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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
NZX11D133 NXP USA Inc. NZX11D133 0.0200
RFQ
ECAD 86 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BCX71H,235 NXP USA Inc. BCX71H 、235 0.0200
RFQ
ECAD 80 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 Ma 20na(icbo) PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 180 @ 2MA 、5V 100MHz
BCM847DS,115 NXP USA Inc. BCM847DS 、115 -
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCM84 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BCX51,115 NXP USA Inc. BCX51,115 0.0700
RFQ
ECAD 45 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-243AA 1.3 w SOT-89 ダウンロード ear99 8541.29.0075 4,133 45 v 1 a 100na(icbo) PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 145MHz
BLF2425M8LS140112 NXP USA Inc. BLF2425M8LS140112 -
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 65 v 2.45GHz ldmos - 0000.00.0000 1 - 1.3 a 140W 19db - 28 v
PDTA143XMB315 NXP USA Inc. PDTA143XMB315 0.0300
RFQ
ECAD 180 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PDTA144WMB,315 NXP USA Inc. PDTA144WMB 、315 0.0200
RFQ
ECAD 149 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA144 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 60 @ 5MA 、5V 180 MHz 47 Kohms 22 Kohms
PBSS303PX,115 NXP USA Inc. PBSS303PX 、115 -
RFQ
ECAD 6145 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000
PMEG2005EPK,315 NXP USA Inc. PMEG2005EPK 315 0.0500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 2-xdfn ショットキー DFN1608D-2 ダウンロード ear99 8541.10.0070 6,086 高速回復= <500ns 20 v 410 MV @ 500 MA 3 ns 130 µA @ 10 V 150°C (最大) 500mA 35pf @ 1V、1MHz
BZX84-B47,215 NXP USA Inc. BZX84-B47,215 0.0200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 32.9 v 47 v 170オーム
BZV90-C2V7,115 NXP USA Inc. BZV90-C2V7,115 0.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.5 w SOT-223 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1,960 1 V @ 50 mA 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
BZT52H-C75,115 NXP USA Inc. BZT52H-C75,115 -
RFQ
ECAD 3025 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZT52 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BUJ302AX,127 NXP USA Inc. buj302ax、127 1.0000
RFQ
ECAD 6342 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ 26 W TO-220F ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 400 V 4 a 250µA npn 1.5V @ 1a 、3.5a 25 @ 800ma、3V -
BZV55-C47,115 NXP USA Inc. BZV55-C47,115 0.0200
RFQ
ECAD 16 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500
BCV27,215 NXP USA Inc. BCV27,215 0.0400
RFQ
ECAD 160 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCV27 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
PBSS4160DPN,115 NXP USA Inc. PBSS4160DPN 、115 0.0800
RFQ
ECAD 5790 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
PZU5.1B2,115 NXP USA Inc. PZU5.1B2,115 -
RFQ
ECAD 7198 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU5.1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PDTC123JMB315 NXP USA Inc. PDTC123JMB315 0.0300
RFQ
ECAD 166 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTC123 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
BTA316-600C,127 NXP USA Inc. BTA316-600C、127 -
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BTA31 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.30.0080 1,000
BSH114,215 NXP USA Inc. BSH114,215 -
RFQ
ECAD 1264 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BSH1 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PDTA115TMB,315 NXP USA Inc. PDTA115TMB 、315 0.0300
RFQ
ECAD 159 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA115 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 1MA 、5V 180 MHz 100 Kohms
PUMD2125 NXP USA Inc. PUMD2125 1.0000
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PMLL4148L,115 NXP USA Inc. PMLL4148L 、115 0.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMLL4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 2,500
BAT54C,215 NXP USA Inc. BAT54C 、215 1.0000
RFQ
ECAD 4219 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT54 ショットキー SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペア共通カソード 30 V 200MA (DC) 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C (最大)
PDTC143ZQA147 NXP USA Inc. PDTC143ZQA147 0.0300
RFQ
ECAD 133 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
NZX36B,133 NXP USA Inc. NZX36B 、133 0.0200
RFQ
ECAD 54 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX3 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
NZX6V8A,133 NXP USA Inc. NZX6V8A 、133 0.0200
RFQ
ECAD 6782 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
NZH30C,115 NXP USA Inc. NZH30C 、115 0.0300
RFQ
ECAD 127 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZH3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
NZH4V7B,115 NXP USA Inc. nzh4v7b、115 -
RFQ
ECAD 8181 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZH4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU4.7BA115 NXP USA Inc. PZU4.7BA115 0.0200
RFQ
ECAD 7141 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫