6100 | ![]() | 1391 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | DO-204AA | 400 MW | DO-7 | - | 影響を受けていない | 150-1N3784 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.7 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n5287-1/tr | 31.6650 | ![]() | 9795 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/463 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | - | 穴を通して | DO-204AA | 1N5287 | 500MW | DO-7 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5287-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||||||||||||||||||||
jantxv1n6320us/tr | 19.1254 | ![]() | 1688 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6320us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 5 V | 6.8 v | 3オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4626ur-1/tr | 7.1820 | ![]() | 6944 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4626ur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N2986 | 27.6600 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 5 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N2986 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 3 a | - | PNP | 1.25V @ 400µA、1MA | - | - | ||||||||||||||||||||
jantxv1n4496dus | 56.4150 | ![]() | 3976 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4496dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4588rd | 102.2400 | ![]() | 7975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AA | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4588rd | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 200 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 150a | - | |||||||||||||||||||||
JANTX1N4108C-1 | 19.0950 | ![]() | 8515 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4108 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 10.7 v | 14 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||
1N5992 | 3.4050 | ![]() | 3880 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5992 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANKCA1N4129C | - | ![]() | 3924 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-jankca1n4129c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 47.1 v | 62 v | 500オーム |
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