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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	テスト条件	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
1N6623U	13.5600	RFQ	8888	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			表面マウント	sq-melf、a			標準			a sq-melf	-			影響を受けていない	150-1N6623U	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		800 V	1.8 V @ 1.5 a	50 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
aptgt300sk170g	269.2320	RFQ	5107	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt300			1660 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル										トレンチフィールドストップ	1700 v	400 a		2.4V @ 15V 、300A						750 µA	いいえ			26.5 nf @ 25 v
jans1n4987cus	462.0150	RFQ	7978	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				5 W		e-melf	-			影響を受けていない	150-jans1n4987cus	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		2 µA @ 121.6 v																160 v	350オーム
jantxv1n3030dur-1/tr	50.5932	RFQ	2868	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）				1 W		do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n3030dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 20.6 v																27 v	35オーム
Jan1n935b-1/tr	-	RFQ	8243	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/156	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		DO-35	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n935b-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V																9 v	20オーム
jans1n5551us/tr	106.5450	RFQ	5649	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/420	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b			標準			B、sq-melf	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5551us/tr	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		400 V	1.2 V @ 9 a	2 µs		-65°C〜175°C	3a	-
APT45GR65B	4.7600	RFQ	8	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-	穴を通して	TO-247-3	APT45GR65	標準		357 w		TO-247	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			433v								npt	650 V	92 a	168 a	2.4V @ 15V 、45a	900µj（オン）、580µJ	203 NC	15ns/100ns
janhca1n751d	-	RFQ	1121	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-janhca1n751d	ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 1 V																5.1 v	17オーム
BZV55C3V3/TR	3.1200	RFQ	7094	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.06％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA						DO-213AA	-			影響を受けていない	150-BZV55C3V3/TR	ear99	8541.10.0050	304					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V																3.3 v	95オーム
ues1101/tr	18.4950	RFQ	5556	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	A 、軸			標準			A 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-US1101/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		50 v	975 mV @ 2 a	25 ns		-55°C〜175°C	2a	-
1N4576A/TR	8.6100	RFQ	2491	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4576A/TR	ear99	8541.10.0050	110							2 µA @ 3 V																6.4 v	50オーム
Jan1N6319	9.5100	RFQ	4158	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6319			500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		5 µA @ 3.5 v																6.2 v	3オーム
jantx1n6315us/tr	21.0750	RFQ	4118	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				500 MW		B、sq-melf	-				150-jantx1n6315us/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 a		2 µA @ 1 V																4.3 v	20オーム
janhca1n4621	12.1695	RFQ	6236	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA				500 MW		do-7 （do-204aa）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-janhca1n4621	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 2 V																3.6 v	1700オーム
1N5418/tr	7.3050	RFQ	4441	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	sq-melf b			標準			B、sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5418/tr	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		400 V	1.5 V @ 9 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
Jan1n3032dur-1/tr	36.2558	RFQ	3472	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）				1 W		do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n3032dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 25.1 v																33 v	45オーム
1N4565A/TR	3.4050	RFQ	1801	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4565A/TR	ear99	8541.10.0050	278							2 µA @ 3 V																6.4 v	200オーム
jantx1n3019d-1/tr	28.4620	RFQ	7849	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W		DO-41	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3019d-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		25 µA @ 6.9 v																9.1 v	6オーム
1N4760AUR/TR	3.6200	RFQ	4704	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）				1 W		do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	272					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 51.7 v																68 v	150オーム
jantxv1n6349us/tr	22.4550	RFQ	2679	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b				500 MW		B、sq-melf	-				150-jantxv1n6349us/tr	ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 a		50 Na @ 84 v																110 v	500オーム
jans1n5969cus/tr	-	RFQ	6387	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	E 、軸						E 、軸	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n5969cus/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 a		1 MA @ 4.74 v
1N4594R	102.2400	RFQ	9345	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AA			標準、逆極性			do-205aa	ダウンロード			影響を受けていない	150-1N4594R	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		1000 V	1.1 V @ 200 a		50 µA @ 1000 V	-65°C〜200°C	150a	-
GCX1208-23-4	5.1150	RFQ	1936年年	マイクロチップテクノロジー	GCX1208	バルク	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	TO-236-3						SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-GCX1208-23-4	ear99	8541.10.0060	1										3.9pf @ 4V、1MHz									1ペア共通カソード	30 V						3.9	C0/C30	2500 @ 4V、50MHz
1N4750AGE3	2.9526	RFQ	2085	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1 W		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4750AGE3	ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 20.6 v																27 v	35オーム
1N5263A-1	2.1000	RFQ	1927年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				500 MW		do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5263A-1	ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 41 v																56 v	150オーム
jan1n4148ur-1/tr	1.1970	RFQ	4733	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/241	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AA			標準			DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4148ur-1/tr	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		100 V	800 mV @ 10 Ma	20 ns	25 Na @ 20 V	-65°C〜175°C	200mA	2.8pf @ 1.5V、1MHz
MV31019-P00	-	RFQ	5494	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	死ぬ						チップ	-			影響を受けていない	150-MV31019-P00	ear99	8541.10.0040	1										2.7pf @ 4V、1MHz									シングル	22 v						10.8	C2/C20	2000 @ 4V、50MHz
1 PMT4100/TR13	1.1250	RFQ	7945	マイクロチップテクノロジー	PowerMite®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-216AA	1PMT4100			1 W		DO-216	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 5.7 v																7.5 v	200オーム
aptglq40h120t1g	73.5407	RFQ	5193	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	穴を通して	SP1	aptglq40			250 W	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジ										トレンチフィールドストップ	1200 v	75 a		2.4V @ 15V 、40a						100 µA	はい			2.3 nf @ 25 v
jantxv1n964dur-1/tr	21.6258	RFQ	2117	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）				500 MW		DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv1n964dur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v																13 v	13オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²