画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在-hold(ihmax) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ノイズ図 | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 電圧 -テスト | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
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![]() | PBSS4032px、115 | - | ![]() | 2920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C6V8/LF1VL | - | ![]() | 6257 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C6V8 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934069503235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18125AHR5 | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | SOT-957A | MRF7 | 1.88GHz | ldmos | NI-780H-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.1 a | 125W | 17dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S9125MBR1 | - | ![]() | 7183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 68 v | TO-272-4 | MRF6 | 880MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 27W | 20.2db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT136-600E/L01,127 | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,184 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF998,215 | - | ![]() | 7114 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 12 v | 表面マウント | to-253-4、to-253aa | BF998 | 200MHz | モスフェット | SOT-143B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネルデュアルゲート | 30ma | 10 Ma | - | - | 0.6dB | 8 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2PB709ARW 、115 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100 Ma | 10na (icbo) | PNP | 500MV @ 10MA 、100mA | 210 @ 2MA 、10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB187,335 | - | ![]() | 7646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BB18 | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 20,000 | 2.92pf @ 25V、1MHz | シングル | 32 v | 11 | C2/C25 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C4V7,115 | - | ![]() | 5880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169H 、112 | - | ![]() | 7636 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | 廃止 | - | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934061729112 | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 3 Ma | 800 V | 800 Ma | 800 mv | 9a 、10a | 100 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C6V2,215 | 0.0200 | ![]() | 363 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZB784-C5V6,115 | 1.0000 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B2V7,115 | - | ![]() | 2394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-10 | BZX284 | 400 MW | SOD-10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF8S19140HR3 | - | ![]() | 2512 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | SOT-957A | MRF8 | 1.96GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 935321462128 | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 a | 34W | 19.1db | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1105WR 、135 | - | ![]() | 9482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 7 v | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | BF110 | 800MHz | モスフェット | CMPAK-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934050320135 | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | nチャネルデュアルゲート | 30ma | - | 20db | 1.7db | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBRP123ES、126 | - | ![]() | 9207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | to-226-3 | PBRP123 | 500 MW | to-92-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 v | 800 Ma | - | pnp-前バイアス | - | - | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD15,115 | 0.0600 | ![]() | 8863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PEMD15 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 3,400 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 10ma 、5v | - | 4.7kohms | 4.7kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6S19100HSR5 | - | ![]() | 1000 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 68 v | シャーシマウント | NI-780S | MRF6 | 1.99GHz | ldmos | NI-780S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 Ma | 22W | 16.1db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C5V6,115 | - | ![]() | 4189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-10 | BZX284 | 400 MW | SOD-10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1105R 、215 | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 7 v | 表面マウント | SOT-143R | BF110 | 800MHz | モスフェット | SOT-143R | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネルデュアルゲート | 30ma | - | 20db | 1.7db | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | nzx2v7c、133 | 0.0200 | ![]() | 94 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PD602AQL 、215 | 0.0300 | ![]() | 2210 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2PD60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB113ZK 115 | - | ![]() | 7095 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | PDTB113 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 70 @ 50MA 、5V | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT222,215 | - | ![]() | 2040 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBT2222 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buk7e1r6-30e、127 | - | ![]() | 8847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | buk7 | モスフェット(金属酸化物) | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 30 V | 120a(tc) | 10V | 1.6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 154 NC @ 10 V | ±20V | 11960 PF @ 25 V | - | 349W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1576S 、115 | 0.0200 | ![]() | 7813 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2PA15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2G35S200-01SR3 | 139.2100 | ![]() | 129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125 v | 表面マウント | NI-400S-2S | A2G35 | 3.4GHz3.6GHz | ガン・ヘムト | NI-400S-2S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ディスク3A001B3 | 8541.29.0075 | 250 | - | 291 MA | 180W | 16.1db | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP21KHR5 | 883.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 110 v | シャーシマウント | NI-1230 | MRF6 | 225MHz | ldmos | NI-1230 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | デュアル | - | 150 Ma | 1000W | 24dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | OT355,127 | - | ![]() | 4868 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | 廃止 | - | - | - | OT35 | - | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934057936127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 標準 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40H 、115 | 0.0300 | ![]() | 2342 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS40 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 |
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