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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
1N5621/tr	4.7250	RFQ	4466	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸		標準		A 、軸	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5621/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									800 V		1.6 V @ 3 a	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12V、1MHz
jantxv1n4978cus	40.8900	RFQ	1084	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			5 W	e-melf	-			影響を受けていない	150-jantxv1n4978cus	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a		2 µA @ 51.7 v									68 v	50オーム
jans2n2221aub/tr	65.0804	RFQ	4082	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	ub	-			影響を受けていない	150-jans2n2221aub/tr	ear99	8541.21.0095	50																			50 v	800 Ma			50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
jansh2n2219al	248.3916	RFQ	5020	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW	to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansh2n2219al			1																			50 v	800 Ma			10na				npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv1n5540d-1/tr	26.0414	RFQ	7961	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n5540d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 na @ 18 v									20 v	100オーム
UFR3020RE3	56.8200	RFQ	5625	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準、逆極性		DO-4 （DO-203AA）	-			影響を受けていない	150-UFR3020RE3	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									200 v		975 mV @ 30 a	35 ns	15 µa @ 200 v	-65°C〜175°C	30a	140pf @ 10V、1MHz
1N5275B-1	3.3000	RFQ	9088	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5275B-1	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 106 v									140 v	1300オーム
jans1n6352c	-	RFQ	6809	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			500 MW	b 、軸	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		50 Na @ 114 v									150 v	1000オーム
jantxv1n4148ubca/tr	33.7953	RFQ	1573	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/116	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし	1N4148	標準		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n4148ubca/tr	ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns								1ペア共通アノード	75 v	200mA	1.2 V @ 100 MA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜200°C
jantxv1n2841b	-	RFQ	9890	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad	1N2841		10 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 a		10 µA @ 91.2 v									120 v	40オーム
1N6000D	5.1900	RFQ	3642	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6000		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 8 V									10 v	15オーム
1N5264bur-1	3.5850	RFQ	7447	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	1N5264		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v									60 V	170オーム
jantx1n986d-1	8.4900	RFQ	5756	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N986		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 84 v									110 v	750オーム
jansd2n2369aua/tr	166.8512	RFQ	2498	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2369A		360 MW	ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansd2n2369aua/tr	ear99	8541.21.0095	1																			15 V				400na				npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
2N3498U4/TR	135.3150	RFQ	4480	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	U4	-			影響を受けていない	150-2N3498U4/TR	ear99	8541.29.0095	100																			100 V	500 Ma			50na（icbo）				npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
1N5349B/TR8	2.6800	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5349		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000													1.2 V @ 1 a		2 µA @ 8.6 v									12 v	2.5オーム
jantx1n3826dur-1/tr	45.2466	RFQ	9508	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3826dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V									5.1 v	7オーム
jantx1n4461dus	69.9450	RFQ	1849	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a	1N4461		1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 mA		5 µA @ 4.08 v									6.8 v	2.5オーム
Jan1n6323us	15.9300	RFQ	3198	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6323		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a		1 µA @ 7 V									9.1 v	6オーム
jans1n4581a-1/tr	142.4850	RFQ	7373	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4581a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V									6.4 v	25オーム
jantx1n4568aur-1	19.0650	RFQ	7595	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4568		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V									3 v	200オーム
GC4902-12	-	RFQ	1991年年	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-65°C〜150°C		2-SMD 、フラットリード				-	-			影響を受けていない	150-GC4902-12	ear99	8541.10.0080	1																		0.025pf @ 10V 、2.2GHz			ピン -シングル	100V				3OHM @ 50MA 、2.2GHz
1N2131R	74.5200	RFQ	5980	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		標準、逆極性		do-5（do-203ab）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N2131R	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns									200 v		1.25 V @ 200 a		25 µA @ 200 V	-65°C〜200°C	70a	-
1N4713/tr	3.6575	RFQ	4987	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	do-7 （do-204aa）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4713/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 22.8 v									30 V
MV32006-129A	-	RFQ	6695	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、フラットリード				-	-			影響を受けていない	150-MV32006-129A	ear99	8541.10.0060	1																		2.2pf @ 4V、1MHz			シングル	22 v									3.5	C2/C20	3000 @ 4V、50MHz
jantxv1n4111c-1	23.1600	RFQ	1286	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4111		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		50 Na @ 13 V									17 v	100オーム
APTC60VDAM45T1G	73.1700	RFQ	7035	マイクロチップテクノロジー	coolmos™	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTC60	モスフェット（金属酸化物）	250W	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）		600V	49a	45mohm @ 24.5a 、10V	3.9V @ 3MA	150NC @ 10V	7200PF @ 25V	スーパージャンクション
jantxv1n4557rb	-	RFQ	3708	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad			50 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 a		150 µA @ 500 mV									3.9 v	0.16オーム
JANTX1N5520C-1	18.8850	RFQ	1771	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5520		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V									3.9 v	22オーム
CDLL3024B	15.3000	RFQ	8555	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	CDLL3024		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 11.4 v									15 V	14オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²