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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1N3335A	49.3800	RFQ	7141	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3335		50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µA @ 47.1 v									62 v	7オーム
1N5941CPE3/TR12	1.2000	RFQ	7420	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5941		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 35.8 v									47 v	67オーム
1N6018A	1.9950	RFQ	8069	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6018		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 36 V									56 v	240オーム
1N2841B	94.8900	RFQ	7260	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2841		50 W	TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a		10 µA @ 91.2 v									120 v	40オーム
MSASC150H30LX/TR	-	RFQ	6710	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									-			影響を受けていない	150-MSASC150H30LX/TR			100
1N5233C/TR	4.2750	RFQ	9818	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5233C/TR	ear99	8541.10.0050	222														1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v									6 v	7オーム
1N5236B	2.1450	RFQ	6780	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5236		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	1N5236BMS	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 6 V									7.5 v	6オーム
jans1n4955cus/tr	462.1650	RFQ	9273	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jans1n4955cus/tr	ear99	8541.10.0050	50														1.5 V @ 1 a		100 µA @ 5.7 v									7.5 v	1.5オーム
S3650	61.1550	RFQ	7105	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S3650			1
jans1n5811urs	147.4800	RFQ	5062	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/477	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf b		標準		B、sq-melf	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns											150 v		875 mV @ 4 a	30 ns		-65°C〜175°C	6a	-
UM7306C	-	RFQ	6124	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-		スタッド				-	-			影響を受けていない	150-UM7306CTR	ear99	8541.10.0060	1			7.5 w																0.7pf @ 100V、1MHz			ピン -シングル	600V				3OHM @ 100MA 、100MHz
1N5534bur-1	6.4800	RFQ	7703	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5534		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 12.6 v									14 v	100オーム
jantx1n4572aur-1/tr	12.4050	RFQ	4608	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4572aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1																2 µA @ 3 V									3 v	100オーム
2N2329S	47.1900	RFQ	6107	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜125°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				to-39	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N2329S	ear99	8541.30.0080	1		2 Ma		400 V	800 mv	15a @ 60Hz	200 µA	220 Ma	10 µA	標準回復
1N4148UBCC	27.0900	RFQ	2645	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N4148	標準		UBC	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度										1ペア共通カソード	75 v	200mA	1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜200°C
UMX512	6.4800	RFQ	125	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-IMX512	ear99	8541.10.0060	1
jan1n6342us/tr	16.0800	RFQ	5498	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jan1n6342us/tr	ear99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 a		50 Na @ 43 v									56 v	100オーム
jans2n222222aubc/tr	185.6106	RFQ	8852	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	3-SMD	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jans2N2222222AUBC/TR	ear99	8541.21.0095	1																				50 v	800 Ma			50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
Jan1n5524bur-1	14.4600	RFQ	3821	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5524		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 3.5 v									5.6 v	30オーム
2N5599	43.0350	RFQ	1496	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2			20 W	to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5599	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	2 a			-				PNP	850MV @ 200µA、1MA	-	-
1N4697D	12.0750	RFQ	9200	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1
GC4723-79	-	RFQ	3483	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C		2-SMD 、リードなし				-	-			影響を受けていない	150-GC4723-79	ear99	8541.10.0060	1			15 W																0.5pf @ 6V、1MHz			ピン -シングル	120V				500mohm @ 10ma 、100MHz
jantx1n6621u/tr	18.2700	RFQ	8784	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/585	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a		標準、逆極性		a sq-melf	-			影響を受けていない	150-jantx1n6621u/tr	ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns											440 v		1.4 V @ 1.2 a	45 ns	500 NA @ 440 v	-65°C〜150°C	1.2a	-
jans1n4466d	258.8850	RFQ	9828	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸			1.5 w	DO-41	-			影響を受けていない	150-jans1n4466d	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 a		300 NA @ 8.8 v									11 v	6オーム
CDLL5918D	11.7300	RFQ	5411	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5918		1.25 w	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V									5.1 v	4オーム
CD746C	-	RFQ	2490	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-			影響を受けていない	150-CD746C	ear99	8541.10.0050	278														1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V									3.3 v	28オーム
1N4678	3.9800	RFQ	233	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 1 V									1.8 v
cdll5276a/tr	3.7800	RFQ	4713	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜200°C	表面マウント	DO-213AA				DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5276A/TR	ear99	8541.10.0050	250														1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 108 V									150 v	1500オーム
SMAJ5935BE3/TR13	0.6450	RFQ	3599	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAJ5935		3 W	do-214ac（smaj）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500														1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 20.6 v									27 v	23オーム
jan1n6323dus/tr	38.3700	RFQ	1059	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jan1n6323dus/tr	ear99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 a		1 µA @ 7 V									9.1 v	6オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²