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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
CD5535B	2.0349	RFQ	7082	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD5535B	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 mA	10 Na @ 13.5 v							15 V	100オーム
jantx1n4489dus/tr	49.7250	RFQ	3429	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	-				150-jantx1n4489dus/tr	ear99	8541.10.0050	100														1.5 V @ 1 a	250 na @ 80 v							100 V	250オーム
30FQ045	64.5600	RFQ	2315	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		ショットキー		DO-4 （DO-203AA）	-			影響を受けていない	150-30FQ045	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												45 v	630 mV @ 30 a	1.5 mA @ 45 v	-55°C〜175°C	30a	-
Jan1n3313rb	-	RFQ	3712	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/358	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 a	10 µA @ 11.4 v							14 v	1.2オーム
SMBJ5927AE3/TR13	0.8850	RFQ	4973	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5927		2 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 9.1 v							12 v	6.5オーム
1N4758CP/TR12	2.2800	RFQ	3900	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4758		1 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 42.6 v							56 v	110オーム
MQ2N4391	27.9965	RFQ	6982	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-206aa				TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-MQ2N4391			1		nチャネル								-
DN2535N3-G	0.9100	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	DN2535	モスフェット（金属酸化物）		to-92（to-226）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル	350 V	120ma	0V	25OHM @ 120MA 、0V	-		±20V	300 pf @ 25 V	枯渇モード	1W （TC）
jantxv2n2907ub	-	RFQ	3411	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	ub	-			影響を受けていない	150-jantxv2n2907ub			193																			60 V	600 Ma	50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jan1n4962cus	22.5600	RFQ	1614	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4962		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 a	5 µA @ 11.4 v							15 V	3.5オーム
1N5340C/TR8	3.3900	RFQ	3004	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5340		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000														1.2 V @ 1 a	1 µA @ 3 V							6 v	1オーム
LSM1100JE3/TR13	0.4350	RFQ	9849	マイクロチップテクノロジー	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ					LSM1100				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
JAN1N5524CUR-1	37.0200	RFQ	6807	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N5524		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA	2 µA @ 3.5 v							5.6 v	30オーム
SMBJ5362AE3/TR13	0.8100	RFQ	4044	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBJ5362		5 W	smbj（ do-214aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 1 a	500 NA @ 20.1 v							28 v	6オーム
JANTX1N4112CUR-1	-	RFQ	1961年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA	50 Na @ 13.7 v							18 v	100オーム
Apt50m75lllg	21.0600	RFQ	7205	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT50M75	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	500 V	57a（tc）		75mohm @ 28.5a 、10V	5V @ 2.5MA	125 NC @ 10 V		5590 PF @ 25 V	-
JANKCAD2N3637	-	RFQ	9095	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jankcad2n3637			100																			175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
1N6702	23.6550	RFQ	8761	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			穴を通して	軸		ショットキー		軸	-			影響を受けていない	150-1N6702	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												40 v	470 mV @ 5 a	200 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	5a	-
jantx1n4971us/tr	8.9243	RFQ	2156	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4971us/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 a	2 µA @ 27.4 v							36 v	11オーム
jan1n4972cus	21.1650	RFQ	3497	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4972		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 a	2 µA @ 29.7 v							39 v	14オーム
jantx1n6343cus/tr	46.4850	RFQ	5061	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantx1n6343cus/tr	ear99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 a	50 Na @ 47 v							62 v	125オーム
Jan1n3823d-1	21.7350	RFQ	6508	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N3823		1 W	DO-41	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA	25 µA @ 1 V							3.9 v	9オーム
jans2n2920u/tr	153.9408	RFQ	6239	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N2920		350MW	6-SMD	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans2n2920u/tr	ear99	8541.21.0095	1																			60V	30ma	10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
1N4577A-1/TR	8.6100	RFQ	8652	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4577A-1/TR	ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 v	50オーム
1N5931PE3/TR12	0.9150	RFQ	1942年年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5931		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 13.7 v							18 v	12オーム
JAN1N5522B-1	5.5200	RFQ	6720	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5522		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA	2 µA @ 2 V							4.7 v	22オーム
2C5880	37.0050	RFQ	6524	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C5880			1
jantx1n748c-1/tr	5.2668	RFQ	7727	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n748c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA	2 µA @ 1 V							3.9 v	23オーム
jantxv1n5525cur-1/tr	44.0363	RFQ	3720	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5525cur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 mA	1 µA @ 5 V							6.2 v	30オーム
CDLL4734	2.9400	RFQ	9423	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL4734			DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V							5.6 v	5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²