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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
Jan1n4617ur-1	6.5550	RFQ	4970	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4617		500 MW		DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V										2.4 v	1400オーム
CD977B	1.5029	RFQ	4736	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW		死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD977B	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 36 V										47 v	105オーム
Jan1n3310b	-	RFQ	9928	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W		DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µA @ 8.4 v										11 v	0.8オーム
jan1n4987us/tr	13.4100	RFQ	6470	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W		e-melf	-				150-jan1n4987us/tr	ear99	8541.10.0050	100														1.5 V @ 1 a		2 µA @ 121.6 v										160 v	350オーム
jantx1n4112cur-1/tr	21.9051	RFQ	2817	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4112cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13.7 v										18 v	100オーム
2N2443	32.2800	RFQ	7466	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N2443			1
CDS979B-1	-	RFQ	5381	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-CDS979B-1	ear99	8541.10.0050	50
1N5522C	11.3550	RFQ	7623	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5522C	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V										4.7 v	22オーム
1N6642UBCA/TR	14.4300	RFQ	9911	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ										-							100
Jan1N4470	8.1900	RFQ	8967	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4470		1.5 w		DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 mA		50 Na @ 12.8 v										16 v	10オーム
1N4744AG/TR	3.3649	RFQ	1283	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N474444AG/TR	ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v										15 V	14オーム
APT15DQ100BCTG	2.8700	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	Apt15	標準			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									1ペア共通カソード	1000 V	15a	3 V @ 15 a	235 ns	100 µA @ 1000 V	-55°C〜175°C
jan1n4627dur-1/tr	18.7264	RFQ	9276	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4627dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 5 V										6.2 v	1200オーム
APT10035LFLLG	32.9100	RFQ	6394	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT10035	モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル	1000 V	28a（tc）	370mohm @ 14a 、10V	5V @ 2.5MA	186 NC @ 10 V	5185 PF @ 25 V	-
jan1n4113c-1/tr	9.4430	RFQ	9182	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸					do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4113c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 14.5 v										19 v	150オーム
jantx1n3032b-1/tr	9.0573	RFQ	1956年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3032b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 25.1 v										33 v	45オーム
jantx1n3348b	-	RFQ	4445	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W		DO-5	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3348b	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µA @ 121.6 v										175 v	85オーム
jantx1n3016b-1/tr	8.9908	RFQ	5957	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3016b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		150 µA @ 5.2 v										6.8 v	3.5オーム
S43120	57.8550	RFQ	7701	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA	S43120	標準			do-205aa	ダウンロード			影響を受けていない	S43120ms	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns										1200 v		1.1 V @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65°C〜200°C	150a	-
UTR4320	12.8400	RFQ	6479	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	b 、軸		標準			b 、軸	-			影響を受けていない	150-UTR4320	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns										200 v		1.1 V @ 4 a	250 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	4a	320pf @ 0V、1MHz
2N4449	12.9010	RFQ	8022	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶	2N4449		360 MW		to-46（to-206ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					20 v			400na					npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
1N645UR-1	-	RFQ	5098	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました			表面マウント	DO-213AA		標準			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		標準回復> 500ns										225 v		1 V @ 400 Ma		50 Na @ 225 v	-65°C〜175°C	400mA	-
APTGF180A60TG	-	RFQ	8231	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SP4			833 w	標準	SP4	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																			npt	600 V	220 a	2.5V @ 15V 、180a	300 µA	はい			8.6 nf @ 25 v
jan1n4489cus	27.6750	RFQ	2729	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4489		1.5 w		D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 mA		250 na @ 80 v										100 V	250オーム
1N5937CE3/TR13	-	RFQ	3754	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5937		1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 25.1 v										33 v	33オーム
jantx1n5196	-	RFQ	5125	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/118	バルク	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5196	標準			DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度										225 v		1 V @ 100 MA		1 µA @ 250 v	-65°C〜175°C	200mA	-
cdll4761/tr	3.2319	RFQ	6090	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ					DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll4761/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		100 Na @ 56 v										75 v	175オーム
2N2991	27.6600	RFQ	8395	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			5 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N2991	ear99	8541.29.0095	1																					80 v	1 a		-					npn	3V @ 50µA 、200µA	-	-
HSM170GE3/TR13	1.0650	RFQ	1913年年	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					HSM170					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
jantxv1n4134d-1	28.9500	RFQ	8195	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4134		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 69.2 v										91 v	1200オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²