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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） ノイズ図 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
BZX284-C12,115 NXP USA Inc. BZX284-C12,115 -
RFQ
 ECAD 2892 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-10 BZX284 400 MW SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 100 Na @ 8 V 12 v 10オーム
BUK9C2R2-60EJ NXP USA Inc. buk9c2r2-60ej -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント TO-263-7 buk9c2 モスフェット（金属酸化物） D2PAK-7 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934067485118 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 60 V - - - - -
BT234-600D,127 NXP USA Inc. BT234-600D、127 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.30.0080 1,110
PMEG4005AESFC315 NXP USA Inc. PMEG4005AESFC315 0.0500
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 9,000
PHD21N06LT,118 NXP USA Inc. phd21n06lt 、118 -
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 PhD21 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 55 v 19a（tc） 5V、10V 70mohm @ 10a 、10V 2V @ 1MA 9.4 NC @ 5 V ±15V 650 PF @ 25 V - 56W （TC）
BT138-800E/DG127 NXP USA Inc. BT138-800E/DG127 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8541.30.0080 642
BZX884-C43,315 NXP USA Inc. BZX884-C43,315 0.0300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PHB153NQ08LT,118 NXP USA Inc. PHB153NQ08LT 、118 -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 PHB15 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 75 v 75a（tc） 4.5V 、10V 5.5mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 95 NC @ 5 V ±15V 8770 PF @ 25 V - 300W （TC）
PSMN035-150B NXP USA Inc. PSMN035-150B -
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PSMN035 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1 -
PDTA144TT,215 NXP USA Inc. PDTA144TT 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA14 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PMEG4010EH/DG/B2115 NXP USA Inc. PMEG4010EH/DG/B2115 0.0900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 3,000
MMRF1306HSR5 NXP USA Inc. MMRF1306HSR5 -
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 133 v NI-1230-4S MMRF1 230MHz ldmos NI-1230-4S - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935320269178 ear99 8541.29.0075 50 デュアル - 100 Ma 1250W 24dB - 50 v
PMF780SN,115 NXP USA Inc. PMF780SN 、115 -
RFQ
 ECAD 7985 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 PMF78 モスフェット（金属酸化物） SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 570ma（ta） 10V 920mohm @ 300ma 、10V 2V @ 250µA 1.05 NC @ 10 V ±20V 23 pf @ 30 v - 560MW
MMRF5300NR5 NXP USA Inc. MMRF5300NR5 -
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 125 v 表面マウント TO-270AA MMRF5 2.7GHz〜3.5GHz hemt OM-270-2 - ROHS3準拠 影響を受けていない 935322537528 廃止 50 - 70 Ma 60W 17dB - 50 v
BUK7514-60E,127 NXP USA Inc. BUK7514-60E 、127 -
RFQ
 ECAD 1498 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk75 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 58a 10V 13mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 22.9 NC @ 10 V ±20V 1730 pf @ 25 v - 96W
BUK7510-100B,127 NXP USA Inc. BUK7510-100B 、127 0.8200
RFQ
 ECAD 779 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk7510 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 75a（tc） 10V 10mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 80 NC @ 10 V ±20V 6773 PF @ 25 V - 300W （TC）
PMPB48EP,115 NXP USA Inc. PMPB48EP 、115 1.0000
RFQ
 ECAD 6349 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFDFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） DFN1010B-6 ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 pチャネル 30 V 4.7a（ta） 4.5V 、10V 50mohm @ 4.7a 、10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 860 PF @ 15 V - 1.7W （TA ）、 12.5W （TC
MRFE6S9205HR3 NXP USA Inc. MRFE6S9205HR3 -
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 66 v シャーシマウント SOT-957A Mrfe6 880MHz ldmos NI-880H-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 58W 21.2db - 28 v
BZX79-B27,113 NXP USA Inc. BZX79-B27,113 0.0200
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PDTA114TK,135 NXP USA Inc. PDTA114TK 、135 -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTA114 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 200 @ 1MA 、5V 10 Kohms
MRF6V14300HSR3 NXP USA Inc. MRF6V14300HSR3 -
RFQ
 ECAD 3008 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 100 V シャーシマウント NI-780S MRF6 1.4GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 250 - 150 Ma 330W 18db - 50 v
PH5030ALS,115 NXP USA Inc. ph5030als 、115 -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ＆リール（ tr） 廃止 PH50 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934065185115 ear99 8541.29.0095 1,500
PDTA124EU,135 NXP USA Inc. PDTA124EU 、135 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA124 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000
PBR951,215 NXP USA Inc. PBR951,215 -
RFQ
 ECAD 9894 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 PBR95 365MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 10V 100mA npn 50 @ 5MA 、6V 8GHz 1.3DB〜2DB @ 1GHz〜2GHz
PSMN7R0-30YL115/BKN NXP USA Inc. psmn7r0-30yl115/bkn 1.0000
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
BT138B-600F,118 NXP USA Inc. BT138B-600F 、118 -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 d2pak ダウンロード ear99 8541.30.0080 350 シングル 30 Ma 標準 600 V 12 a 1.5 v 95a 、105a 25 Ma
BUK956R1-100E,127 NXP USA Inc. BUK956R1-100E、127 -
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk95 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 120a（tc） 5V、10V 5.9mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 133 NC @ 5 V ±10V 17460 PF @ 25 V - 349W
MMRF1320GNR1 NXP USA Inc. MMRF1320GNR1 33.0939
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 133 v 表面マウント TO-270bb MMRF1320 230MHz ldmos TO-270 WB-4カモメ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935312501528 ear99 8541.29.0075 500 デュアル - 100 Ma 150W 26.1db - 50 v
PDTC124TK,115 NXP USA Inc. PDTC124TK 、115 -
RFQ
 ECAD 5147 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC124 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 100 @ 1MA 、5V 22 Kohms
AFT20P060-4GNR3 NXP USA Inc. AFT20P060-4GNR3 -
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント OM-780G-4L AFT20 2.17GHz ldmos OM-780G-4L - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935322069528 5A991G 8541.29.0040 250 デュアル - 450 Ma 6.3W 18.9db - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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