画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantxv1n4965dus | 33.0450 | ![]() | 6025 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf b | 5 W | e-melf | - | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4965dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 15.2 v | 20 v | 4.5オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4496dus/tr | 33.6000 | ![]() | 2939 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/406 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 150-jan1n4496dus/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 160 v | 200 v | 1500オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | cdll4931/tr | 79.8150 | ![]() | 7065 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜100°C | 表面マウント | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-cdll4931/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 v | 36オーム | ||||||||||||||||||||||
jans1n4490dus | 330.2550 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf、a | 1.5 w | D-5a | - | 影響を受けていない | 150-jans1n4490dus | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 250 na @ 88 v | 110 v | 300オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3867S | 10.9459 | ![]() | 6908 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | 2N3867 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 Ma | 100µa(icbo) | PNP | 1.5V @ 250MA 、2.5a | 40 @ 1.5a 、2V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | janhca1n963c | - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | 死ぬ | 500 MW | 死ぬ | - | 影響を受けていない | 150-janhca1n963c | ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 11.5オーム | ||||||||||||||||||||||
1N5540D | 5.6850 | ![]() | 4472 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | 影響を受けていない | 150-1N5540D | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 na @ 18 v | 20 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||
jans1n825-1 | 125.8050 | ![]() | 7116 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/159 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||
UES1104 | 23.4000 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | A 、軸 | UES1104 | 標準 | A 、軸 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3267 | 151.2750 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 1N3267 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 1N3267MS | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 300 a | 75 µA @ 400 V | -65°C〜190°C | 275a | - | |||||||||||||||||||
![]() | R50480 | 158.8200 | ![]() | 8214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | - | 影響を受けていない | 150-R50480 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.25 V @ 1000 a | 75 µA @ 800 V | -65°C〜200°C | 300a | - | |||||||||||||||||||||
jantx1n5618us/tr | 9.1500 | ![]() | 8399 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/427 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | sq-melf、a | 標準 | D-5a | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx1n5618us/tr | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4114cur-1/tr | 25.6690 | ![]() | 1684 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4114cur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 15.2 v | 20 v | 150オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5370AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 8163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5370 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 v | 56 v | 35オーム | ||||||||||||||||||||
jantxv1n971c-1/tr | 8.0332 | ![]() | 7106 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n971c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5919CE3/TR13 | - | ![]() | 4220 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5919 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 2オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | CD6311 | 2.1014 | ![]() | 1295 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | 表面マウント | 死ぬ | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CD6311 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
1N5915A/TR | 2.8462 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.25 w | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5915A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 7.5オーム | ||||||||||||||||||||||
jantxv1n982c-1/tr | 6.8628 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/117 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n982c-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 270オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC75H15F/TR | - | ![]() | 5512 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-MSASC75H15F/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7780R | 468.9900 | ![]() | 7872 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | スタッド | 10 W | 軸 | - | 影響を受けていない | 150-UZ7780R | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 60.8 v | 80 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n3012rb | 538.8900 | ![]() | 6831 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/124 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | スタッドマウント | do-203aa | 10 W | do-213aa | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 a | 10 µA @ 121.6 v | 160 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3829 | 10.1250 | ![]() | 6738 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | CDLL3829 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan1n4977/tr | 5.9451 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | E 、軸 | 5 W | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan1n4977/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 47.1 v | 62 v | 42オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4754A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 7498 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBJ4754 | 2 W | smbj( do-214aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | CDS3024B-1 | - | ![]() | 1843年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS3024B-1 | ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4679UR-1 | 5.0850 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4679 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 2 v | |||||||||||||||||||||
jantxv1n4972us | 15.9750 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/356 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | sq-melf e | 1N4972 | 5 W | D-5B | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 a | 2 µA @ 29.7 v | 39 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||
jans1n6314c | 280.2750 | ![]() | 2592 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/533 | トレイ | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N6314 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | GC4220-00 | - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 死ぬ | チップ | - | 影響を受けていない | 150-GC4220-00 | 1 | 10 Ma | 0.06pf @ 10V、1MHz | ピン -シングル | 250V | 2.5OHM @ 20MA、1GHz |
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