画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | cdll5529a/tr | 5.9052 | ![]() | 8040 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5529A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 45オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4974dus/tr | 30.9000 | ![]() | 9003 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantx1n4974dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 35.8 v | 47 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||||||
CDLL5276B | 3.7350 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5276 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 108 V | 150 v | 1500オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n3307rb | - | ![]() | 2054 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 50 µA @ 5.4 v | 8.2 v | 0.4オーム | |||||||||||||||||||||||
jantxv1n982d-1 | 9.4800 | ![]() | 8075 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N982 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 270オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5361AE3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 3771 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5361 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 19.4 v | 27 v | 5オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | cdll2810/tr | 2.9400 | ![]() | 1822年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AA | ショットキー | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll2810/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 20 v | 1 V @ 35 Ma | 100 Na @ 15 V | -65°C〜150°C | 75ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n965b-1/tr | 3.1521 | ![]() | 5727 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n965b-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 11 V | 15 V | 16オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5352BE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 9072 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5352 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 10.8 v | 15 V | 2.5オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | apt20m34sllg/tr | 13.4995 | ![]() | 7681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT20M34 | モスフェット(金属酸化物) | d3pak | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-apt20m34sllg/tr | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 200 v | 74a(tc) | 10V | 34mohm @ 37a 、10V | 5V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 3660 PF @ 25 V | - | 403W | ||||||||||||||||
![]() | jans1n4961cus | 343.6210 | ![]() | 7777 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4961cus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2977A | 36.9900 | ![]() | 6378 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N2977 | 10 W | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 9.9 v | 13 v | 3オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5354B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 3504 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMBG5354 | 5 W | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 12.2 v | 17 v | 2.5オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5364CE3/TR8 | 3.3900 | ![]() | 4736 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5364 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 23.8 v | 33 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | R3420 | 36.6600 | ![]() | 6817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | R34 | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | R3420 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 90 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜200°C | 45a | - | |||||||||||||||||||||
jantx1n4109d-1/tr | 13.2335 | ![]() | 6872 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n4109d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | 100オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | S307030F | 49.0050 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-S307030F | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N7053-1 | 7.1700 | ![]() | 2671 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | 穴を通して | DO-204AA | 1N7053 | 250 MW | DO-7 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 4.8 v | 35オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5928PE3/TR12 | 0.9150 | ![]() | 8081 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5928 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.9 v | 13 v | 7オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | jans1n6311dus | 356.3550 | ![]() | 2811 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 1N6311 | 500 MW | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 30 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N966BE3 | 2.0083 | ![]() | 8396 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 500 MW | do-7 (do-204aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N966BE3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5525a/tr | 5.9052 | ![]() | 3703 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL5525A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 6.2 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTDF200H120G | 138.5800 | ![]() | 8562 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP6 | APTDF200 | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 200 a | 150 µA @ 1200 V | 235 a | 単相 | 1.2 kv | |||||||||||||||||||||
![]() | jans1n4464c | 207.1050 | ![]() | 2297 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.5 w | DO-41 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 300 NA @ 5.46 v | 9.1 v | 4オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | cdll4909/tr | 30.3750 | ![]() | 5912 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4909/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 v | 50オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | cdll6314/tr | 12.5951 | ![]() | 1664 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll6314/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5985UR-1/TR | 3.7400 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 mA | 2.4 v | |||||||||||||||||||||||||||
jan1n6310dus/tr | 49.0650 | ![]() | 5982 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jan1n6310dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n944bur-1/tr | - | ![]() | 2756 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/157 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n944444bbur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4987us/tr | 13.4100 | ![]() | 6470 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4987us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 121.6 v | 160 v | 350オーム |
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