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離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
BZX284-C7V5,115	-	RFQ	4800	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％		-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-10	BZX284			400 MW	SOD-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																						1.1 V @ 100 MA		1 µA @ 5 V								7.5 v	10オーム
buk7k45-100ex	-	RFQ	8750	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	SOT-205、8-LFPAK56	buk7k45		モスフェット（金属酸化物）	53W	LFPAK56D	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）							100V	21.4a		37.6mohm @ 5a、10V	4V @ 1MA	25.9NC @ 10V		1533pf @ 25V	-
BZB84-B22,215	0.0300	RFQ	62	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％		-	表面マウント	TO-236-3				300 MW	SOT-23	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	11,823	1ペア共通アノード																					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 15.4 v								22 v	55オーム
PBSS4021px、115	-	RFQ	9928	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						PBSS4					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000
PMPB29XNE 、115	0.0800	RFQ	17	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			-55°C〜150°C	表面マウント	6-XFDFN露出パッド			モスフェット（金属酸化物）		DFN1010B-6	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	3,652			nチャネル					30 V	5a（ta）	1.8V 、4.5V	33mohm @ 5a 、4.5V	900MV @ 250µA	18.6 NC @ 4.5 v	±12V	1150 PF @ 15 V	-	1.7W （TA ）、 12.5W （TC
BC856W/ZL115	0.0200	RFQ	396	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						BC856					ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000
bat54c/dg 215	-	RFQ	4836	NXP USA Inc.	自動車、AEC-Q101、BAT54	バルク	アクティブ				表面マウント	TO-236-3	BAT54		ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																	1ペア共通カソード	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
BLF2425M8LS140112	-	RFQ	8265	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		65 v					2.45GHz	ldmos			-						0000.00.0000	1				-	1.3 a	140W	19db											-												28 v
MPSA43,116	-	RFQ	2082	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	MPSA43			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																												200 v	100 Ma		100na（icbo）			npn	500MV @ 2MA 、20MA	40 @ 30ma 、10V	50MHz
RB751V40,115	0.0200	RFQ	5386	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ				表面マウント	SC-76、SOD-323	RB751		ショットキー		SOD-323	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																		40 v		370 mV @ 1 Ma		500 NA @ 30 V	150°C （最大）	120ma	2PF @ 1V 、1MHz
BCP68,115	0.0700	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				1.4 w	SOT-223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	4,683																												20 v	1 a		100na（icbo）			npn	500MV @ 100MA、1a	85 @ 500MA、1V	170MHz
BLF7G24L-160P 、112	123.3100	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		65 v		シャーシマウント	SOT-539A		2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT539A	ダウンロード	ROHS3準拠				5A991G	8541.29.0075	20	デュアル、共通のソース			-	1.2 a	30W	18.5dB											-												28 v
buk9e04-30b、 127	-	RFQ	6137	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止			-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	buk9		モスフェット（金属酸化物）		i2pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					30 V	75a（tc）	4.5V 、10V	3mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	56 NC @ 5 V	±15V	6526 PF @ 25 V	-	254W
PSMN6R0-25YLD115	0.2200	RFQ	39	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1,340
PDTA114YK 115	-	RFQ	1040	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	TO-236-3	PDTA114			250 MW	SMT3; mpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																												50 v	100 Ma		1µA			pnp-前バイアス	100MV @ 250µA、5MA	100 @ 5MA 、5V		10 Kohms	47 Kohms
MMRF1009HSR5	594.7988	RFQ	5641	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	前回購入します		110 v		シャーシマウント	NI-780S	MMRF1009	1.03GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935315335178	ear99	8541.29.0075	50				-	200 ma	500W	19.7db											-												50 v
PUMX2,115	0.0200	RFQ	4970	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	pumx2			300MW	SOT-363	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	1																												50V	150ma		100na（icbo）			2 NPN （デュアル）	250mv @ 5ma 、50ma	120 @ 1MA 、6V	100MHz
PZU5.1B2,115	-	RFQ	7198	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						PZU5.1					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
BSN254A、126	-	RFQ	2855	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	BSN2		モスフェット（金属酸化物）		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000			nチャネル					250 v	310ma（ta）	2.4V 、10V	5OHM @ 300MA 、10V	2V @ 1MA		±20V	120 PF @ 25 V	-	1W
BCW71,215	0.0300	RFQ	5625	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						BCW71					-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000
on5250/a 、135	-	RFQ	5248	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	on52	-	-		SC-73	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934061143135	ear99	8541.29.0095	4,000	-			-		-	-											-
BTA425Y-800CT127	-	RFQ	1501	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ											ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8541.30.0080	293
PMN55LN 、135	-	RFQ	3784	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜150°C	表面マウント	SC-74、SOT-457	PMN5		モスフェット（金属酸化物）		SC-74	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10,000			nチャネル					20 v	4.1a（tc）	4.5V 、10V	65mohm @ 2.5a 、10V	2V @ 1MA	13.1 NC @ 10 V	±15V	500 PF @ 20 V	-	1.75W
MRF6P24190HR5	-	RFQ	6218	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		68 v		シャーシマウント	NI-1230	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-1230	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50				-	1.9 a	40W	14db											-												28 v
PMP4201V、115	-	RFQ	9047	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						PMP4					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	4,000
BFR520,235	-	RFQ	9712	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			175°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BFR52			300MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934018790235	ear99	8541.21.0075	10,000							-																					15V	70ma					npn		60 @ 20MA 、6V	9GHz			1.1DB〜2.1DB @ 900MHz
buk7y28-75b 、115	0.4000	RFQ	2672	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669			モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	166			nチャネル					75 v	35.5a	10V	28mohm @ 15a 、10V	4V @ 1MA	21.2 NC @ 10 V	±20V	1417 PF @ 25 V	-	85W
PHX14NQ20T 、127	-	RFQ	5686	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止			-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	PHX14		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル					200 v	7.6a	10V	230mohm @ 7a、10V	4V @ 1MA	38 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 25 V	-	30W （TC）
NX2020P1X	-	RFQ	1321	NXP USA Inc.	*	バルク	廃止						NX20					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1
PDTA115TK 115	-	RFQ	2246	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	TO-236-3	PDTA115			250 MW	SMT3; mpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																												50 v	100 Ma		1µA			pnp-前バイアス	150MV @ 250µA 、5MA	100 @ 1MA 、5V		100 Kohms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²