画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N825-1E3 | 4.7700 | ![]() | 3915 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N825-1E3 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||
jans1n4114d-1/tr | 94.7000 | ![]() | 5736 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans1n4114d-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.2 v | 20 v | 150オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5539bur-1 | 6.4800 | ![]() | 4461 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 1N5539 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3772 | 159.0015 | ![]() | 9547 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 6 W | to-3 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2N3772ms | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 5 Ma | 5MA | npn | 4V @ 4a 、20a | 15 @ 10a 、4V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC150H55L | - | ![]() | 1970年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC150H55L | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jans2n3637ub/tr | 113.7400 | ![]() | 8471 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/357 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1.5 w | ub | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jans2n3637ub/tr | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10µA | PNP | 600mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 50ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||
1N969B-1E3/TR | 2.1945 | ![]() | 6846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N969B-1E3/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n6353d | - | ![]() | 3050 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | b 、軸 | 500 MW | b 、軸 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 122 v | 160 v | 1200オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5945AP/TR12 | 1.8600 | ![]() | 8044 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5945 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51.2 v | 68 v | 120オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741CE3/TR13 | 1.1700 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4741 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n990bur-1/tr | - | ![]() | 7269 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n990bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 mA | 500 NA @ 122 v | 160 v | 1.7オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6097 | 72.8700 | ![]() | 1504 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N6097 | ショットキー | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N6097MS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 30 V | 600 mV @ 10 a | 2 mA @ 30 v | -65°C〜150°C | 50a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4581aur-1 | 9.5100 | ![]() | 9528 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/452 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4581 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM20HM10FG | 286.6400 | ![]() | 2048 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP6 | aptm20 | モスフェット(金属酸化物) | 694W | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(ハーフブリッジ) | 200V | 175a | 12mohm @ 87.5a 、10V | 5V @ 5MA | 224NC @ 10V | 13700pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n5523cur-1 | 49.5150 | ![]() | 6973 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/437 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N5523 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 2 µA @ 2.5 v | 5.1 v | 26オーム | ||||||||||||||||||||||||
jantx1n825-1 | 5.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | - | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N825 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 5.9 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||
JANTX1N753C-1 | 6.4200 | ![]() | 7746 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/127 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N753 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6.2 v | 7オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3039bur-1 | 18.0150 | ![]() | 6677 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N3039 | 1 W | do-213ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||||||||||||
jans1n4621-1 | 59.3250 | ![]() | 6110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD3595 | 2.2743 | ![]() | 6979 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD3595 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5519B | 2.0349 | ![]() | 6389 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD5519B | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4486us/tr | 15.8100 | ![]() | 3846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantx1n4486us/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 60 v | 75 v | 130オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2131a | 74.5200 | ![]() | 2061 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準 | do-5(do-203ab) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1N2131a | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.25 V @ 200 a | 25 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 70a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3050bur-1/tr | - | ![]() | 2097 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/115 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1.5 w | do-213ab | - | 150-jantx1n3050bur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 136.8 v | 180 v | 1200オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n3339rb | - | ![]() | 3883 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/358 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 50 W | DO-5 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µA @ 69.2 v | 91 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3912R | 48.5400 | ![]() | 2681 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3912 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.4 V @ 50 a | 200 ns | 15 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 50a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JAN1N3828A-1 | 6.8400 | ![]() | 4715 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/115 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C(タタ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2オーム | |||||||||||||||||||||||||||
jans1n6352dus/tr | - | ![]() | 3475 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/533 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 500 MW | B、sq-melf | - | 150-jans1n6352dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 50 Na @ 114 v | 150 v | 1000オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
jans1n6489dus/tr | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | ダウンロード | 150-jans1n6489dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4496cus/tr | 45.2850 | ![]() | 2792 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jantxv1n4496cus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム |
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