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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
BYC10X-600PQ127 NXP USA Inc. byc10x-600pq127 -
RFQ
 ECAD 2105 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1
TDZ4V3J,115 NXP USA Inc. TDZ4V3J 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 NXP USA Inc. 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ バルク アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F TDZ4V3 500 MW SOD-323F ダウンロード ear99 8541.10.0050 9,072 1.1 V @ 100 MA 3 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
PMR780SN115 NXP USA Inc. PMR780SN115 0.1000
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 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 モスフェット（金属酸化物） SC-75 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 550ma（ta） 4.5V 、10V 920mohm @ 300ma 、10V 3V @ 250µA 1.05 NC @ 10 V ±20V 23 pf @ 30 v - 530MW
PSMN035-150P NXP USA Inc. PSMN035-150P 1.0000
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1
MRF8S21100HR3 NXP USA Inc. MRF8S21100HR3 -
RFQ
 ECAD 9247 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF8 2.17GHz モスフェット NI-780H-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 935317144128 ear99 8541.29.0095 250 nチャネル - 700 Ma 24W 18.3db - 28 v
BUK9528-55A,127 NXP USA Inc. BUK9528-55A 、127 -
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 ECAD 2482 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk95 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 40a（tc） 4.5V 、10V 28mohm @ 20a 、5v 2V @ 1MA ±10V 1700 PF @ 25 V - 99W
PBSS301NZ,135 NXP USA Inc. PBSS301NZ 、135 0.2200
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 ECAD 26 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 4,000
PVR100AD-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B3V0,115 -
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 ECAD 3955 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 PVR10 300 MW SC-74 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 Ma 100na（icbo） npn + zener - 160 @ 100MA、1V -
J3E081GXS/S1AGCK7J NXP USA Inc. J3E081GXS/S1AGCK7J -
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 ECAD 1884年 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ＆リール（ tr） 廃止 J3E0 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500
PSMN2R8-40BS,118 NXP USA Inc. PSMN2R8-40BS 、118 0.8300
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 ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 100a（tc） 10V 2.9mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 71 NC @ 10 V ±20V 4491 PF @ 20 V - 211W （TC）
BT234-800D,127 NXP USA Inc. BT234-800D、127 1.0000
RFQ
 ECAD 5862 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
PHPT610030NK115 NXP USA Inc. PHPT610030NK115 0.2400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1,500
PZM8.2NB,115 NXP USA Inc. PZM8.2NB 、115 -
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PZM8.2 300 MW SMT3; mpak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 700 na @ 5 v 8.2 v 10オーム
PDTA115ET,215 NXP USA Inc. PDTA115ET 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BF1205,135 NXP USA Inc. BF1205,135 -
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 10 v 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 BF120 800MHz モスフェット 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934056890135 ear99 8541.21.0095 10,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 12 Ma - 35dB 1.2db 5 v
MRF8S21120HR3 NXP USA Inc. MRF8S21120HR3 -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF8 2.17GHz ldmos NI-780H-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 935314244128 ear99 8541.29.0075 250 - 850 Ma 28W 17.6db - 28 v
BZX79-B24,113 NXP USA Inc. BZX79-B24,113 0.0200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 16.8 v 24 v 70オーム
MRFE6VP6300HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP6300HR5 127.0900
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 130 v シャーシマウント NI-780-4 Mrfe6 230MHz ldmos NI-780-4 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル - 100 Ma 300W 26.5dB - 50 v
PMV60EN,215 NXP USA Inc. PMV60en 、215 -
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PMV6 モスフェット（金属酸化物） SOT-23 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 4.7a（tc） 4.5V 、10V 55mohm @ 2a 、10V 2V @ 1MA 9.4 NC @ 10 V ±20V 350 pf @ 30 V - 280MW
MRF7S21080HR5 NXP USA Inc. MRF7S21080HR5 -
RFQ
 ECAD 6933 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF7 2.17GHz ldmos NI-780H-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 800 Ma 22W 18db - 28 v
PBSS5160DS,115 NXP USA Inc. PBSS5160DS 、115 -
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
MRFG35005NT1 NXP USA Inc. MRFG35005NT1 -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 15 V 表面マウント PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz フェットフェット PLD-1.5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 - 80 Ma 4.5W 11db - 12 v
MRFX1K80NR5578 NXP USA Inc. MRFX1K80NR5578 -
RFQ
 ECAD 4259 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 179 v シャーシマウント OM-1230-4L2L 1.8MHz〜400MHz ldmos OM-1230-4L2L ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 50 デュアル 100mA 100 Ma 1800w 24.4db - 65 v
PSMN9R0-30LL,115 NXP USA Inc. psmn9r0-30ll 、115 -
RFQ
 ECAD 2816 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド psmn9 モスフェット（金属酸化物） 8-dfn3333 （3.3x3.3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,400 nチャネル 30 V 21a（tc） 4.5V 、10V 9mohm @ 5a 、10V 2.15V @ 1MA 20.6 NC @ 10 V ±20V 1193 PF @ 15 V - 50W （TC）
AFT21H350W03SR6 NXP USA Inc. AFT21H350W03SR6 -
RFQ
 ECAD 1901年 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-1230S AFT21 2.11GHz ldmos NI-1230S - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 150 - 750 Ma 63W 16.4db - 28 v
MRF5S19100HSR3 NXP USA Inc. MRF5S19100HSR3 -
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF5 1.93GHz1.99GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 250 - 1 a 22W 13.9db - 28 v
BZX79-C10,143 NXP USA Inc. BZX79-C10,143 0.0200
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 200 Na @ 7 V 10 v 20オーム
PDTA124XMB,315 NXP USA Inc. PDTA124XMB 、315 0.0200
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 PDTA124 250 MW DFN1006B-3 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 180 MHz 22 Kohms 47 Kohms
MRF5S19130HR3 NXP USA Inc. MRF5S19130HR3 -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF5 1.99GHz ldmos NI-880H-2L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 a 26W 13dB - 28 v
PMN27UP,115-NXP NXP USA Inc. PMN27UP 、115-NXP -
RFQ
 ECAD 2799 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 pチャネル 20 v 5.7a（ta） 32mohm @ 2.4a 、4.5V 950MV @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ±8V 2340 PF @ 10 V - 540MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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