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離散半導体製品（41164）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jans1n4960us	92.0400	RFQ	9381	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e	1N4960		5 W	D-5B	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a	10 µA @ 9.1 v							12 v	2.5オーム
1N5921APE3/TR12	0.9150	RFQ	4596	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5921		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000													1.2 V @ 200 mA	5 µA @ 5.2 v							6.8 v	2.5オーム
jantx1n4956/tr	6.2909	RFQ	4977	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸			5 W	-	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n4956/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a	50 µA @ 6.2 v							8.2 v	1.5オーム
GC4802-14	-	RFQ	4133	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C		2-SMD 、フラットリード				-	-			影響を受けていない	150-GC4802-14	ear99	8541.10.0060	1															0.07pf @ 50V 、2.2GHz			ピン -シングル	100V				3OHM @ 50MA 、2.2GHz
jans1n4976cus	343.6210	RFQ	3956	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4976cus	ear99	8541.10.0050	1
jan1n4120ur-1	8.7150	RFQ	2473	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N4120			DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	10 Na @ 22.8 v							30 V	200オーム
jans1n6312dus	-	RFQ	1957年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	sicで中止されました	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 a	5 µA @ 1 V							3.3 v	27オーム
jantxv1n4624dur-1	-	RFQ	6751	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	バルク	sicで中止されました	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	5 µA @ 3 V							4.7 v	1550オーム
cdll5527c/tr	12.3900	RFQ	1865年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			影響を受けていない	150-CDLL5527C/TR	ear99	8541.10.0050	100													1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 6.8 v							7.5 v	35オーム
1N4470US/TR	10.3341	RFQ	6314	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	a sq-melf	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4470US/TR	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a	50 Na @ 12.8 v							16 v	10オーム
MIC94051BM4 TR	-	RFQ	2495	マイクロチップテクノロジー	Symfet™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-253-4、to-253aa		モスフェット（金属酸化物）		SOT-143	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル	6 v	1.8a（ta）	1.8V 、4.5V	160mohm @ 100ma 、4.5V	1.2V @ 250µA		6V	600 pf @ 5.5 v	-	568MW
APTM50AM38SCTG	216.1517	RFQ	8836	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM50	炭化シリコン（原文）	694W	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）		500V	90a		45mohm @ 45a 、10V	5V @ 5MA	246NC @ 10V		11200pf @ 25V	-
1n937be3/tr	10.3500	RFQ	7523	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	-			影響を受けていない	150-1N937BE3/TR	ear99	8541.10.0050	100														10 µA @ 6 V							9 v	20オーム
1n4737aur/tr	3.6200	RFQ	5160	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-					ear99	8541.10.0050	272													1.2 V @ 200 mA	10 µA @ 5 V							7.5 v	4オーム
jans1n6334cus/tr	527.7150	RFQ	9505	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jans1n6334cus/tr	ear99	8541.10.0050	50													1.4 V @ 1 a	50 Na @ 21 V							27 v	27オーム
jan1n4989c	29.5500	RFQ	1573	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/356	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	E 、軸	1N4989		5 W	E 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a	2 µA @ 152 v							200 v	500オーム
MSCSM120DHM31CTBL2NG	185.2400	RFQ	2760	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120	炭化シリコン（原文）	310W	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120DHM31CTBL2NG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（デュアル）非対称		1200V	79a		31mohm @ 40a 、20V	2.8V @ 1MA	232NC @ 20V		3020pf @ 1000V	-
S20430	33.4500	RFQ	6882	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-S20430			1
jantxv1n970bur-1	7.5600	RFQ	4081	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	1N970		500 MW	DO-213AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	500 NA @ 18 V							24 v	33オーム
Jansh2N3439U4	473.2000	RFQ	6883	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			800 MW	U4	-			影響を受けていない	150-Jansh2N3439U4			1																350 V	1 a			2µA				npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2C6350	72.9600	RFQ	2283	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C6350			1
1N5360/TR12	2.6250	RFQ	1867年	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5360		5 W	T-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 a	500 NA @ 18 V							25 v	4オーム
jan1n4578aur-1/tr	20.5950	RFQ	7685	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4578aur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1														2 µA @ 3 V							6.4 v	50オーム
1N5968US/TR	60.5815	RFQ	7172	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf e			5 W	D-5B	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5968US/TR	ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a	5 mA @ 4.28 v							5.6 v	1オーム
1N5524/tr	1.9950	RFQ	4061	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±20％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-			影響を受けていない	150-1N5524/tr	ear99	8541.10.0050	477													1.1 V @ 200 mA	2 µA @ 3 V							5.6 v
1N2982RBE3	40.7700	RFQ	4094	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203aa	1N2982		10 W	do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 a	10 µA @ 13.7 v							18 v	4オーム
jantx1n6490us/tr	35.6100	RFQ	104	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/406	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf、a			1.5 w	D-5a	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 a	1 µA @ 1 V							5.1 v	7オーム
1N4620-1/TR	2.5137	RFQ	8304	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	DO-204AA			500 MW	DO-7	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N4620-1/TR	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	3.5 µA @ 1.5 V							3.3 v	1650オーム
Jan1n4617c-1/tr	8.6317	RFQ	3908	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/435	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan1n4617c-1/tr	ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 mA	1 µA @ 1 V							2.4 v	1400オーム
jantx1n6334dus/tr	58.0500	RFQ	4423	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-				150-jantx1n6334dus/tr	ear99	8541.10.0050	100													1.4 V @ 1 a	50 Na @ 21 V							27 v	27オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²