画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6487US/TR | 15.0600 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 35 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N968B | 2.0700 | ![]() | 8660 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N968 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N968bms | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cdll5938d/tr | 10.9326 | ![]() | 8836 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | 1.25 w | DO-213AB | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll5938d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5360/TR8 | 2.6250 | ![]() | 6605 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±20% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5360 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 18 V | 25 v | 4オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5361CE3/TR12 | 3.3900 | ![]() | 7203 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5361 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 19.4 v | 27 v | 5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4961dus/tr | 32.4000 | ![]() | 2148 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jantx1n4961dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 10 µA @ 9.9 v | 13 v | 3オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n751aur-1 | 4.3050 | ![]() | 7682 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C(タタ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
JANKCC2N6193 | 260.6401 | ![]() | 7718 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/561 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-205ad(to-39) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankcc2n6193 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 a | 100µA | PNP | 1.2V @ 500MA 、5a | 60 @ 2a 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5940AP/TR12 | 1.8600 | ![]() | 4728 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5940 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
1N6347 | 8.4150 | ![]() | 8883 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6347 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 69 v | 91 v | 270オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTMC120TAM12CTPAG | - | ![]() | 5849 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP6 | APTMC120 | 炭化シリコン(原文) | 925W | SP6-P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 N-Channel(3 フェーズブリッジ) | 1200V(1.2kv) | 220A(TC) | 12mohm @ 150a 、20V | 2.4V @ 30MA(タイプ) | 483NC @ 20V | 8400pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4130/TR13 | 0.9600 | ![]() | 8825 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4130 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 51.68 v | 68 v | 250オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
CDLL5914D | 11.7300 | ![]() | 6332 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5914 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 3.6 v | 9オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
1N4566AE3/TR | 4.5750 | ![]() | 2836 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N4566AE3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 207 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n972bur-1 | 6.0900 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N972 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 23 V | 30 V | 49オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5229D-1 | - | ![]() | 3212 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5229D-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4976us/tr | 9.3600 | ![]() | 7577 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4976us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 42.6 v | 56 v | 35オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n5802urs | 22.0200 | ![]() | 3565 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 1N5802 | 標準 | a-melf | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MNS1N6844U3 | 147.9150 | ![]() | 7299 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | ショットキー | u3(md-0.5) | - | 影響を受けていない | 150-MNS1N6844U3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 20 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 20a | 600pf @ 10V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
MQ2N4859 | 54.6231 | ![]() | 5386 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/385 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206aa | 360 MW | TO-18(to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-MQ2N4859 | 1 | nチャネル | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 50 mA @ 15 v | 4 V @ 500 Pa | 25オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4391UBC/TR | 53.5950 | ![]() | 4163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-2N4391UBC/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4391 | 18.6732 | ![]() | 4212 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C(TJ) | 穴を通して | - | 2N4391 | 1.8 w | TO-18 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2N4391ms | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 14pf @ 20V | 40 v | 50 mA @ 20 v | 4 V @ 1 Na | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4976c | 14.1000 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 1N4976 | 5 W | E 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 42.6 v | 56 v | 35オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSB5819/tr | - | ![]() | 7965 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-dsb5819/tr | 195 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3741U4 | - | ![]() | 9344 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/441 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 25 W | U4 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10µA | PNP | 600mv @ 1.25ma、1a | 30 @ 250ma、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N743 | 2.0700 | ![]() | 1262 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N743 | 250 MW | DO-35 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 160 v | 970オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2830RB | 96.0150 | ![]() | 4873 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2830 | 50 W | TO-204AD(to-3) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 38 v | 50 v | 5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n6326cus/tr | 63.8550 | ![]() | 5700 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jan1n6326cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4123CE3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMite® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-216AA | 1PMT4123 | 1 W | DO-216 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 29.65 v | 39 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
jantxv1n4988 | - | ![]() | 8527 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | sicで中止されました | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 136.8 v | 180 v | 450オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫