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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PEMD20,115 NXP USA Inc. PEMD20,115 0.0600
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 PEMD20 300MW SOT-666 ダウンロード ear99 8541.21.0095 411 50V 100mA 1µA 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V - 2.2kohms 2.2kohms
BLF8G10LS-160,112 NXP USA Inc. BLF8G10LS-160,112 -
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v シャーシマウント SOT-502B 920MHz〜960MHz ldmos SOT502B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 4 5µA 1.1 a 35W 19.7db - 30 V
PZM12NB2A,115 NXP USA Inc. PZM12NB2A 、115 -
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±2％ - 表面マウント TO-236-3 PZM12 220 MW SMT3; mpak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 100 na @ 9 v 12 v 10オーム
BCV62B,235 NXP USA Inc. BCV62B 、235 0.1400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 30V 現在のミラー 表面マウント to-253-4、to-253aa BCV62 SOT-143B ダウンロード ear99 8541.21.0075 2,092 100mA 2 PNP （デュアル）電流ミラー
MMRF1315NR1 NXP USA Inc. MMRF1315NR1 -
RFQ
 ECAD 4260 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 66 v 表面マウント TO-270-2 MMRF1 880MHz ldmos TO-270-2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 500 - 450 Ma 14W 21.1db - 28 v
BCX52-10,115 NXP USA Inc. BCX52-10,115 -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCX52 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000
PH1225AL,115 NXP USA Inc. PH1225AL 、115 0.2200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ - 表面マウント SOT-1023、4-LFPAK モスフェット（金属酸化物） LFPAK56; Power-So8 - ear99 8541.29.0095 1,374 nチャネル 25 v 100a（tc） 1.2mohm @ 15a 、10V 2.15V @ 1MA 105 NC @ 10 V 6380 PF @ 12 v - -
BAS16T,115 NXP USA Inc. BAS16T 、115 -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 BAS16 標準 SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1.25 V @ 150 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大） 155ma 1.5pf @ 0V、1MHz
PSMN2R1-40PLQ NXP USA Inc. psmn2r1-40plq 1.3700
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ear99 8541.29.0095 95 nチャネル 40 v 150a 10V 2.2mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 87.8 NC @ 5 V ±20V 9584 PF @ 25 V - 293W
BZV55-C36,115 NXP USA Inc. BZV55-C36,115 -
RFQ
 ECAD 9181 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500
1N4734A,133 NXP USA Inc. 1N4734a 、133 -
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1N47 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000
BZV85-C24,113 NXP USA Inc. BZV85-C24,113 0.0300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1.3 w DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 17 V 24 v 30オーム
BC847AW NXP USA Inc. BC847AW -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 100MHz
MRFE6S9130HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9130HSR5 -
RFQ
 ECAD 3762 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 66 v シャーシマウント NI-780S Mrfe6 880MHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 950 Ma 27W 19.2db - 28 v
PMPB12UN,115 NXP USA Inc. PMPB12UN 、115 -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-udfn露出パッド PMPB12 モスフェット（金属酸化物） 6-dfn2020md（2x2） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 20 v 7.9a（ta） 1.8V 、4.5V 18mohm @ 7.9a 、4.5V 1V @ 250µA 13 NC @ 4.5 v ±8V 886 PF @ 10 V - 1.7W （TA ）、 12.5W （TC
PZU24B,115 NXP USA Inc. PZU24B 、115 -
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU24 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
MRF8P26080HSR5 NXP USA Inc. MRF8P26080HSR5 -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 65 v 表面マウント NI-780S-4L MRF8 2.62GHz ldmos NI-780S-4L - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル - 300 Ma 14W 15dB - 28 v
BLC8G24LS-240AVJ NXP USA Inc. BLC8G24LS-240AVJ -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 65 v シャーシマウント SOT-1252-1 BLC8 2.3GHz〜2.4GHz ldmos SOT1252-1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 934067995118 ear99 8541.29.0075 100 デュアル - 800 Ma 63W 15dB - 30 V
BFG10/X,215 NXP USA Inc. BFG10/X 、215 -
RFQ
 ECAD 3630 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-253-4、to-253aa BFG10 400MW SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 7db 8V 250ma npn 25 @ 50ma 、5V 1.9GHz -
BZX284-B16,115 NXP USA Inc. BZX284-B16,115 -
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-10 BZX284 400 MW SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 11.2 v 16 v 20オーム
MRF373ALR5 NXP USA Inc. MRF373ALR5 -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 70 v シャーシマウント NI-360 MRF37 860MHz ldmos NI-360 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 200 ma 75W 18.2db - 32 v
MRF7S38010HR5 NXP USA Inc. MRF7S38010HR5 -
RFQ
 ECAD 6683 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-400-240 MRF7 3.4GHz3.6GHz ldmos NI-400-240 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 160 Ma 2W 15dB - 30 V
A2T14H450-23NR6 NXP USA Inc. A2T14H450-23NR6 110.1408
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 65 v シャーシマウント OM-1230-4L2S A2T14 1.452GHz1.511GHz ldmos OM-1230-4L2S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935316214528 ear99 8541.29.0075 150 10µA 1 a 18.8db - 31 v
MMRF1018NR1 NXP USA Inc. MMRF1018NR1 -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 120 v 表面マウント TO-270-4 MMRF1 860MHz ldmos TO-270 WB-4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935320384528 ear99 8541.29.0075 500 - 350 Ma 18W 22dB - 50 v
BZB84-C2V7,215 NXP USA Inc. BZB84-C2V7,215 -
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード 0000.00.0000 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
BZX585-C13,115 NXP USA Inc. BZX585-C13,115 -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 300 MW SOD-523 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 100 µA @ 8 V 13 v 10オーム
A5G35S004N-3400 NXP USA Inc. A5G35S004N-3400 105.4700
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125 v 表面マウント 6-LDFN露出パッド 3.3GHz〜4.3GHz - 6-PDFN （4x4.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 - - 12 Ma 24.5dbm 16.9db - 48 v
PMEG3005AEV,115 NXP USA Inc. PMEG3005AEV 、115 0.0500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMEG3005 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 4,000
PZM12NB3,115 NXP USA Inc. PZM12NB3,115 -
RFQ
 ECAD 6631 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PZM12 300 MW SMT3; mpak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 100 na @ 9 v 12 v 10オーム
MMRF1312HR5 NXP USA Inc. MMRF1312HR5 652.3000
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 112 v シャーシマウント SOT-979A MMRF1312 1.03GHz ldmos NI-1230-4H ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 デュアル - 100 Ma 1000W 19.6db - 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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