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離散半導体製品（41164）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 ciss ）（ max @ vds 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 抵抗-RDS （オン）
S4320TS Microchip Technology S4320TS 112.3200
RFQ
 ECAD 1719 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ スタッドマウント DO-205AA 標準 do-205aa 影響を受けていない 150-S4320TS ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 200 a 50 µA @ 200 V -65°C〜200°C 150a -
CD5534BSBW Microchip Technology CD5534BSBW -
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント 死ぬ 500 MW 死ぬ 影響を受けていない 150-CD5534BSBW ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 10 Na @ 12.6 v 14 v 100オーム
JANTXV1N4962D Microchip Technology jantxv1n4962d 27.0600
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/356 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して E 、軸 5 W E 、軸 影響を受けていない 150-jantxv1n4962d ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 5 µA @ 11.4 v 15 V 3.5オーム
JANKCA1N4100D Microchip Technology JANKCA1N4100D -
RFQ
 ECAD 9434 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント 死ぬ 500 MW 死ぬ 影響を受けていない 150-jankca1n4100d ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 mA 10 µA @ 5.7 v 7.5 v 200オーム
1N5279B-1 Microchip Technology 1N5279B-1 3.1200
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） 影響を受けていない 150-1N5279B-1 ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 137 v 180 v 2200オーム
1N5527 Microchip Technology 1N5527 1.8150
RFQ
 ECAD 5396 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±20％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） 影響を受けていない 150-1N5527 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 500 NA @ 6 V 7.5 v
CDLL5245D Microchip Technology CDLL5245D 6.9150
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 10 MW DO-213AA 影響を受けていない 150-CDLL5245D ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 na @ 11 v 15 V 16オーム
1N5529B-1 Microchip Technology 1N5529B-1 1.8150
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） 影響を受けていない 150-1N5529B-1 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 8.2 v 9.1 v 45オーム
JAN1N6347D Microchip Technology Jan1n6347d 49.5300
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） 影響を受けていない 150-jan1n6347d ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 69 v 91 v 270オーム
CDLL4979 Microchip Technology CDLL4979 11.1450
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ 影響を受けていない 150-CDLL4979 ear99 8541.10.0050 1
UTR41 Microchip Technology utr41 9.2550
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 穴を通して A 、軸 標準 A 、軸 影響を受けていない 150-UTR41 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 1.1 V @ 500 Ma 350 ns 3 µA @ 400 v -65°C〜175°C 1a 60pf @ 0V、1MHz
JANS1N6334D Microchip Technology jans1n6334d 350.3400
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） 影響を受けていない 150-jans1n634d ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 21 V 27 v 27オーム
JANS1N4478CUS Microchip Technology jans1n4478cus 283.8300
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/406 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf、a 1.5 w D-5a 影響を受けていない 150-jans1n4478cus ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 50 Na @ 28.8 v 36 v 27オーム
JANS1N4476CUS Microchip Technology jans1n4476cus 283.8300
RFQ
 ECAD 2052 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/406 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf、a 1.5 w D-5a 影響を受けていない 150-jans1n4476cus ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 50 Na @ 24 V 30 V 20オーム
1N4730D Microchip Technology 1N4730D 8.2950
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ 影響を受けていない 150-1N4730D ear99 8541.10.0050 1
1N1355 Microchip Technology 1N1355 44.3850
RFQ
 ECAD 2801 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ - スタッドマウント do-203aa 1N135 10 W do-203aa 影響を受けていない 150-1N1355 ear99 8541.10.0050 1 15 V 2オーム
JANHCA1N4132D Microchip Technology janhca1n4132d -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント 死ぬ 500 MW 死ぬ 影響を受けていない 150-janhca1n4132d ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 62.32 v 82 v 800オーム
JANTXV1N4485CUS Microchip Technology jantxv1n4485cus 45.1350
RFQ
 ECAD 2115 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf、a 1.5 w D-5a 影響を受けていない 150-jantxv1n4485cus ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 a 250 Na @ 54.4 v 68 v 100オーム
JANHCA1N4103C Microchip Technology janhca1n4103c -
RFQ
 ECAD 7404 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント 死ぬ 500 MW 死ぬ 影響を受けていない 150-janhca1n4103c ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 6.92 v 9.1 v 200オーム
CDLL5257D Microchip Technology CDLL5257D 8.4150
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 10 MW DO-213AA 影響を受けていない 150-CDLL5257D ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 25 V 33 v 58オーム
CDLL5240C Microchip Technology CDLL5240C 6.7200
RFQ
 ECAD 6438 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 10 MW DO-213AA 影響を受けていない 150-CDLL5240C ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 8 V 10 v 17オーム
CDLL5239D Microchip Technology CDLL5239D 8.4150
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 10 MW DO-213AA 影響を受けていない 150-CDLL5239D ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 7 V 9.1 v 10オーム
UZ8120 Microchip Technology UZ8120 22.4400
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して A 、軸 1 W A 、軸 影響を受けていない 150-UZ8120 ear99 8541.10.0050 1 500 NA @ 152 v 200 v 1500オーム
JANTX1N6348CUS Microchip Technology jantx1n6348cus 39.7950
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント sq-melf b 500 MW B、sq-melf 影響を受けていない 150-jantx1n6348cus ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 76 v 100 V 340オーム
CDS5526B-1 Microchip Technology CDS5526B-1 -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ 影響を受けていない 150-CDS5526B-1 ear99 8541.10.0050 50
1N1367 Microchip Technology 1N1367 44.3850
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ - スタッドマウント do-203aa 1N136 10 W do-203aa 影響を受けていない 150-1N1367 ear99 8541.10.0050 1 47 v 7オーム
1N824AE3 Microchip Technology 1N824AE3 3.9150
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） 影響を受けていない 150-1N824AE3 ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.2 v 15オーム
1N6001BUR-1 Microchip Technology 1N6001bur-1 3.5850
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 500 MW DO-213AA 影響を受けていない 150-1N6001bur-1 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 8.4 v 11 v 18オーム
CDLL5242C Microchip Technology CDLL5242C 6.7200
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 10 MW DO-213AA 影響を受けていない 150-CDLL5242C ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 9.1 v 12 v 30オーム
MQ2N5115UB Microchip Technology MQ2N5115UB 75.6238
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW ub 影響を受けていない 150-MQ2N5115UB 1 pチャネル 30 V 25pf @ 15V 30 V 15 mA @ 15 v 3 V @ 1 Na 100オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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