画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantxv1n5527bur-1/tr | 25.1902 | ![]() | 6443 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n5527bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 6.8 v | 7.5 v | 35オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n969bur-1/tr | 6.8495 | ![]() | 7544 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n969bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n750cur-1/tr | 10.2410 | ![]() | 3642 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n750cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1.5 v | 4.7 v | 19オーム | |||||||||||||||||||||
jantxv1n4488dus | 56.4150 | ![]() | 5708 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/406 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4488dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 Na @ 72.8 v | 91 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||||
jans1n4996dus | - | ![]() | 1672 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 5 W | D-5B | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 16.7 v | 22 v | 1800オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C7V5 | 2.9400 | ![]() | 2204 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±6% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | BZV55C7V5 | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5802/tr | 7.6350 | ![]() | 5952 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/477 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n5802/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 2.5 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 2.5a | 25pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||||||||
Jan1n6864us | - | ![]() | 9335 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/620 | バルク | アクティブ | 表面マウント | sq-melf b | ショットキー | B、sq-melf | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 80 v | 700 mV @ 3 a | 150 µA @ 80 V | -65°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||
JANSP2N5154 | 95.9904 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/544 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-JANSP2N5154 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | npn | 1.5V @ 500MA 、5a | 70 @ 2.5a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3164R | 201.6150 | ![]() | 8319 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3164 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3164RMS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.55 V @ 940 a | 10 ma @ 200 v | -65°C〜200°C | 300a | - | |||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3020cur-1 | 37.3500 | ![]() | 8082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3020 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µa @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | UZ5113 | 32.2650 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 5 W | b 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ5113 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 98.8 v | 130 v | 190オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3498UB/TR | 28.1250 | ![]() | 2148 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | ub | - | 影響を受けていない | 150-2N3498UB/TR | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 500 Ma | 10µa(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||
jantxv1n4117c-1 | 23.1600 | ![]() | 9878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N4117 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 19 v | 25 v | 150オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6079 | 41.1000 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/503 | バルク | アクティブ | 穴を通して | g 、軸 | 標準 | g 、軸 | - | 影響を受けていない | 150-jantx1n6079 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.5 V @ 37.7 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜155°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n4990us/tr | 13.4100 | ![]() | 7051 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 150-jan1n4990us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 167 v | 220 v | 550オーム | |||||||||||||||||||||||
jantxv1n6345dus | 68.5500 | ![]() | 7088 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n6345dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 56 v | 75 v | 180オーム | |||||||||||||||||||||||
CDLL5920C | 7.8450 | ![]() | 4817 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5920 | 1.25 w | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 2オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 2C5582 | 22.4700 | ![]() | 7767 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-2C5582 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6062 | 613.4700 | ![]() | 3466 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | スタッドマウント | TO-211MB | 150 W | to-63 | - | 影響を受けていない | 150-2N6062 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 50 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | jansl2n2907aua | 155.8004 | ![]() | 9333 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/291 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 500 MW | ua | - | 影響を受けていない | 150-jansl2n2907aua | 1 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||
1N4911 | 106.7550 | ![]() | 5955 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -25°C〜100°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N4911 | 400 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 50オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC75H45FS/TR | - | ![]() | 9700 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | Thinkey™3 | ショットキー、逆極性 | Thinkey™3 | - | 影響を受けていない | 150-MSASC75H45FS/TR | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 45 v | 650 mV @ 75 a | 7.5 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | 75a | - | |||||||||||||||||||||
jan1n6487dus/tr | - | ![]() | 4458 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | 150-jan1n6487dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 35 µA @ 1 V | 3.9 v | 9オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6857-1/tr | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/444 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | ショットキー | DO-35 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n6857-1/tr | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 20 v | 350 mv @ 1 Ma | 150 na @ 16 v | -65°C〜150°C | 150ma | |||||||||||||||||||||
![]() | cdll5239d/tr | 8.5950 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-cdll5239d/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n2832b | - | ![]() | 4454 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | To-204ad | 1N2832 | 10 W | TO-204AD(to-3) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 42.6 v | 56 v | 6オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1n4948us/tr | 13.1100 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5528 | 1.8150 | ![]() | 9632 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±20% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5528 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 na @ 6.5 v | 8.2 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6606A | - | ![]() | 6427 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 軸 | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UM6606ATR | ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 6 W | 0.4pf @ 100V、1MHz | ピン -シングル | 800V | 2.5OHM @ 100MA 、100MHz |
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