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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在-hold（ihmax） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | ノイズ図 | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C20,113 | - |  | 3975 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT46WJ/DG/B2115 | - | | 7701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S19150HR3 | - | | 4104 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | SOT-957A | MRF5 | 1.99GHz | ldmos | NI-880H-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 a | 32W | 14db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | pht2nq10t、135 | - | | 5023 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | PHT2 | モスフェット（金属酸化物） | SC-73 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 100 V | 2.5a | 10V | 430mohm @ 1.75a 、10V | 4V @ 1MA | 5.1 NC @ 10 V | ±20V | 160 pf @ 25 V | - | 6.25W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S21140HR5 | - | | 6775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 68 v | シャーシマウント | SOT-957A | MRF6 | 2.12GHz | ldmos | NI-880H-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 a | 30W | 15.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV25X-600,127 | 1.0000 | | 4610 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 5 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK653R5-55C 、127 | - | | 9522 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | buk65 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 120a（tc） | 4.5V 、10V | 3.9mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 191 NC @ 10 V | ±16V | 11516 PF @ 25 V | - | 263W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS2001S 、115 | - | | 5228 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | PBLS20 | 1.5W | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50V 、20V | 100mA、3a | 1µA 、100NA | 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP | 150MV @ 500µA、 10MA / 355MV @ 300MA、3A | 30 @ 20ma 、5v / 150 @ 2a 、2v | 100MHz | 2.2kohms | 2.2kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1100,215 | - | | 9089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 14 v | 表面マウント | to-253-4、to-253aa | BF110 | 800MHz | モスフェット | SOT-143B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネルデュアルゲート | 30ma | 10 Ma | - | - | 2db | 9 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN2907A 、116 | - | | 2751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 150°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | PN29 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 600 Ma | 10na （icbo） | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA201-800E 、412 | - | | 3494 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 889 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP8600HR5 | 298.1700 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 130 v | シャーシマウント | NI-1230 | Mrfe6 | 860MHz | ldmos | NI-1230 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | デュアル | - | 1.4 a | 125W | 19.3db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1316NR1 | 82.6800 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 133 v | 表面マウント | TO-270-4 | MMRF1316 | 230MHz | ldmos | TO-270 WB-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 500 | デュアル | - | 100 Ma | 300W | 27dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S27085HSR5 | - | | 7051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 68 v | シャーシマウント | NI-780S | MRF6 | 2.66GHz | ldmos | NI-780S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 Ma | 20W | 15.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW56QA147 | 0.0300 | | 236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAW56 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7215-55A 、118 | 0.3500 | | 7108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット（金属酸化物） | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 55 v | 55a（tc） | 10V | 15mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2107 PF @ 25 V | - | 115W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9060NR1 | - | | 6123 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | 表面マウント | TO-270AA | MRF90 | 945MHz | ldmos | TO-270-2 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 450 Ma | 60W | 18db | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk7c06-40aite、118 | 1.3600 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 40 v | 75a（tc） | 10V | 6mohm @ 50a 、10V | 4V @ 1MA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 4300 PF @ 25 V | 現在のセンシング | 272W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P26080HSR3 | - | | 2472 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | 表面マウント | NI-780S-4L | MRF8 | 2.62GHz | ldmos | NI-780S-4L | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 935310539128 | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | デュアル | - | 300 Ma | 14W | 15dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX20A 、133 | 0.0200 | | 108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P20100HSR3 | - | | 8451 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | 表面マウント | NI-780S-4L | MRF8 | 2.03GHz | ldmos | NI-780S-4L | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 935310291128 | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | デュアル | - | 400 Ma | 20W | 16dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF908R 、235 | - | | 8777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 12 v | 表面マウント | SOT-143R | BF908 | 200MHz | モスフェット | SOT-143R | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934022610235 | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | nチャネルデュアルゲート | 40ma | 15 Ma | - | - | 0.6dB | 8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF556B 、215 | - | | 3603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 30 V | 表面マウント | TO-236-3 | BF556 | - | jfet | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 13ma | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C20,115 | 0.0200 | | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW101S 、115 | 0.0300 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAW10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC52-10PA 、115 | - | | 5398 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-powerudfn | 420 MW | 3-HUSON （2x2） | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 a | 100na（icbo） | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4081R | - | | 2701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C47,235 | 0.0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6VP121KHSR5 | - | | 8948 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 110 v | NI-1230S | MRF6 | 1.03GHz | ldmos | NI-1230S | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 935310191178 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | デュアル | - | 150 Ma | 1000W | 20db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS300/ZLX | - | | 2612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 1ps300 | 標準 | SC-70 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069194115 | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 85 v | 170ma dc） | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C （最大） |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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