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離散半導体製品（41164）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG ciss ）（ max @ vds フェット機能 ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
2N4858U Microchip Technology 2N4858U 97.8750
RFQ
 ECAD 6353 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 2N4858 360 MW ub - 影響を受けていない 150-2N4858U 1 nチャネル 40 v 18pf @ 10V 40 v 8 ma @ 15 v 800 mV @ 500 Pa 60オーム
JAN1N5542BUR-1 Microchip Technology jan1n5542bur-1 14.4600
RFQ
 ECAD 8849 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 1N5542 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 21.6 v 24 v 100オーム
JANS1N4129CUR-1 Microchip Technology jans1n4129cur-1 97.9650
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 500 MW DO-213AA - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 47.1 v 62 v 500オーム
SMBJ4757A/TR13 Microchip Technology SMBJ4757A/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ4757 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 38.8 v 51 v 95オーム
S16-4150E3/TR7 Microchip Technology S16-4150E3/TR7 2.8950
RFQ
 ECAD 5560 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） S16-4150 標準 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 500 高速回復= <500ns 8独立 50 v 400MA （DC） 1 V @ 200 mA 4 ns 100 Na @ 50 V -55°C〜150°C
1N5231B/TR Microchip Technology 1N5231B/TR 2.5935
RFQ
 ECAD 5447 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-1N5231B/TR ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 5.1 v 17オーム
1N5919E3/TR13 Microchip Technology 1N5919E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±20％ -65°C〜150°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N5919 1.5 w do-204al（do-41） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 3 V 5.6 v 2オーム
S504160 Microchip Technology S504160 158.8200
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SR504 バルク アクティブ スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド 標準 do-205ab（do-9） - 影響を受けていない 150-S504160 ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1600 v 1.25 V @ 1000 a 75 µA @ 1600 v -65°C〜200°C 300a -
1PMT5939E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5939E3/TR7 0.7350
RFQ
 ECAD 8159 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±20％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT5939 3 W DO-216AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 29.7 v 39 v 45オーム
1N2832A Microchip Technology 1N2832a 94.8900
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±10％ -65°C〜175°C 穴を通して To-204ad 1N2832 50 W TO-204AD（to-3） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µA @ 42.6 v 56 v 6オーム
SMAJ4746CE3/TR13 Microchip Technology SMAJ4746CE3/TR13 0.6450
RFQ
 ECAD 2455 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AC、SMA SMAJ4746 2 W DO-214AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 13.7 v 18 v 20オーム
MV2N5116UB Microchip Technology MV2N5116UB 95.6403
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW ub - 影響を受けていない 150-MV2N5116UB 1 pチャネル 30 V 27pf @ 15V 30 V 5 ma @ 15 v 1 V @ 1 Na 175オーム
HSM840GE3/TR13 Microchip Technology HSM840GE3/TR13 1.3950
RFQ
 ECAD 9355 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント do-215ab 、mcガルウィング HSM840 ショットキー DO-215AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 620 mv @ 8 a 250 µA @ 40 V -55°C〜175°C 8a -
1N4916A Microchip Technology 1N4916A 42.1350
RFQ
 ECAD 7418 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ ±5％ -55°C〜100°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N4916 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 19.2 v 600オーム
1PMT5946CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5946CE3/TR7 0.7350
RFQ
 ECAD 9326 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント DO-216AA 1PMT5946 3 W DO-216AA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 56 v 75 v 140オーム
JAN1N3044CUR-1/TR Microchip Technology jan1n3044444cur-1/tr 29.0339
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/115 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -55°C〜175°C 表面マウント do-213ab、メルフ（ガラス） 1 W do-213ab ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n3044cur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 76 v 100 V 350オーム
JANTX1N4099UR-1/TR Microchip Technology JANTX1N40999999999/TR 9.5627
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantx1n409999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999999 ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 5.17 v 6.8 v 200オーム
SMBJ5947BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5947BE3/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBJ5947 2 W smbj（ do-214aa） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 62.2 v 82 v 160オーム
JAN2N3499 Microchip Technology Jan2N3499 15.9201
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/366 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 2N3499 1 W to-39 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 100 V 500 Ma 10µa（icbo） npn 600MV @ 30MA、300MA 100 @ 150ma 、10V -
1N6000UR-1/TR Microchip Technology 1n6000ur-1/tr 3.7400
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA 500 MW DO-213AA - ear99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 mA 10 v
JANTX1N5536BUR-1 Microchip Technology jantx1n5536bur-1 14.7600
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 1N5536 500 MW DO-213AA ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 14.4 v 16 v 100オーム
JAN1N6334C Microchip Technology Jan1n6334c 39.6300
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/533 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - 影響を受けていない 150-jan1n6334c ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 Na @ 21 V 27 v 27オーム
JANTX1N821-1/TR Microchip Technology jantx1n821-1/tr 4.6200
RFQ
 ECAD 6643 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/159 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantx1n821-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 2 µA @ 3 V 6.2 v 15オーム
JAN1N4106D-1/TR Microchip Technology jan1n4106d-1/tr 11.7838
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n4106d-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 50 Na @ 9.2 v 12 v 200オーム
JAN1N6620 Microchip Technology Jan1N6620 7.0651
RFQ
 ECAD 9189 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/585 バルク アクティブ 穴を通して A 、軸 1N6620 標準 A 、軸 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 220 v 1.6 V @ 2 a 30 ns 500 NA @ 220 V -65°C〜150°C 2a 10pf @ 10V、1MHz
JANTX1N5529C-1 Microchip Technology JANTX1N5529C-1 19.6050
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/437 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5529 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 8.2 v 9.1 v 45オーム
1N5539D/TR Microchip Technology 1n5539d/tr 14.4000
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±1％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） - 影響を受けていない 150-1N5539d/tr ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 mA 10 Na @ 17.1 v 19 v 100オーム
JAN1N3018CUR-1 Microchip Technology Jan1n3018cur-1 32.5950
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/115 バルク アクティブ ±2％ -55°C〜175°C 表面マウント do-213ab、メルフ（ガラス） 1N3018 1 W do-213ab ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 mA 150 µA @ 5.2 v 8.2 v 4.5オーム
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75STG 164.9400
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C （TJ シャーシマウント SP4 APTM50 モスフェット（金属酸化物） 357W SP4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル（ハーフブリッジ） 500V 46a 90mohm @ 23a 、10V 5V @ 2.5MA 123NC @ 10V 5600PF @ 25V -
JAN1N4617CUR-1/TR Microchip Technology jan1n4617cur-1/tr 15.0024
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/435 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±2％ -65°C〜175°C 表面マウント do-213aa （ガラス） 500 MW DO-213AA - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan1n4617cur-1/tr ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 mA 1 µA @ 1 V 2.4 v 1400オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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