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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	テスト条件	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	電圧 -アノード -カソード（ vak ）（最大）	レギュレータ電流（最大）	電圧 -制限（最大）
1N5248B-1E3	2.4450	RFQ	5215	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5248B-1E3	ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V															18 v	21オーム
1N2841B	94.8900	RFQ	7260	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	To-204ad	1N2841			50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 10 a		10 µA @ 91.2 v															120 v	40オーム
MSASC150H30LX/TR	-	RFQ	6710	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-			影響を受けていない	150-MSASC150H30LX/TR			100
jans1n6347dus/tr	527.7150	RFQ	4733	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf b				500 MW	B、sq-melf	-				150-jans1n6347dus/tr	ear99	8541.10.0050	50								1.4 V @ 1 a		50 Na @ 69 v															91 v	270オーム
APT50GS60BRDQ2G	13.1000	RFQ	4	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C		穴を通して	TO-247-3	APT50GS60	標準		415 w	to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			400V 、40a 、4.7OHM、15V						25 ns					npt	600 V	93 a	195 a	3.15V @ 15V 、50a	755µj （オフ）	235 NC	16ns/225ns
MSCDC150KK170D1PAG	365.1600	RFQ	8220	マイクロチップテクノロジー	-	箱	アクティブ				シャーシマウント	モジュール	MSCDC150		sic （炭化シリコン）ショットキー		D1p	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCDC150KK170D1PAG	ear99	8541.10.0080	1	回復時間なし> 500ma				1ペア共通カソード	1700 v	150a	1.8 V @ 150 a	0 ns	600 µA @ 1700 v	-40°C〜175°C
um4001cr	-	RFQ	9675	マイクロチップテクノロジー	UM4000	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C			スタッド					-	-			影響を受けていない	150-um4001crtr	ear99	8541.10.0060	1				25 W									3PF @ 100V、1MHz									ピン -シングル	100V				500MOHM @ 100MA 、100MHz
jantx1n4574aur-1/tr	35.7000	RFQ	7917	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C		表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4574aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1										2 µA @ 3 V																100オーム
CDLL4568AE3/TR	14.4750	RFQ	9808	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜100°C		表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL4568AE3/TR	ear99	8541.10.0050	1										2 µA @ 3 V																200オーム
1N5295-1/TR	18.7950	RFQ	6547	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜175°C	-	穴を通して	DO-204AA	1N5295			500MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5295-1/TR	ear99	8541.10.0070	1																																100V	902µA	1.25V
21FQ035	54.5550	RFQ	6564	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203aa			ショットキー		DO-4 （DO-203AA）	-			影響を受けていない	150-21FQ035	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns					35 v		630 mV @ 30 a		1.5 mA @ 35 v	-55°C〜175°C	30a	-
1n971be3/tr	2.3275	RFQ	2110	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N971BE3/TR	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 20.6 v															27 v	41オーム
JANTX1N6324	13.9950	RFQ	8410	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6324			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8 V															10 v	6オーム
APT15D60BCAG	-	RFQ	7291	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止				穴を通して	TO-247-3	Apt15		標準		to-247 [b]	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns				1ペア共通アノード	600 V	14a	1.8 V @ 15 a	80 ns	150 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
jans1n4120ur-1/tr	45.8600	RFQ	7168	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4120ur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v															30 V	200オーム
1N6018A	1.9950	RFQ	8069	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6018			500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 36 V															56 v	240オーム
1N4619C-1/TR	5.4450	RFQ	2306	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N4619C-1/TR	ear99	8541.10.0050	174								1.1 V @ 200 mA		400 na @ 1 v															3 v	1600オーム
CDLL5917B	3.9300	RFQ	5483	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5917			1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 1.5 v															4.7 v	5オーム
1N4627-1	2.6250	RFQ	8226	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA	1N4627			500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 5.7 v															6.2 v	1200オーム
1N4575	4.0650	RFQ	2054	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		穴を通して	DO-204AA				500 MW	DO-7	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4575	ear99	8541.10.0050	1										2 µA @ 3 V															6.4 v	50オーム
UES2602R	78.9000	RFQ	2077	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				穴を通して	to-204aa、to-3	UES2602		標準、逆極性		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns					100 V		930 mv @ 15 a	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	30a	-
jantx1n4119c-1/tr	12.1695	RFQ	5510	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4119c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 21.3 v															28 v	200オーム
1N3335A	49.3800	RFQ	7141	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C		シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3335			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 10 a		10 µA @ 47.1 v															62 v	7オーム
jantx1n3825a-1	8.6100	RFQ	94	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ		穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 2 V															4.7 v	8オーム
1N5233C/TR	4.2750	RFQ	9818	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C		穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5233C/TR	ear99	8541.10.0050	222								1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v															6 v	7オーム
1N1196	75.5700	RFQ	9070	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ				スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1196		標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns					400 V		1.19 V @ 90 a		10 µA @ 400 V	-65°C〜200°C	40a	-
2N2919U	48.6647	RFQ	9473	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）		表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2919			350MW	3-SMD	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															60V	30ma								10µa（icbo）				2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
1N4971US/TR	8.3125	RFQ	1975年年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C		表面マウント	sq-melf e				5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4971US/TR	ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 1 a		2 µA @ 27.4 v															36 v	11オーム
cdll4770/tr	73.3050	RFQ	7577	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	0°C〜75°C		表面マウント	DO-213AA				500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4770/tr	ear99	8541.10.0050	1										10 µA @ 6 V															9.1 v	200オーム
GC4432-M1	-	RFQ	9893	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C			1208 （3020 メトリック）					M1	-			影響を受けていない	150-GC4432-M1TR	ear99	8541.10.0070	1		50 Ma											0.5pf @ 50V、1MHz									ピン -シングル	300V				1OHM @ 100MA 、100MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²