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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV85-C24,113 | 0.0300 |  | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 17 V | 24 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP53,115 | - | | 5312 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCP53 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMT1,115 | 0.0300 | | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | pumt1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144EU/ZL115 | 0.0200 | | 2171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 2,750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX6V8D 、133 | 0.0200 | | 98 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU12B2,115 | - | | 1695 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU12 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ2.7BGW115 | 1.0000 | | 9956 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMLL4153,115 | 0.0200 | | 214 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMLL4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BST60,115 | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-243AA | 1.3 w | SOT-89 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 1 a | 50NA | pnp-ダーリントン | 1.3V @ 500µA 、500mA | 2000 @ 500MA 、10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C27,215 | 0.0200 | | 6165 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 3,392 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C5V6,115 | 0.0200 | | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX8V2A 、133 | 0.0200 | | 8367 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX9V1D 、133 | 0.0200 | | 178 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX9 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU18BA 、115 | - | | 3726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,315 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 13 V | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMV40UN2215 | - | | 4352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk7m21-40e、115 | - | | 4797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk7y113-100e115 | 1.0000 | | 4437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9219-55a 、118 | 0.5400 | | 555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット（金属酸化物） | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 555 | nチャネル | 55 v | 55a（tc） | 4.5V 、10V | 17.6mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | ±10V | 2920 PF @ 25 V | - | 114W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk962r6-40e 、118 | 1.2200 | | 640 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 246 | nチャネル | 40 v | 100a（tc） | 5V、10V | 2.4mohm @ 25a 、10V | 2.1V @ 250µA | 80.6 NC @ 32 v | ±10V | 10285 PF @ 25 V | - | 263W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V3,235 | 0.0200 | | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP5501Y、135 | 0.0900 | | 159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PMP5501 | 300MW | SOT-363 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 100mA | 15NA | 2 PNP （デュアル）マッチングペア | 400MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 175MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-40,235 | - | | 6680 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC817 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ACT108-600D 、412 | 0.1400 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,697 | シングル | 20 ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 900 mV | 8a 、8.8a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA420-800CT、127 | - | | 9240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | シングル | 40 Ma | 標準 | 800 V | 20 a | 1 v | 200a 、220a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002BKV 、115 | - | | 8792 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2N70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C10,115 | - | | 1491 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B6V8,215 | - | | 2986 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B27,113 | 0.0200 | | 284 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV34-600,127 | 0.6400 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv34 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 385 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.48 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C （最大） | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A16215 | - | | 5895 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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