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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MSCSM120DUM16TBL3NG	-	RFQ	4184	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	560W	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120DUM16TBL3NG	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル、共通のソース		1200V（1.2kv）	150a	16mohm @ 80a 、20V	2.8V @ 6MA	464NC @ 20V	6040pf @ 1000V	-
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CDLL5248B	2.8650	RFQ	2938	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL5248		10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	100 Na @ 14 V				18 v	21オーム
Jan1n973d-1	6.3450	RFQ	5432	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N973		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 25 V				33 v	58オーム
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S2010	33.4500	RFQ	4332	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S2010			1
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jantxv1n758c-1/tr	11.6508	RFQ	2596	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n758c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	1 µA @ 8 V				10 v	17オーム
cdll5246b/tr	2.8994	RFQ	1697	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ			10 MW	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-cdll5246b/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	100 na @ 12 v				16 v	17オーム
1 PMT5928AE3/TR13	0.7350	RFQ	3299	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT5928		3 W	DO-216AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000											1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 9.9 v				13 v	7オーム
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JANTX1N746D-1	-	RFQ	3698	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	sicで中止されました	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 1 V				3.3 v	28オーム
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jantx1n4965dus/tr	32.4000	RFQ	4859	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-				150-jantx1n4965dus/tr	ear99	8541.10.0050	100											1.5 V @ 1 a	2 µA @ 15.2 v				20 v	4.5オーム
jantxv1n4995cus/tr	-	RFQ	4458	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	e-melf	ダウンロード				150-jantxv1n4995cus/tr	ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 a	2 µA @ 274 v				360 v	1400オーム
CD4731a	1.8354	RFQ	9897	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-CD4731A	ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 200 mA	10 µA @ 1 V				4.3 v	9オーム
1N4622	2.6250	RFQ	5082	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N4622	ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 2 V				3.9 v	1650オーム
1N4569A-1	67.3350	RFQ	1595	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜100°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4569		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1												2 µA @ 3 V				6.4 v	200オーム
1N5229bur-1	2.8650	RFQ	3572	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5229		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 1 V				4.3 v	22オーム
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jans1n6635us	-	RFQ	9534	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 a	25 µA @ 1 V				4.3 v	2オーム
1N5526B-1/TR	1.9950	RFQ	3179	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5526B-1/TR	ear99	8541.10.0050	477											1.1 V @ 200 mA	1 µA @ 6.2 v				6.8 v	30オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²