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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
CDLL945A	40.8150	RFQ	6958	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					CDLL945				-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
jans1n6488cus	-	RFQ	1748	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		5 µA @ 1 V							4.3 v	9オーム
cdll5269a/tr	3.3516	RFQ	8056	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CDLL5269A/TR	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 68 v							87 v	370オーム
1N5542C/TR	11.5500	RFQ	2880	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5542C/TR	ear99	8541.10.0050	100																	1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 21.6 v							24 v	100オーム
ST3060C	63.3000	RFQ	4475	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3	ST3060	標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-st3060c	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												1ペア共通カソード	600 V	15a	1.2 V @ 15 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜200°C
1N457AUR-1	6.7500	RFQ	4484	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-213AA		標準		DO-213AA	-			影響を受けていない	150-1N457AUR-1	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度													70 v		1 V @ 100 MA		1 µA @ 70 V	-65°C〜150°C	150ma	-
jantx1n4483us	14.3550	RFQ	5509	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		250 NA @ 44.8 v							56 v	70オーム
Jan1n5539d-1	13.8000	RFQ	5564	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5539		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 17.1 v							19 v	100オーム
jantxv1n962d-1/tr	11.6508	RFQ	8794	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n962d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 8.4 v							11 v	9.5オーム
MSCSM170AM058CD3AG	1.0000	RFQ	6340	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM170	炭化シリコン（原文）	1.642KW	-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170AM058CD3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			1700V（1.7kV）	353a		7.5mohm @ 180a 、20V	3.3V @ 15ma	1068NC @ 20V		19800pf @ 1000V	-
1N936B-1	6.5250	RFQ	2498	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N936B-1	ear99	8541.10.0050	1																										9 v	20オーム
jantxv1n963bur-1	11.2500	RFQ	1469	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.3 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v							12 v	11.5オーム
jans1n5969us/tr	-	RFQ	1371	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	E 、軸				E 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5969us/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		1 MA @ 4.74 v
SMBJ4749E3/TR13	0.4350	RFQ	6781	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ4749		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 18.2 v							24 v	25オーム
1N4579A/TR	29.5200	RFQ	5859	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4579A/TR	ear99	8541.10.0050	100																			2 µA @ 3 V							6.4 v	50オーム
jans2n6678t1	-	RFQ	1527	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3				TO-254	-			影響を受けていない			0000.00.0000	1																							400 V	15 a	-			npn	-	-	-
1N4115/tr	2.3408	RFQ	8863	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	do-7 （do-204aa）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4115/tr	ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 16.72 v							22 v	150オーム
1N5250A	2.7750	RFQ	1612	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 14.3 v							20 v	25オーム
MSASC75H80FX/TR	-	RFQ	7933	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-			影響を受けていない	150-MSASC75H80FX/TR			100
JANTX2N7369	-	RFQ	3655	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/621	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3			115 W	TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																							80 v	5 Ma	5MA			PNP	1V @ 500MA 、5a	-	-
1N4492	10.5750	RFQ	6035	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸	1N4492		1.5 w	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N4492ms	ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 a		250 Na @ 104 v							130 v	500オーム
jans1n6321c	280.2750	RFQ	2942	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.4 V @ 1 a		2 µA @ 5 V							7.5 v	4オーム
APT20M22JVRU3	33.1900	RFQ	5481	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT20M22	モスフェット（金属酸化物）		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	200 v	97a（tc）	10V	22mohm @ 48.5a 、10V	4V @ 2.5MA	290 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	450W
1N5236A	3.9150	RFQ	5234	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5236		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 5.7 v							7.5 v	6オーム
CDLL5546A	6.4800	RFQ	4822	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5546		500 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 28 V							33 v	100オーム
uft5005	94.8750	RFQ	5299	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-204aa、to-3		標準		to-204aa	-			影響を受けていない	150-UFT5005	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													100 V		1 V @ 25 a	35 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	50a	225pf @ 10V、1MHz
jantxv1n2837rb	-	RFQ	8915	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2837		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 2 a		10 µA @ 69.2 v							91 v	15オーム
jantx1n5806us	7.3200	RFQ	7962	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a	1N5806	標準		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns													150 v		875 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V、1MHz
1N710A	1.9200	RFQ	2192	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N710		250 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1																										6.8 v	4.7オーム
R4330il	102.2400	RFQ	4774	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA		標準		do-205aa	-			影響を受けていない	150-R4330il	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns													300 V		1.1 V @ 200 a		50 µA @ 300 V	-65°C〜200°C	150a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²