SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在-hold(ihmax) 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
BZB84-B62,215 NXP USA Inc. BZB84-B62,215 0.0300
RFQ
ECAD 35 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,823 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 43.4 v 62 v 215オーム
1N4744A,113 NXP USA Inc. 1N4744a 、113 -
RFQ
ECAD 2069 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1N47 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000
PDTA124EU,135 NXP USA Inc. PDTA124EU 、135 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA124 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000
PBSS4021SN,115 NXP USA Inc. PBSS4021SN 、115 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000
BZX384-C5V6,115 NXP USA Inc. BZX384-C5V6,115 0.0200
RFQ
ECAD 3976 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX384 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZT52H-C15,115 NXP USA Inc. BZT52H-C15,115 0.0200
RFQ
ECAD 125 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZT52 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PEMB19,115 NXP USA Inc. pemb19,115 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ pemb1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000
BUK761R6-40E,118 NXP USA Inc. BUK761R6-40E 、118 -
RFQ
ECAD 6331 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 64 nチャネル 40 v 120a(tc) 10V 1.6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 145 NC @ 10 V ±20V 11340 PF @ 25 V - 349W
PEMD14,115 NXP USA Inc. PEMD14,115 0.0600
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 PEMD14 300MW SOT-666 ダウンロード ear99 8541.21.0095 2,000 50V 100mA 1µA 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 150mv @ 500µa 、10ma 100 @ 1MA 、5V - 47kohms -
PZU4.7B2,135 NXP USA Inc. PZU4.7B2,135 -
RFQ
ECAD 6665 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU4.7 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PDTA115TU,115 NXP USA Inc. PDTA115TU 、115 0.0200
RFQ
ECAD 206 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PBLS2001D,115 NXP USA Inc. PBLS2001D 、115 0.0700
RFQ
ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBLS20 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BAV70QA147 NXP USA Inc. bav70qa147 0.0300
RFQ
ECAD 185 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント 3-XDFN露出パッド bav70 標準 DFN1010D-3 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペア共通カソード 100 V 175ma dc) 1.25 V @ 150 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
BUK7K89-100EX NXP USA Inc. buk7k89-100ex 1.0000
RFQ
ECAD 3505 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SOT-205、8-LFPAK56 buk7k89 モスフェット(金属酸化物) 38W LFPAK56D ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 2 nチャンネル(デュアル) 100V 13a 82.5mohm @ 5a、10V 4V @ 1MA 13.6NC @ 10V 811pf @ 25V -
PBSS5320X,135 NXP USA Inc. PBSS5320X 、135 0.0700
RFQ
ECAD 310 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000
NZX3V9C133 NXP USA Inc. NZX3V9C133 0.0200
RFQ
ECAD 4453 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 3,484
PMPB15XP,115 NXP USA Inc. PMPB15XP 、115 -
RFQ
ECAD 4830 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド モスフェット(金属酸化物) DFN2020MD-6 ダウンロード ear99 8541.29.0095 280 pチャネル 12 v 8.2a(ta) 1.8V 、4.5V 19mohm @ 8.2a 、4.5V 900MV @ 250µA 100 NC @ 4.5 v ±12V 2875 PF @ 6 V - 1.7W (TA )、 12.5W (TC
BZX884-C24,315 NXP USA Inc. BZX884-C24,315 0.0300
RFQ
ECAD 107 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
NZX4V3C,133 NXP USA Inc. nzx4v3c、133 0.0200
RFQ
ECAD 76 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX4 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BUK964R2-80E118 NXP USA Inc. BUK964R2-80E118 -
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0095 1
BYV29FX-600,127 NXP USA Inc. BYV29FX-600,127 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F ダウンロード ear99 8541.10.0080 727 高速回復= <500ns 600 V 1.9 V @ 8 a 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 9a -
PMEG2005CT,215 NXP USA Inc. PMEG2005CT 、215 -
RFQ
ECAD 4000 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMEG2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
MMBT3906,215 NXP USA Inc. MMBT3906,215 -
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード 0000.00.0000 1 40 v 200 ma 50na(icbo) PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
PMPB29XNE,115 NXP USA Inc. PMPB29XNE 、115 0.0800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFDFN露出パッド モスフェット(金属酸化物) DFN1010B-6 ダウンロード ear99 8541.29.0095 3,652 nチャネル 30 V 5a(ta) 1.8V 、4.5V 33mohm @ 5a 、4.5V 900MV @ 250µA 18.6 NC @ 4.5 v ±12V 1150 PF @ 15 V - 1.7W (TA )、 12.5W (TC
NZX12C,133 NXP USA Inc. NZX12C 、133 -
RFQ
ECAD 1580 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 8 V 12 v 35オーム
BTA208-600E,127 NXP USA Inc. BTA208-600E、127 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 TO-220AB ダウンロード ear99 8541.30.0080 760 シングル 25 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 8 a 1.5 v 65a 、72a 10 Ma
PZU2.7B1,115 NXP USA Inc. PZU2.7B1,115 0.0400
RFQ
ECAD 44 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU2.7 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU18B2L315 NXP USA Inc. PZU18B2L315 0.0300
RFQ
ECAD 70 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,764
BC846,215 NXP USA Inc. BC846,215 0.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 65 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 100MHz
PBSS5330X,135 NXP USA Inc. PBSS5330X 、135 1.0000
RFQ
ECAD 9808 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-243AA 1.6 W SOT-89 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 30 V 3 a 100na(icbo) PNP 320MV @ 300MA、3a 175 @ 1a 、2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫