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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
CD4751	2.0700	RFQ	7065	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			1 W	死ぬ	-	影響を受けていない	150-CD4751	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 22.8 v						30 V	40オーム
1N4614	3.4350	RFQ	8317	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-	影響を受けていない	150-1N4614	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		7.5 µA @ 1 V						1.8 v	1200オーム
UZ8710	22.4400	RFQ	3080	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-	影響を受けていない	150-UZ8710	ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 7.6 v						10 v	7オーム
1N959A	2.7150	RFQ	3258	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-	影響を受けていない	150-1N959A	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 6.2 v						8.2 v	6.5オーム
JANKCA1N5540C	-	RFQ	9405	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/437	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	影響を受けていない	150-jankca1n5540c	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		10 na @ 18 v						20 v	100オーム
1N1368	44.3850	RFQ	6346	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-	スタッドマウント	do-203aa	1N136		10 W	do-203aa	-	影響を受けていない	150-1N1368	ear99	8541.10.0050	1											51 v	8オーム
1N4436ft	204.6750	RFQ	1417	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜160°C	シャーシマウント	フィットを押します		標準		フィットを押します	ダウンロード	影響を受けていない	150-1N4436ft	ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 10 a		10 µA @ 200 v		10 a		単相	200 v
1N4436F	204.6750	RFQ	3423	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜160°C	シャーシマウント	フィットを押します		標準		フィットを押します	ダウンロード	影響を受けていない	150-1N4436F	ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 10 a		10 µA @ 200 v		10 a		単相	200 v
jantxv1n6345c	37.5300	RFQ	7107	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	影響を受けていない	150-jantxv1n6345c	ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		50 Na @ 56 v						75 v	180オーム
CD5997B	4.3350	RFQ	1402	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-	影響を受けていない	150-CD5997B	ear99	8541.10.0050	1
UZ111	22.4400	RFQ	5020	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-	影響を受けていない	150-UZ111	ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 83.6 v						110 v	250オーム
UZ7870	-	RFQ	7761	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-	影響を受けていない	150-UZ7870	ear99	8541.10.0050	100					10 µA @ 50.4 v						70 v	40オーム
1N3618	44.1600	RFQ	7600	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準		DO-4 （DO-203AA）	-	影響を受けていない	150-1N3618	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	200 v	1 V @ 30 a		10 µA @ 200 v	-65°C〜200°C	16a	-
CD5525	2.2950	RFQ	3308	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-	影響を受けていない	150-CD5525	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 5 V						6.2 v	30オーム
CDS758AUR-1	-	RFQ	4846	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-	影響を受けていない	150-CDS758AUR-1	ear99	8541.10.0050	50
janhca1n977d	-	RFQ	7511	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	死ぬ			500 MW	死ぬ	-	影響を受けていない	150-janhca1n977d	ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 35.8 v						47 v	105オーム
1N4762UR-1	3.4650	RFQ	5897	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	影響を受けていない	150-1N4762UR-1	ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 62.2 v						82 v	200オーム
UZ7724	468.9900	RFQ	1928年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	スタッド			10 W	軸	-	影響を受けていない	150-UZ7724	ear99	8541.10.0050	1					20 µA @ 18.2 v						24 v	5オーム
UZ8820	22.4400	RFQ	5527	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-	影響を受けていない	150-UZ8820	ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 14.4 v						20 v	22オーム
jantxv1n6325d	45.0600	RFQ	1314	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	影響を受けていない	150-jantxv1n6325d	ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 a		1 µA @ 8.5 v						11 v	7オーム
1N4625D	6.5700	RFQ	6368	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-	影響を受けていない	150-1N4625D	ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V						5.1 v	1500オーム
CDS3827A-1	-	RFQ	4793	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-	影響を受けていない	150-CDS3827A-1	ear99	8541.10.0050	50
1N5116SM	27.0900	RFQ	7334	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			3 W	a sq-melf	-	影響を受けていない	150-1N5116SM	ear99	8541.10.0050	1
SBR6030	148.2150	RFQ	8946	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド		ショットキー		do-203ab（do-5）	-	影響を受けていない	150-SBR6030	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	30 V	480 mV @ 60 a		5 ma @ 30 v	-65°C〜150°C	60a	-
UZ5222	32.2650	RFQ	3575	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	b 、軸			5 W	b 、軸	-	影響を受けていない	150-UZ5222	ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 158 v						220 v	550オーム
UZ8220	22.4400	RFQ	2862	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-	影響を受けていない	150-UZ8220	ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 144 v						200 v	1500オーム
1N4484C	17.7000	RFQ	8839	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO041、軸			1.5 w	DO-41	ダウンロード	影響を受けていない	150-1N4484C	ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 a		250 Na @ 49.6 v						62 v	80オーム
UZ818	-	RFQ	3197	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-	影響を受けていない	150-UZ818	ear99	8541.10.0050	100
jantxv1n4148ubcdp	33.6490	RFQ	9409	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/116	バルク	アクティブ			表面マウント	3-SMD 、リードなし		標準		UBC	-	影響を受けていない	150-jantxv1n4148ubcdp	ear99	8541.10.0070	1	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	75 v	1.2 V @ 100 MA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4PF @ 0V、1MHz
UZ8814	22.4400	RFQ	5567	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-	影響を受けていない	150-UZ8814	ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 10.1 v						14 v	12オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²