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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB84-B6V8,215 | - |  | 2986 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144WMB 、315 | 0.0200 | | 149 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | 180 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS303PX 、115 | - | | 6145 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2005EPK 315 | 0.0500 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 2-xdfn | ショットキー | DFN1608D-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 6,086 | 高速回復= <500ns | 20 v | 410 MV @ 500 MA | 3 ns | 130 µA @ 10 V | 150°C （最大） | 500mA | 35pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD2125 | 1.0000 | | 6250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMLL4148L 、115 | 0.0200 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMLL4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C43,215 | 0.0200 | | 8006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZB84 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857AQAZ | 0.0300 | | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | BC857 | 280 MW | DFN1010D-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 400MV @ 5MA 、100mA | 125 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4081R | - | | 2701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C5V1,135 | 0.0200 | | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7611-55a 、118 | 0.5700 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 523 | nチャネル | 55 v | 75a（tc） | 10V | 11mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | ±20V | 3093 PF @ 25 V | - | 166W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856B 、235 | 0.0200 | | 26 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | BC856 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C36,215 | 1.0000 | | 3141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C33,133 | 0.0400 | | 58 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | 200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 23 V | 33 v | 45オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX9V1B 、133 | 0.0200 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX9 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C12215 | 0.0200 | | 81 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU2.7BL315 | 0.0300 | | 138 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C51,115 | 0.0200 | | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS76SB21145 | 0.0400 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1ps76s | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C10,115 | - | | 2351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU3.0B1A 、115 | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 100 MA | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU5.6B2,115 | - | | 5377 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU5.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C39,235 | 0.0200 | | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4201V、115 | - | | 9047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143XMB315 | 0.0300 | | 159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40-06W 、115 | 0.0300 | | 1573 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS40 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA216-800B 、127 | 1.0000 | | 1020 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5220T 、215 | - | | 9502 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX3V3A 、133 | 0.0200 | | 68 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| nzx3v9b、133 | 0.0200 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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