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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） ノイズ図 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
PHL5830AL,115 NXP USA Inc. PHL5830AL 、115 -
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 ECAD 2283 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - - - PHL58 モスフェット（金属酸化物） - - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,400 nチャネル 30 V - - - - -
BUK7510-55AL,127 NXP USA Inc. buk7510-55al 、127 -
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 ECAD 2011年年 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk7510 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 10mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 124 NC @ 10 V ±20V 6280 PF @ 25 V - 300W （TC）
A3G23H500W17SR3 NXP USA Inc. A3G23H500W17SR3 128.1003
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 ECAD 7795 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125 v シャーシマウント NI-780-4S2S 2.3GHz〜2.4GHz ガン NI-780-4S2S - ROHS3準拠 影響を受けていない 568-A3G23H500W17SR3TR ear99 8541.29.0095 250 2 nチャネル - 300 Ma 80W 14.3db - 48 v
PMT200EN,135 NXP USA Inc. PMT200EN、135 -
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 ECAD 4358 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PMT2 モスフェット（金属酸化物） SC-73 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 100 V 1.8a（ta） 4.5V 、10V 235mohm @ 1.5a 、10V 2.5V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 475 PF @ 80 V - 800MW
PDTA115TK,115 NXP USA Inc. PDTA115TK 115 -
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 ECAD 2246 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTA115 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 1MA 、5V 100 Kohms
BC807-25,215 NXP USA Inc. BC807-25,215 -
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 ECAD 9432 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BC80 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BC807,215 NXP USA Inc. BC807,215 -
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 ECAD 9226 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BC80 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PLVA665A,215 NXP USA Inc. PLVA665A 、215 -
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 ECAD 3040 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PLVA6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX384-B36,115 NXP USA Inc. BZX384-B36,115 -
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 ECAD 6214 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX384 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BLA6H1011-600,112 NXP USA Inc. BLA6H1011-600,112 634.9400
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 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ Bla6 - ROHS3準拠 影響を受けていない 60
BZX79-C20,113 NXP USA Inc. BZX79-C20,113 -
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 ECAD 3975 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ＆リール（ tr） アクティブ BZX79 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BAT46WJ/DG/B2115 NXP USA Inc. BAT46WJ/DG/B2115 -
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 ECAD 7701 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 3,000
MRF5S19150HR3 NXP USA Inc. MRF5S19150HR3 -
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 ECAD 4104 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF5 1.99GHz ldmos NI-880H-2L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.4 a 32W 14db - 28 v
PHT2NQ10T,135 NXP USA Inc. pht2nq10t、135 -
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 ECAD 5023 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PHT2 モスフェット（金属酸化物） SC-73 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 100 V 2.5a 10V 430mohm @ 1.75a 、10V 4V @ 1MA 5.1 NC @ 10 V ±20V 160 pf @ 25 V - 6.25W
MRF6S21140HR5 NXP USA Inc. MRF6S21140HR5 -
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 ECAD 6775 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v シャーシマウント SOT-957A MRF6 2.12GHz ldmos NI-880H-2L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.2 a 30W 15.5dB - 28 v
BYV25X-600,127 NXP USA Inc. BYV25X-600,127 1.0000
RFQ
 ECAD 4610 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 標準 TO-220F ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 5 a 60 ns 50 µA @ 600 V 150°C （最大） 5a -
PBLS2001S,115 NXP USA Inc. PBLS2001S 、115 -
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 ECAD 5228 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） PBLS20 1.5W 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 50V 、20V 100mA、3a 1µA 、100NA 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP 150MV @ 500µA、 10MA / 355MV @ 300MA、3A 30 @ 20ma 、5v / 150 @ 2a 、2v 100MHz 2.2kohms 2.2kohms
BF1100,215 NXP USA Inc. BF1100,215 -
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 ECAD 9089 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 14 v 表面マウント to-253-4、to-253aa BF110 800MHz モスフェット SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 10 Ma - - 2db 9 v
BTA201-800E,412 NXP USA Inc. BTA201-800E 、412 -
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 ECAD 3494 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -40°C〜125°C 穴を通して to-226-3 to-92-3 ダウンロード ear99 8541.30.0080 889 シングル 12 Ma ロジック -敏感なゲート 800 V 1 a 1.5 v 12.5a、13.7a 10 Ma
MRFE6VP8600HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HR5 298.1700
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 ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 130 v シャーシマウント NI-1230 Mrfe6 860MHz ldmos NI-1230 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 50 デュアル - 1.4 a 125W 19.3db - 50 v
MMRF1316NR1 NXP USA Inc. MMRF1316NR1 82.6800
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 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 133 v 表面マウント TO-270-4 MMRF1316 230MHz ldmos TO-270 WB-4 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 500 デュアル - 100 Ma 300W 27dB - 50 v
MRF6S27085HSR5 NXP USA Inc. MRF6S27085HSR5 -
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 ECAD 7051 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v シャーシマウント NI-780S MRF6 2.66GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 900 Ma 20W 15.5dB - 28 v
BAW56QA147 NXP USA Inc. BAW56QA147 0.0300
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 ECAD 236 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BAW56 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
BUK7215-55A,118 NXP USA Inc. BUK7215-55A 、118 0.3500
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 ECAD 7108 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 55 v 55a（tc） 10V 15mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 50 NC @ 10 V ±20V 2107 PF @ 25 V - 115W
MRF9060NR1 NXP USA Inc. MRF9060NR1 -
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 ECAD 6123 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント TO-270AA MRF90 945MHz ldmos TO-270-2 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 500 - 450 Ma 60W 18db - 26 v
BUK7C06-40AITE,118 NXP USA Inc. buk7c06-40aite、118 1.3600
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 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 75a（tc） 10V 6mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 120 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 25 V 現在のセンシング 272W
MRF8P26080HSR3 NXP USA Inc. MRF8P26080HSR3 -
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 ECAD 2472 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント NI-780S-4L MRF8 2.62GHz ldmos NI-780S-4L - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935310539128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 300 Ma 14W 15dB - 28 v
NZX20A,133 NXP USA Inc. NZX20A 、133 0.0200
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 ECAD 108 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 mA 50 Na @ 14 V 20 v 60オーム
MRF8P20100HSR3 NXP USA Inc. MRF8P20100HSR3 -
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント NI-780S-4L MRF8 2.03GHz ldmos NI-780S-4L - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935310291128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 400 Ma 20W 16dB - 28 v
BF908R,235 NXP USA Inc. BF908R 、235 -
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 ECAD 8777 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 12 v 表面マウント SOT-143R BF908 200MHz モスフェット SOT-143R ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934022610235 ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネルデュアルゲート 40ma 15 Ma - - 0.6dB 8 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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